AH180
微功耗全极霍尔效应传感器
开关
特点
微操作
操作无论是北方还是南方的磁场
极（全极性）
2.5V至5.5V的电池供电
斩波稳定
卓越的温度稳定性
良好的RF噪声抗扰度
-40 ° C至85° C的工作温度
SIP -3L / SC59-3L /低调DFN2020-6封装
静电放电（ HBM）的
＞
5KV的DFN2020-6
＞
6KV的SIP - 3L和SC59-3L
无铅完成/符合RoHS标准的无铅
产品（注1 ）
绿色包装： SC59-3L ， DFN2020-6
无铅封装形式： SIP -3L
概述
AH180是由两个霍尔效应盘子，一个漏极开路的
输出驱动器，主要设计用于电池操作时，手持
设备（如蜂窝和无绳电话， PDA） 。该
在正常运行的总功率消耗通常24μW
用3V电源。
无论是强度足够的北极或南极会变成输出
上。输出将无磁场下被关闭。而
的磁通密度
(B)
比工作点大
（ BOP） ，
输出将在（低）时，输出一直保持到翻
B
is
比放点低
（ BRP ） ，
然后关闭。
应用
在翻盖手机盖开关
在笔记本电脑/ PDA盖开关
非接触式开关的消费类产品
°C
引脚说明
名字
VDD
GND
产量
P / I / O
P / I
P / I
O
针＃
1
2
3
描述
电源输入
地
输出引脚
订购信息
AH180 - X X X
包
P： SIP -3L
W： SC59-3L
SN ： DFN2020
注意：
1.
领导
填料
L：无铅（注3 ） -A ：弹药盒（注5 ）
-B ：散装（注6 ）
G：绿色（注4 ）
-7 ：盘带
RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
管/散装
包装包装
部分
CODE
（注2 ）数量数量
苏FFI X
AH180-P
AH180-W
AH180-SN
P
W
SN
SIP-3L
SC59-3L
DFN2020-6
1000
NA
NA
-B
NA
NA
7 “卷带
弹药箱
部分
部分
数量数量数量数量
苏FFI X
苏FFI X
NA
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
NA
-7
-7
4000/Box
NA
NA
-A
NA
NA
注： 2.垫布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
3.无铅只对SIP -3L 。
4.绿色是只为SC59和DFN2020 。
5.弹药盒是SIP -3L传播铅。
6.大部分用于SIP -3L直导线。
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开关
典型电路
2.5~5.5V
R
L
C
AH180
GND
产量
注意：
8.
C是功率稳定，并加强抗噪声能力，推荐电容10nF的 100nF的。
绝对最大额定值
（在T
A
= 25°C)
特征
电源电压
磁通量密度
工作温度范围
存储温度范围
封装功耗
最大结温
PD
符号
VDD
B
T
A
Ts
SIP-3L
SC59-3L/DFN2020-6
TJC
值
7
无限
-40至+85
-65到+150
550
230
150
单位
V
°C
°C
mW
mW
°C
推荐工作条件
( T
A
= 25°C )
参数
电源电压
符号
VDD
条件
操作
等级
2.5~5.5
单位
V
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电气特性
( T
A
= + 25 ° C， VDD = 3V ;除非另有规定）
特征
输出电压上
输出漏电流
电源电流
清醒时间
期
占空比
符号
VOUT
IOFF
国际直拨电话（ EN ）
国际直拨电话（ DIS ）
国际直拨电话（ AVG）
Tawake
TPERIOD
特区
条件
Iout=1mA
VOUT = 5.5V ，B < BRP
芯片使能
芯片被禁止
平均电源电流
民
典型值
0.1
<0.1
3
5
8
75
75
0.1
最大
0.3
1
6
10
16
125
125
单位
V
A
mA
A
A
s
ms
%
磁特性
(T
A
= 25°C ， VDD = 3V ）
特征
符号
BOPS （南极，以品牌方）
操作点
BOPN （北极牌方）
BRPS （南极，以品牌方）
放点
BRPN （北极牌方）
BHY （
Bopx
Brpx
)
迟滞
民
-
-60
10
-
-
典型值
40
-40
30
-30
15
（ 1mT的= 10高斯）
最大
单位
60
-
-
高斯
-10
-
注意事项：
9.典型的数据是在TA = 25 ℃， VDD = 3V ，并仅作为设计信息。
10.工作点和释放点会因电源电压和工作温度而变化。
产量
（输出电压）
（输出电压）
产量
V
cc
（关闭状态）
关
打开
（关闭状态）
V
cc
B
hy
关
B
hy
打开
（导通状态）
V
SAT
B
OPN
B
RPN
0
（磁通密度B）中
V
SAT
（导通状态）
0 B
RPS
B
OPS
（磁通密度B）中
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性能特点（ SIP -3L ）
T
A
(°C)
P
D
（ mW）的
T
A
(°C)
P
D
（ mW）的
P
D
（ mW）的
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
85
100
125
150
25
550
105
198
50
440
110
176
60
396
115
154
70
352
120
132
80
308
125
110
85
286
130
88
90
264
135
66
95
242
140
44
100
220
150
0
功耗曲线
T
A
(。C)
性能特点（ SC59-3L / DFN2020-6 ）
T
A
(°C)
P
D
（ mW）的
25
230
50
184
60
166
70
147
80
129
85
120
90
110
100
92
110
74
120
55
130
37
140
18
150
0
P
D
（M W）
300
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N ú ê RV
200
100
0
0
25
50
75
85
100
125
150
T
A
(。 C )
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