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数据表
两相霍尔效应锁存器中FG输出
概述
该AH211是一个集成霍尔传感器输出
驱动器和频率发生器专为电子
换向的无刷直流电机的应用程序。该
装置包括一个片霍尔传感器,用于磁
感应器,放大器,放大霍尔电压,
施密特触发器提供转换滞后
噪声抑制,一个温度补偿电路,以
补偿的霍尔灵敏度温度漂移,
两个互补集电极开路驱动沉没
大负载电流。它也包括一个内部带隙
调节器,它是用来提供偏置电压
内部电路。
将装置中的可变磁场,而
磁通密度小于阈防喷较大,DO
上(低)和出生日期(和FG )将被打开会
断开(高) 。该输出状态保持,直到mag-
NETIC磁通密度反转低于BRP造成DO
被关断(高)和出生日期(和FG )导通
(低) 。
AH211可在TO- 94 ( SIP - 4L )封装。
AH211
特点
·
·
·
·
·
·
·
片上霍尔传感器
3.5V至16V电源电压
400毫安( AVG)输出吸收电流
-20
o
C至85
o
C的工作温度
内置FG输出
低调-94 ( SIP -4L )封装
ESD额定值: 300V (机器型号)
应用
·
·
·
·
双线圈无刷直流电动机
双线圈无刷直流风扇
革命计数
速度测量
TO-94
AH211图1.封装类型
2007年3月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
两相霍尔效应锁存器中FG输出
引脚配置
Z4套餐
(TO-94)
AH211
4
3
2
1
GND
DOB
DO
FG
图2. AH211的引脚配置(前视图)
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
FG
DO
DOB
GND
频率发生器
输出1
输出2
功能
2007年3月修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
两相霍尔效应锁存器中FG输出
功能框图
AH211
调节器
温度
赔偿金
2
DO
HALL
传感器
扩音器
施密特
TRIGGER
产量
司机
3
DOB
4
1
FG
图3. AH211的功能框图
GND
订购信息
AH211
电路类型
Z4 : TO- 94 ( SIP -4L )
-
E1 :无铅
磁特性
答: 5 60高斯
B: 90高斯
TO-94
温度范围
-20到85
o
C
产品型号
AH211Z4-AE1
AH211Z4-BE1
标记ID
AH211
AH211
包装类型
体积
体积
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2007年3月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
两相霍尔效应锁存器中FG输出
绝对最大额定值(注1 )
(T
A
=25
o
C)
参数
电源电压
磁通量密度
连续
输出电流
HOLD
峰值(启动)
FG电流
功耗
要死要大气
热阻
要死要包案
储存温度
ESD(机器型号)
ESD(人体模型)
I
FG
P
D
θJA
θJC
T
英镑
I
O
符号
V
CC
B
价值
20
无限
400
600
800
20
550
227
49
-50-150
300
3000
单位
V
高斯
mA
mA
mA
mA
mW
o
C / W
o
C / W
o
AH211
C
V
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。 "Absolute最大Ratings"延长期限可能会影响
器件的可靠性。
推荐工作条件
(T
A
=25
o
C)
参数
电源电压
环境温度
符号
V
CC
T
A
3.5
-20
最大
16
85
单位
V
o
C
2007年3月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
两相霍尔效应锁存器中FG输出
电气特性
(T
A
=25
o
C,V
CC
= 14V ,除非另有规定)
参数
符号
测试条件
B>150Gauss ,V
CC
=3.5V,
V
DOB
=V
CC
, I
DO
=100mA
(或B<-150Gauss ,V
CC
=3.5V,
V
DO
=V
CC
, I
DOB
=100mA)
输出饱和电压
V
SAT
B>150Gauss,
V
DOB
=V
CC
, I
DO
=400mA
(或B<-150Gauss ,V
DO
=V
CC
,
I
DOB
=400mA)
FG饱和电压
V
SATF
I
OLF
I
CC
tr
tf
t
V
Z
B<-150Gauss ,V
DO
=V
CC
,
I
FG
=20mA
B>150Gauss ,V
DOB
=V
CC
,
V
FG
=16V
B>150Gauss ,V
DOB
=V
CC
,
(或B<-150Gauss ,V
DO
=V
CC
)
R
L
= 1kΩ的,C
L
=10pF
R
L
= 1kΩ的,C
L
=10pF
R
L
= 1kΩ的,C
L
=10pF
1.05
1.3
V
典型值
最大
单位
AH211
1.1
V
0.35
0.6
V
A
FG漏电流
0.1
10
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
切换时间差
输出齐纳击穿电压
8
3.0
0.3
3.0
55
10
10
1.0
10
mA
s
s
s
V
磁特性
(T
A
=25
o
C)
参数
工作点
符号
B
OP
B
RP
B
HYS
GRADE
A
B
释放点
迟滞
A
B
-60
-90
60
-30
5
典型值
30
最大
60
90
-5
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
2007年3月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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