AGR21090E
90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR21090E是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ）适用于宽带RF功率晶体管
码分多址（ W-CDMA） ，和单
和多载波AB类的无线基站电源
放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR21090EU
AGR21090EF
符号
R
JC
R
JC
价值
0.7
0.7
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR21090EU
AGR21090EF
减免上述25
ˇC:
AGR21090EU
AGR21090EF
CW RF输入功率
(V
DS
= 31 V)
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
65
VDC
V
DSS
V
GS
-0.5 ， 15 VDC
P
D
P
D
—
—
—
T
J
250
250
1.4
1.4
30
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
W
°C
°C
AGR21090EU （无凸缘）
AGR21090EF （法兰连接）
图1.可用的软件包
特点
典型表现为2载波3GPP
W-CDMA系统。 F1 = 2135 MHz和
F2 = 2145 MHz的3.84 MHz信道带宽，相邻
分通道带宽= 3.84 MHz的在F1 - 5 MHz和
F2 + 5兆赫。三阶失真测量
超过3.84 MHz带宽在F1 - 10兆赫和
F2 + 10兆赫。典型的P / 8.5分贝0.01 ％的比例
（概率） CCDF ：
- 输出功率： 19 W.
- 功率增益为14.5分贝。
- 效率： 26 ％ 。
- IM3 ： -33 dBc的。
- ACPR ： -36 dBc的。
- 回波损耗： -12分贝。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10：1的电压驻波
在28伏直流， 2140兆赫比（VSWR ） ， 90瓦continu-
OU的波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR21090E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR21090E
90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
100
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
300
A)
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
—
—
—
—
—
—
6.4
3
150
9
—
—
μAdc
μAdc
S
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 300 A)
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 800 mA）的
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
2.8
3.0
—
3.4
3.7
4.8
4.6
—
VDC
VDC
VDC
0.11
表5. RF特性
参数
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
符号
动态特性
C
RSS
—
2.1
—
pF
民
典型值
最大
单位
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
漏极效率*
G
PS
η
IM3
ACPR
IRL
14.0
24
—
14.5
–33
–36
–12
93
26
—
—
dB
dBc的
dBc的
dB
W
%
三阶互调失真*
（测量IM3失真超过3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
–32
–35
–9
—
—
—
输入回波损耗*
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28 V，F
C
= 2140.0兆赫）
P
1dB
ψ
85
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 90 W（ CW） ，我
DQ
= 800毫安，女
C
= 2140.0兆赫
驻波比= 10 ：1; [所有相位角] ）
没有退化的输出功率。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2135兆赫，和f2 = 2145兆赫。
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 800毫安，而P
OUT
= 19 W平均。
额定工作电压28伏直流电。合格为32 VDC的最大工作电压为±0.5 V.
AGR21090E
90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
测试电路插图AGR21090E
FB1
V
GG
R3
R4
+
C4
C5
C3
+
C2
Z6
R2
Z7
Z9
2
Z10
Z8
DUT
C13 C14
C15
C16
C17
C7
Z11
C8
C9
Z12
C18
+
C10
C11
Z14
+
V
DD
Z13 C6
RF
产量
引脚：
1.漏
2.门
3.源
Z1
RF输入
C1
Z2
C19
Z3
Z4
Z5
1
3
一。原理图
配件清单：
½
微带线： Z1 0.889英寸x 0.065英寸; 。 Z2 0.370英寸X 0.065英寸; Z3 0.160英寸X 0.250英寸; Z4 0.080英寸X 0.400英寸; Z5 0.195英寸X 1.000英寸;
Z6 0.050英寸X 0.860英寸; Z7 0.050英寸X 0.880英寸; Z8 0.050英寸X 0.880英寸; Z9 0.180英寸X 1.060英寸; Z10 0.110英寸X 1.060英寸;
Z11 0.260英寸x 1.060英寸x 0.065英寸锥形。 ; Z12 0.195 X 0.065英寸; Z13 0.395英寸X 0.065英寸; Z14 0.555英寸X 0.065英寸
½
ATC
贴片电容： C1 ， C6 ： 8.2 pF的100B8R2JW500X ; C2 ， C7 ， C13 ： 6.8 pF的100B6R8JW500X 。
½
斯普拉格
钽表面贴装片式电容器： C3 ， C5 ， C11 ， C17 ： 22 μF ， 35 V.
1206尺寸片式电容： C10 ， C16 ： 0.1 μF C1206104K5RAC7800 。
½
基美
½
村田
0805尺寸的片式电容器： C9 ， C15 ： 0.01 μF GRM40X7R103K100AL 。
½
约翰森千兆微调
可变电容： C18 ， C19 ： 0.4 pF至2.5 pF的27281SL 。
½
1206尺寸片式电容器： C4 ， C8 ， C14 ： 22000 pF的。
½
1206尺寸片式电阻器： R2 4.7
,
R3 1.02千欧， R4 560 kΩ的。
½
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 2743019447 。
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
½
Taconic的
B.组件布局
图2. AGR21090E测试电路
AGR21090E
90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
0
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0.4
0.3
6
-75
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
兆赫（ F）
2110 (f1)
2140 (f2)
2170 (f3)
Z
L
Z
S
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
2.52 – j4.60
3.10 – j3.11
2.46 – j4.42
3.01 – j3.05
2.37 – j4.25
2.94 – j2.99
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
0.
44
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
E
C
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
Z
S
X/
0
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
0.6
f3
D
f1
R
IN
-15
4.0
0.8
f3
U
E
S
-80
1.
0
f1
5.0
0.2
Z
L
-10
8
0.
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
10
0.6
0.4
Z
0
= 5
0.48
IN
D
90
0.
0.2
0.3
-4
0
8
10
0.1
-1
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EGRE
L
E
OF
ES
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
20
L
E
OF
昂
0.2
0.
31
0.
19
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
07
30
0.
43
AGR21090E
90 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
（续）
16.50
16.00
15.50
15.00
G
PS
（ dB）的
S
14.50
14.00
13.50
13.00
12.50
12.00
11.50
1.00
测试条件：
V
DD
28伏直流电， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145兆赫。
双音测量， 10 MHz的音调间隔。
I
DQ
= 1100毫安
I
DQ
= 950毫安
I
DQ
= 500毫安
I
DQ
= 650毫安
10.00
P
OUT
（W）的PEPZ
I
DQ
= 800毫安
100.00
图4.双音功率增益与输出功率和I
DQ
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
IMD3 （ DBC）
-40.00
-45.00
-50.00
-55.00
-60.00
-65.00
-70.00
1.00
测试条件：
V
DD
28伏直流电， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145兆赫。
双音测量， 10 MHz的音调间隔。
I
DQ
= 500毫安
I
DQ
= 650毫安
I
DQ
= 1100毫安
I
DQ
= 800毫安
10.00
P
OUT
（W）的PEPZ
I
DQ
= 950毫安
100.00
1000.00
图5. IMD3与输出功率和I
DQ
QQ：2881677436 复制
