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AH182/AH183
低功耗霍尔效应开关
特点
微操作
2.5V至5.5V的电池供电
偏移消除技术
卓越的温度稳定性
极低的开关点漂移
不受物理应力
-40 ° C至85° C的工作温度
SIP -3L / SC59封装
无铅完成/符合RoHS标准的无铅
产品(注1 )
概述
AH182 / AH183是一个三端子霍尔效应传感器装置与
一个输出驱动器,主要设计用于电池操作,
手持式设备(例如蜂窝和无绳电话和
PDA的)总的操作功率降至15uW在2.75V
供应量。
具有足够的强度南极会变成输出上
的SIP -3L但具有足够的强度将依次输出的北极
在SC59封装。输出将在没有被关闭
磁场。
而磁通密度
(B)
比工作点大
( BOP) ,
输出将在(低)时,输出一直保持到翻
B
比所述释放点低
( BRP ) ,
然后关闭。该
AH182和AH183之间的区别在于,前者
功耗低于在霍尔传感器后者
操作。
应用
盖探测器
速度测量
家居安全
引脚说明
名字
VDD
GND
产量
P / I / O
P / I
P
O
针#
1
2
3
描述
电源输入
输出引脚
订购信息
AH182 / AH183 X - X X X
CMOS霍尔
效果开关
晶圆体
领导
L:无铅
(注2 )
填料
空白:散装
答:扩腿SIP -3L弹药盒;
磁带&卷轴SOT23-3L
空或
P: SIP -3L
AZ :如果有必要W: SC59
指定
注意:
1. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用,看
欧盟指令附件注5和7 。
2.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
AH182 / AH183第2版
1 9
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2007年3月
Diodes公司
AH182/AH183
低功耗霍尔效应开关
引脚分配
( TOP VIEW )
3.输出
2. GND
1. VDD
( SC59封装)
( SIP -3L封装)
GND 1 。
2.阴极
3. REF
框图
1
VDD
注册/开关
产量
3
合乎逻辑的
AMP
GND
偏移消
霍尔板
2
AH182 / AH183第2版
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2007年3月
Diodes公司
AH182/AH183
低功耗霍尔效应开关
典型电路
2.5~5.5V
VDD
AH182/
AH183
GND
产量
R
L
数字
产量
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压
磁通量密度
工作温度范围
存储温度范围
封装功耗
最大结温
输出电流
P
D
符号
V
dd
B
T
a
T
s
SIP-3L
SC59
T
jc
I
o
7
无限
-40至+85
-65到+150
550
230
150
10
单位
V
°C
°C
mW
mW
°C
mA
推荐工作条件
(大= 25℃)
放慢参数
电源电压
符号
VDD
条件
操作
等级
2.5~5.5
单位
V
AH182 / AH183第2版
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AH182/AH183
低功耗霍尔效应开关
电气特性
特征
输出电压上
输出漏电流
符号
V
OUT
I
关闭
I
DD ( EN )
I
DD ( DIS )
I
DD ( AVG )
I
DD ( AVG )
T
T
特区
( TA = + 25 ° C, VDD = 3V )
条件
I
OUT
= 1毫安
V
OUT
= 5.5V ,B < BRP
芯片使能
芯片被禁止
AH182 :平均电源电流
AH183 :平均电源电流
AH182
AH183
AH182
AH183
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
0.1
<0.1
-
-
5
280
50
50
200
0.1
25
最大
0.3
1
2.0
8.0
10
500
100
100
400
-
-
单位
V
A
mA
uA
uA
uA
s
ms
us
%
%
电源电流
清醒时间
占空比
测试电路
)
182/183
1
3V
2
3
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上拉电阻
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AH182/AH183
低功耗霍尔效应开关
磁特性
特征
操作点
放点
迟滞
( T
a
= + 25 ° C,V
dd
= 3V )
( 100万吨= 10高斯)
最大
单位
60
高斯
--
--
符号
BOP
BRP
BHY ( BOP- BRP )
--
10
--
典型值
40
30
10
产量
(输出电压)
S
S
侧面标
(关闭状态)
VDD
B
h
y
侧面标
打开
N
( SC59 )
N
V
SAT
( SIP3 )
0
B
rp
(导通状态)
B
op
(磁通密度B)中
AH182 / AH183第2版
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AH1825-WL
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