AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR21125E是高电压，金 - 金属化，
增强模式，横向扩散金属氧化物
半导体（ LDMOS ） RF功率晶体管suit-
能够用于宽带码分多址
（ W- CDMA ），单载波和多载波AB类无线
基站功率放大器的应用。
7
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR21125EU
AGR21125EF
符号
R
JC
R
JC
价值
0.5
0.5
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR21125EU
AGR21125EF
减免上述25
ˇC:
AGR21125EU
AGR21125EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
V
DSS
65
VDC
V
GS
-0.5 ， + 15VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
350
350
2.0
2.0
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
AGR21125EU （无凸缘）
AGR21125EF （法兰连接）
48
5
图1.可用的软件包
特点
典型表现为两个载波3GPP
W-CDMA系统。 F1 = 2135 MHz和
F2 = 2145 MHz的3.84 MHz信道带宽，相邻
分通道带宽= 3.84 MHz的在F1 - 5 MHz和
F2 + 5兆赫。三阶失真测量
超过3.84 MHz带宽在F1 - 10兆赫和
F2 + 10兆赫。典型的P / 8.5分贝0.01 ％的比例
（概率） CCDF ：
- 输出功率： 28 W.
- 功率增益：14分贝。
- 效率： 27 ％ 。
- IM3 ： -34.5 dBc的。
- ACPR ： -38 dBc的。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流比（VSWR ） ， 2140兆赫， 125瓦contin-
uous波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, +150 °C
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR21125E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
400
A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 1200 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
C
RSS
—
3.0
—
pF
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
G
FS
—
—
—
—
9
—
3.8
0.08
—
4.8
—
—
S
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
4
200
12
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
漏极效率*
G
PS
η
IM3
ACPR
IRL
12
—
25
14
27
—
—
dB
dBc的
dBc的
dB
W
%
输入回波损耗*
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
三阶互调失真*
（ IMD3测量了3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
–34.5
–38
–10
125
–33
–37
–9
—
—
—
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28 V，F
C
= 2140.0兆赫）
P
1dB
ψ
115
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 125 W（ CW ） ，我
DQ
= 1200毫安，女
C
= 2140.0兆赫
驻波比= 10 ：1; [所有相位角] ）
没有退化的输出功率。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2135.0兆赫，和f2 = 2145兆赫。
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安，而P
OUT
= 28瓦的魅力。
AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
测试电路插图AGR21125E
FB1
V
GG
R1
R2
+
C2
C3
C4
+
C5
Z6
Z7
2
Z14
1
DUT
3
+
引脚： 1.漏， 2门， 3 SOURCE
+
C18
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
C16
Z13
RF
产量
V
DD
R3
+
+
V
DD
C12D C9D C8D C6A C7A C8A C9A C10A C11A C12A C13A C14A C15A
Z1
RF输入
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C12C C9C C8C C6B C7B C8B C9B C10B C11B C12B C13B C14B C15B
一。原理图
配件清单：
微带线：
Z1 0.785英寸X 0.065英寸
Z2 0.205英寸X 0.065英寸
Z3 0.070英寸X 0.255英寸
Z4 0.315英寸X 0.065英寸
Z5 0.240英寸X 0.860英寸
Z6 0.050英寸X 0.467英寸
Z7 0.050英寸X 0.367英寸
Z8 0.500英寸X 1.050英寸
Z9 0.248英寸X 0.185英寸
Z10 0.075英寸X 0.320英寸
Z11 0.465英寸X 0.115英寸
Z12 0.075英寸X 0.065英寸
Z13 0.252英寸X 0.065英寸
Z14 0.050英寸X 0.367英寸
WB1 ， WB2 ; 10密耳厚， 0.6英寸X 0.18英寸
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 2743019447 。
Vitramon
1206尺寸片式电容器：
C3 ， C9A ， C9B ， C9C ， C9D 22000 pF的。
1206尺寸片式电容器： 22000 pF的
C12A ， C12B ， C12C ， C12D ， C13A ， C13B 。
1206尺寸片式电阻器：
R1 1 kΩ的;
R2 560 kΩ的;
R3 4.7
.
Taconic的
ORCER射频-35板料，
2盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
2
3
1
ATC
贴片电容： C1 10 pF的100B100JW500X ; C5 ， C14A ， C14B ， C15A ， C15B 5.6 pF100B5R6BW500X ;
C6A ， C6B 6.8 pF的100B6R8JW500X ; C7A ， C7B 1.2 pF的100B1R2BW500X ; C16 15 pF的100B150JW500X 。
村田
0805尺寸的片式电容器： C8A ， C8B ， C8C ， C8D 0.01 μF GRM40X7R103K100AL 。
斯普拉格
钽表面贴装片式电容： C2 ， C4 ， C10A ， C10B ， C11A ， C11B 22 μF ， T491 ， 35 V.
约翰森千兆微调
可变电容： C18 0.6 pF至4.5 pF的27271SL 。
B.组件布局
图2. AGR21125E测试电路
AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
20
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
U
E
S
-80
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0.4
0.3
6
IN
D
-75
R
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
兆赫（ F）
2110 (f1)
2140 (f2)
2170 (f3)
Z
L
Z
S
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
3.8 – j8.7
1.4 + j0.7
3.4 – j8.2
1.4 + j0.8
3.3 – j7.7
1.3 + j0.9
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
0.
32
0.
1.8
18
0
-5
-25
0.
44
0.3
0.1
3
0
2.
7
-30
-60
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
E
C
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
4
0.
f3
f1
Z
S
O
),
Zo
5
5
0.0
X/
0.4
0
5.0
0.2
0
-10
0.
8
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
10
-15
4.0
-20
3.
0
1.
0
0.8
0.6
0.2
f1
0.4
F3
L
170
0.6
Z
0
= 10
0.48
IN
D
90
0.
8
-1
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
10
L
E
OF
昂
0.
07
30
0.
43
0.1
20
50
D
EGR
EES
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.3
0.2
-4
0
0.
31
0.
19
AGR21125E
125 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
（续）
15.00
14.50
功率增益（ dB）的
S
14.00
13.50
13.00
12.50
12.00
11.50
11.00
1
I
DQ
= 1200毫安
I
DQ
=千毫安
I
DQ
= 800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
TWO- TONE
测量
10 MHz的TONE
间距
I
DQ
= 1600毫安
I
DQ
= 1400毫安
10
100
1000
输出功率（ W） PEP
图4.双音功率增益与输出功率和I
DQ
-20.00
-25.00
IMD3 ，三阶（ DBC）
s
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
-55.00
-60.00
-65.00
-70.00
1
10
I
DQ
= 1200毫安
I
DQ
= 1400毫安
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
=千毫安
I
DQ
= 1600毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
TWO- TONE
测量
10 MHz的TONE
间距
100
1000
输出功率（ W） PEP
图5. IMD3与输出功率和I
DQ
QQ：2881677436 复制
