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AH266
高压霍尔效应锁存
特点
片霍尔盘
工作电压: 4V 28V
o
输出电流: 400毫安(连拍, 25℃ )
反向保护二极管仅用于芯片反向
电源连接(注1 )
输出保护齐纳击穿Vz的= 62V (典型值)。
无铅封装: SIP -4L
SIP -4L :可在“绿色”模塑料
(无溴,锑)
无铅涂层/符合RoHS (注2 )
概述
AH266是一款集成霍尔传感器的设计与输出驱动器
对于无刷直流电动机的应用程序的电子换向。
该装置包括用于芯片上霍尔电压发生器
磁感应,比较,放大霍尔电压,
施密特触发器提供噪声抑制开关滞后,
和互补达林顿集电极开路驱动沉没
大电流负载。一个内部带隙稳压器用于
提供温度补偿的电压为内部
电路,并允许较宽的工作电压范围。
如果磁通密度(B)的比的操作点大于(波普) ,
DO将开启(低)和DOB将关闭(高) 。输出状态
在之前将释放点( BRP )锁定。如果B< BRP , DO会
关闭和DOB将开启。 AH266额定工作过
o
o
温度范围从-20℃至85℃,电压范围从
4V至28V 。该器件采用低成本的芯片形式或可
坚固耐用的4引脚SIP封装。
应用
双线圈无刷直流电动机
双线圈无刷直流风扇
革命计数
速度测量
订购信息
AH 266的K - P X - B - X
VERSION
K
P: SIP - 4L
无铅
L:无铅
G:绿
填料
B:散装
特征
A或B
设备
LEAD -FREE
LEAD -FREE
AH266K-PL-B-A
AH266K-PL-B-B
AH266K-PG-B-A
AH266K-PG-B-B
注意事项:
CODE
P
P
P
P
包装
(注3)
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
SIP-4L
QUANTITY
1000
1000
1000
1000
体积
型号后缀
-B
-B
-B
-B
特征
A
B
A
B
1.保护二极管只存在于电源引脚( 1,4)的输出,不包括针(2 ,3)。
2.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站:
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
3.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
AH266第4版
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AH266
高压霍尔效应锁存
引脚分配
(顶视图)
266
1 2
3
4
SIP-4L
引脚说明
引脚名称
V
CC
DO
DOB
GND
P / I / O
P
O
O
P
针#
1
2
3
4
描述
电源输入
输出引脚
输出引脚
框图
V
CC
1
DO
注册。
HAL
l
AMP
DOB
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AH266
高压霍尔效应锁存
典型应用电路
266
线圈1
线圈2
1
V
cc
2
3
4
无刷直流风扇
绝对最大额定值
符号
V
cc
V
OUT (OFF)的
I
O( CON )
I
O( HOLD )
I
O(峰)
B
T
ST
P
D
θ
JC
电源电压
输出“关闭”电压
输出“导通”电流
(T
A
= 25
o
C)
参数
等级
28
28
400 (注5)
500
700
无限
-65 ~ +150
550
227
单位
V
V
mA
mA
mA
高斯
°C
mW
° C / W
磁通量密度
存储温度范围
功率耗散(注6 )
热阻结到外壳
推荐工作条件
符号
V
CC
T
A
注意事项:
特征
电源电压
工作环境温度(注7 )
条件
操作
操作
4
-20
最大
28
85
单位
V
°C
4.该应用电路不能保护反向线圈电流,如果电源连接相反。
5. I
O( CON )
是150毫安在85℃ 。
6.请参阅
性能特点
对于其他条件。
7.不得超过P
D
安全作业区。
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AH266
高压霍尔效应锁存
电气特性
符号
Vz
V
CE (SAT)
I
CEX
I
cc
tr
tf
Δt
特征
输出齐纳击穿
输出饱和电压
输出漏电流
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
切换时间差
(T
A
= 25°C)
条件
输出关闭
V
cc
= 24V ,我
C
= 400毫安
V
ce
= 24V, V
CC
= 24V
V
cc
= 24V ,输出开路
V
cc
= 24V ,RL = 820Ω , CL = 20pF的
V
cc
= 24V ,RL = 820Ω , CL = 20pF的
V
cc
= 24V ,RL = 820Ω , CL = 20pF的
54
典型值。
62
1.1
& LT ;
0.1
5
1.0
1.0
3.0
最大
70
1.5
10
10
5
1.5
10
单位
V
V
A
mA
s
s
s
测试电路
24V
266
V
OUT
1( DO)的
RL1
V
OUT
2 ( DOB )
RL2
CL1
RL1 = RL2 = 820欧姆
CL1 = CL2 = 20 pF的
CL2
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AH266
高压霍尔效应锁存
磁特性
A级
符号
BOP
BRP
BHY
B级
符号
BOP
BRP
BHY
(T
A
= +25
o
C)
特征
操作点
放点
迟滞
10
-70
-
典型值。
-
-
80
( 1mT的= 10高斯)
最大
单位
70
-10
-
高斯
高斯
高斯
特征
操作点
放点
迟滞
DOB
输出电压伏
输出电压伏
-
-100
-
典型值。
-
-
80
DO
最大
100
-
-
单位
高斯
高斯
高斯
打开
B
hy
B
hy
打开
V
SAT
BRP
0
BOP
在高斯磁通密度
V
SAT
BRP
0
BOP
在高斯磁通密度
性能特点
T
A
(°C)
P
D
( mW)的
T
A
(°C)
P
D
( mW)的
P
D
(M W)
6 00
5 00
4 00
3 00
2 00
1 00
0
0
15
30
45
60
75
859 0
1 05
1 20
1 35
1 50
T
A
(°C)
25
550
105
198
50
440
110
176
60
396
115
154
70
352
120
132
80
308
125
110
85
286
130
88
90
264
135
66
95
242
140
44
100
220
150
0
P欠 Dissipa TIO N urve
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