AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
特点
片上的霍尔传感器具有两个不同的灵敏度和
为AH276滞后设置
内置保护二极管只对芯片的反向功率
连
-20 ° C至85° C的工作温度
无铅封装： SIP -4L
SIP -4L ：可在“绿色”模塑料
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
概述
AH276集成霍尔传感器的输出驱动，主要是
设计用于无刷直流风扇电子换向。这
IC内部包含稳压器，保护二极管，霍尔板，
放大器，比较器，和一对互补
集电极开路输出
（ DO ， DOB ） 。
而磁通密度
(B)
比操作点大
（ BOP） ， DO
将开启（低） ，同时
DOB
将关闭
（高） 。每个输出锁存，直到
B
是不是放点低
（ BRP ） ，
进而
DO ， DOB
每个传输状态。
对于直流风扇的应用程序，有时需要测试功率反
连接条件。内部二极管只保护芯片的一面，
不为线圈侧。如果必要，添加一个外部二极管阻止的
从反向线圈侧的电流。
应用
双线圈无刷直流电动机
双线圈无刷直流风扇
革命计数
速度测量
订购信息
AH 276 Q - P X - B - X
VERSION
Q
包
P： SIP - 4L
无铅
L：无铅
G：绿
填料
B：散装
磁
特征
A或B或C （注3 ）
设备
AH276Q-PL-B-A
AH276Q-PL-B-B
AH276Q-PL-B-C
AH276Q-PG-B-A
AH276Q-PG-B-B
AH276Q-PG-B-C
注意事项：
包
CODE
P
P
P
P
P
P
包装
（注2 ）
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
QUANTITY
1000
1000
1000
1000
1000
1000
体积
型号后缀
-B
-B
-B
-B
-B
-B
磁
特征
A
B
C
A
B
C
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html
2.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
3.请参阅第4页（磁特性表） 。
AH276Q启5
DS31066
1第8
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
注意事项：
特征
电源电压（注5 ）
工作环境温度
条件
操作
操作
民
3.5
-20
最大
20
85
单位
V
°C
5.输出（DO）/ DOB被切换为磁场变化（ S>300G ， N<-300G ） 。
电气特性
符号
Vz
VCE （ SAT ）
ICEX
ICC
注意事项：
(T
A
=+25°C)
特征
输出齐纳击穿
输出饱和电压
输出漏电流
电源电流
条件
（注6 ）
VCC = 14V ，我
L
=400mA
VCE = 14V ， VCC = 14V
VCC = 20V ，输出开路
民
-
-
-
7
典型值。
35
0.6
<0.1
16
最大
-
0.9
10
25
单位
V
V
A
mA
6. Vz的是设计参考的典型值。 Vz的将不同的线圈的设计而变化。
AH276Q启5
DS31066
4 8
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
磁特性
A级
符号
BOP
BRP
BHY
B级
符号
BOP
BRP
BHY
C级
符号
BOP
BRP
BHY
注意事项：
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 14V ，注7 ）
特征
操作点
放点
迟滞
民
10
-50
-
典型值。
-
-
75
最大
50
-10
-
单位
高斯
高斯
高斯
特征
操作点
放点
迟滞
民
5
-70
-
典型值。
-
-
75
最大
70
-5
-
单位
高斯
高斯
高斯
特征
操作点
放点
迟滞
民
-
-100
-
典型值。
-
-
75
最大
100
-
-
单位
高斯
高斯
高斯
7.磁特性进行设计的信息，这将随电源电压，工作温度和焊后。
DO
（输出电压）
（输出电压）
DOB
V
cc
（关闭状态）
（关闭状态）
V
cc
关
B
hy
打开
打开
B
hy
关
（导通状态）
（导通状态）
V
SAT
N
B
rp
0
B
op
S
N
（磁通密度B）中
V
SAT
B
rp
0
B
op
S
（磁通密度B）中
AH276Q启5
DS31066
5 8
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
特点
片上的霍尔传感器具有两个不同的灵敏度和
为AH276滞后设置
内置保护二极管只对芯片的反向功率
连
-20 ° C至85° C的工作温度
无铅完成/符合RoHS标准的无铅
产品（注1 ）
无铅封装： SIP -4L
概述
AH276集成霍尔传感器的输出驱动，主要是
设计用于无刷直流风扇电子换向。这
IC内部包含稳压器，保护二极管，霍尔板，
放大器，比较器，和一对互补
集电极开路输出
（ DO ， DOB ） 。
而磁通密度
(B)
比操作点大
（ BOP） ， DO
将开启（低） ，同时
DOB
将关闭
（高） 。每个输出锁存，直到
B
是不是放点低
（ BRP ） ，
进而
DO ， DOB
每个传输状态。
对于直流风扇的应用程序，有时需要测试功率反
连接条件。内部二极管只保护芯片的一面，
不为线圈侧。如果必要，添加一个外部二极管阻止的
从反向线圈侧的电流。
应用
双线圈无刷直流电动机
双线圈无刷直流风扇
革命计数
速度测量
订购信息
AH276 X - X X X - X
VERSION
Q
包
P： SIP - 4L
无铅
L：无铅
填料
-B ：散装
磁
特征
答： A级
（注3）
B： B级
（注3）
C： C级
（注3）
注意：
1.
RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
设备
LEAD -FREE
包
CODE
P
包装
（注2 ）
SIP-4
管/散装
QUANTITY
型号后缀
1000
-B
AH276Q-P
注意：
2.
3.
如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
请参阅第4页（磁特性表） 。
AH276Q第1版
1 6
www.diodes.com
2007年1月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
绝对最大额定值
( @ T
A
=25°C )
特征
电源电压
倒V
CC
极性电压
磁通量密度
连续
输出“的”电流*
HOLD
峰值（启动）
工作温度范围
存储温度范围
封装功耗（ SIP - 4 ）
最大结温
热电阻（ SIP - 4 ）
*注意：
4.
钯应是安全工作区之内。
符号
V
CC
V
RCC
B
Io
T
A
Ts
P
D
Tj
等级
20
-20
无限
0.4
0.5
0.7
-20~+85
-65~+150
550
150
227
单位
V
V
A
°C
°C
mW
°C
° C / W
θ
jc
Ta
Tj
θ
ja
θJC
Tc
电气特性
(T
A
=+25°C)
特征
电源电压
输出齐纳击穿
输出饱和电压
输出漏电流
电源电流
注意：
符号
VCC
Vz
VCE （ SAT ）
ICEX
ICC
条件
（注5 ）
（注6 ）
VCC = 14V ，我
L
=400mA
VCE = 14V ， VCC = 14V
VCC = 20V ，输出开路
民
3.5
-
-
-
7
典型值
-
35
0.6
<0.1
16
最大
20
-
0.9
10
25
单位
V
V
V
A
mA
5.输出（DO）/ DOB被切换为磁场变化（ S>300G ， N<-300G ） 。
6. Vz的是设计参考的典型值。 Vz的将不同的线圈的设计而变化。
AH276Q第1版
3 6
www.diodes.com
2007年1月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
磁特性
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 14V ，注7 ）
A级
特征
操作点
放点
迟滞
B级
特征
操作点
放点
迟滞
C级
特征
操作点
放点
迟滞
注意：
7.
符号
BOP
BRP
BHY
符号
BOP
BRP
BHY
符号
BOP
BRP
BHY
分钟。
10
-50
-
分钟。
5
-70
-
分钟。
-
-100
-
典型值。
-
-
75
典型值。
-
-
75
典型值。
-
-
75
马克斯。
50
-10
-
马克斯。
70
-5
-
马克斯。
100
-
-
单位
高斯
高斯
高斯
单位
高斯
高斯
高斯
单位
高斯
高斯
高斯
磁特性是用于设计信息，这将随电源电压，工作温度和焊后。
DO
（输出电压）
（输出电压）
DOB
V
cc
（关闭状态）
（关闭状态）
V
cc
关
B
hy
打开
打开
B
hy
关
（导通状态）
（导通状态）
V
SAT
V
SAT
S
N
B
rp
0
B
op
S
N
B
rp
0
B
op
（磁通密度B）中
（磁通密度B）中
AH276Q第1版
4 6
www.diodes.com
2007年1月
Diodes公司
AH276Q
互补输出霍尔效应锁存
性能特点（ SIP -4L ）
T
A
(°C)
P
D
（ mW）的
T
A
(°C)
P
D
（ mW）的
P
D
（M W）
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75 85
100
125
150
T
A
(
。
C )
25
550
105
198
50
440
110
176
60
396
115
154
70
352
120
132
80
308
125
110
85
286
130
88
90
264
135
66
95
242
140
44
100
220
150
0
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú ê RV
标识信息
（前视图）
产品型号
276
WW X X
内码AZ ：无铅
Y：年份： "1" = 2001
"2" = 2002
WW ： N个星期： 01 52
X：版本：Q
AH276Q第1版
5 6
www.diodes.com
2007年1月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
