初步数据表
2003年9月
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18090E是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ） RF功率适用于全球系晶体管
统为移动通信系统（GSM ），增强型
全球演进技术（EDGE ） ，和多载波数据
AB类功率放大器的应用。该装置是
采用先进的LDMOS技术制造
提供先进设备，最先进的性能和可靠性。它
封装在一个工业标准的封装，
能够提供90°的典型输出功率W的
这使得它非常适合于当今的无线
基站RF功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR18090EU
AGR18090EF
符号
R
JC
R
JC
价值
0.75
0.75
单位
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR18090EU
AGR18090EF
减免上述25
ˇC:
AGR18090EU
AGR18090EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, 15
I
D
8.5
P
D
P
D
—
—
T
J
230
230
1.31
1.31
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
AGR18090EU
AGR18090EF
图1.可用的软件包
特点
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 1.840 GHz的，P
OUT
= 30 W):
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -63 dBc的。
@ ± 600千赫= -73 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 1.7％。
- 增益= 15分贝。
- 漏极效率= 31 ％ 。
典型的连续波（ CW ）的性能比
整个数字通信系统（DCS）频段：
— P
1dB
： 90瓦（典型值） 。
- 功率增益： @ P
1dB
= 14分贝。
- 效率@ P
1dB
= 50 ％ （典型值） 。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性黄金金属化的过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
90瓦最小输出功率。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏直流比（VSWR） ， 1.840千兆赫， 90瓦的CW输出
把权力。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR18090E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
使用一了人体模型（HBM ）和一个充电装置
模型（CDM） ，以确定合格要求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD
电压阈值依赖于所使用的电路参数
在每个模型，通过JEDEC的JESD22- A114定义
（HBM）和JESD22- C101 （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
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2003年9月
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
300
A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 300 A)
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
G
FS
—
—
—
—
6.4
3.8
—
4.8
—
—
—
VDC
S
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
民
65
—
—
典型值
—
最大
—
单位
VDC
—
—
3.0
150
9
μAdc
μAdc
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
DQ
= 800 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
漏 - 栅电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
漏极 - 源极电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
0.11
VDC
VDC
符号
C
RSS
C
OSS
民
—
—
典型值
2.1
48
最大
—
—
单位
pF
pF
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
1
G
L
η
—
—
14
50
—
—
dB
%
漏EF网络效率
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 90 W，I
DQ
= 800 mA）的
功率增益
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 90 W，I
DQ
= 800 mA）的
EDGE线性特性
(P
OUT
= 30 W， F = 1.840千兆赫，V
DS
= 26 V，I
DQ
= 800 mA）的
调制频谱@ ± 400千赫
调制频谱@ ± 600千赫
—
P
1dB
IRL
ψ
—
—
—
–63
90
输出功率
(V
DS
= 26 V ，为1 dB增益压缩，我
DQ
= 800 mA）的
输入回波损耗
耐用性
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 90 W，I
DQ
= 800毫安， VSWR = 10 ： 1，所有
角）
–73
—
—
—
dBc的
dBc的
W
在产量不降低
力。
–12
–8
dB
1.在整个全DCS频段， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的。
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2003年9月
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图AGR18090E
V
GG
+
C6
R2
Z1
RF输入
C1
C5
Z2
C4
C3
Z3
Z4
Z11
C2
Z5
FB1
R3
R1
Z12
C7
C8
Z6
DUT
C9
Z7
C10
Z8
C11
C12
C13
Z10
V
DD
+
2
1
3
Z9 C14
RF输出
引脚： 1.漏， 2 SOURCE ， 3门
一。原理图
配件清单：
½
微带线： Z1 0.685英寸x 0.067英寸; 。 Z2 0.280英寸X在0.067 ： Z3 0.300英寸X 0.265英寸; Z4 0.150英寸X 0.465英寸; Z5 0.275英寸X 1.060英寸;
Z6 0.330英寸X 1.130英寸; Z7 0.220英寸X 0.375英寸; Z8 0.300英寸X 0.205英寸; Z9 0.290英寸X 0.067英寸; Z10 0.550英寸X 0.067英寸;
Z11 0.545英寸X 0.030英寸; Z12 0.800英寸X 0.050英寸
½
ATC
片状电容器： C 1 ， C 14 ， 12 pF的100B120JW500X ; C 2， C 7 ， 10pF的100B100JW500X 。
½
斯普拉格
钽表面贴装片式电容器： C6 ， C13 ， 22 μF ， 35 V.
½
基美
0603尺寸片式电容器： C8 ， 220 pF的; 1206尺寸片式电容器： C5 ， C11 ， 0.1 μF C1206104K5RAC7800 ;
1812尺寸的片式电容： C12 ， 1.0 μF C1812C105K5RACTR 。
½
村田
0805尺寸的片式电容器： C4 ， C10 。 0.01 μF GRM40X7R103K100AL 。
½
1206尺寸片式电阻： R1 4.7千欧， R2 560千欧， R3 1.02 kΩ的。
½
Vitramon
1206尺寸片式电容器： C3 ， C9 ， 22000 pF的。
½
商Fair-Rite
铁氧体磁珠FB1 2743019447 。
½
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
B.组件布局
图2. AGR18090E测试电路
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
D
＆ LT ; d
RD
L
OA
拖车
A
7
±
180
TH
S
0.4
-170
EN
G
V
EL
WA
＆ LT ; d
-90
-160
0.1
)
/
Yo
（ -JB
CE
AN
PT
CE
US
E
S
f1
f3
0.48
0.6
-85
1.
0
-15
-80
6
0.4
4
0.0
V
TI
UC
0.3
IN
D
-75
R
O
),
Zo
5
5
0.0
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
千兆赫（ F）
1.805 (f1)
1.8425 (f2)
1.880 (f3)
Z
L
Z
S
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
1.90 – j2.16
2.05 – j1.27
1.77 – j1.97
2.00 – j1.14
1.69 – j1.82
1.97 – j1.06
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
0.
44
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
E
C
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
X/
0
5.0
0.2
-15
4.0
-20
3.
0
1.
0
f1
0.8
0.6
0
-10
Z
S
0.
8
10
Z
L
0.49
0.4
20
f3
0.2
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
0.6
0.4
Z
0
= 4
0.48
IN
D
90
0.
0.2
0.3
-4
0
8
10
0.1
-1
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
20
L
E
OF
昂
0.2
0.
31
0.
19
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
07
30
0.
43
AGR18090E
90 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
（续）
120
60
50
40
效率
30
20
10
0
输出功率（P
OUT
） （W ）z
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
输入功率（P
IN
） （W ）z
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 800 mA时， F = 1842.5兆赫， CW测
图4.输出功率和效率与输入功率
17
16
I
DQ
= 950毫安
I
DQ
= 1100毫安
GPS，功率增益（分贝）z
15
14
13
12
11
10
9
8
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 500毫安
I
DQ
= 650毫安
输出功率（P
OUT
） （W ）z
V
DD
= 26 V ， F = 1842.5兆赫， CW测
图5. CW功率增益与输出功率
漏极效率（ ％ ）z
100
噘
QQ：2880707522 复制
