AGR18060E
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18060E是60 W， 26 V的N沟道横向
扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）
射频功率场效应晶体管（FET）适合
全球演进技术（EDGE ） ，全球增强型数据
系统，用于移动通信系统（GSM ） ，和单
承运人或多载波的AB类功放应用程序
阳离子。它封装在一个行业标准封装
年龄，能够提供一个最小输出的
功率为60 W，这使得它非常适合于
今天的无线基站的RF功率放大器
应用程序。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR18060EU
AGR18060EF
符号
价值
1.00
1.00
单位
° C / W
° C / W
R
JC
R
JC
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR18060EU
AGR18060EF
减免上述25
ˇC:
AGR18060EU
AGR18060EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
V
DSS
65
VDC
V
GS
-0.5 ， 15 VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
175
175
1.00
1.00
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
AGR18060EU
AGR18060EF
图1.可用的软件包
特点
典型的EDGE性能：
1880兆赫， 26 V，I
DQ
= 500毫安
- 输出功率（P
OUT
): 20 W.
- 功率增益：15分贝。
- 效率： 34 ％ 。
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -62 dBc的。
@ ± 600千赫= -73 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2％。
典型的表现在整个GSM频段：
— P
1dB
：60瓦（典型值） 。
- 功率增益： @ P
1dB
= 14分贝。
- 效率@ P
1dB
= 52 ％的典型。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏， 1805兆赫比（VSWR ） ， 60瓦continu-
OU的波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3中。
ESD额定值*
AGR18060E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
使用一了人体模型（HBM ）和一个充电装置
模型（CDM） ，以确定合格要求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD
电压阈值依赖于所使用的电路参数
在每个模型，通过JEDEC的JESD22- A114定义
（HBM）和JESD22- C101 （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR 18060 ê
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
= 300A
漏源击穿电压（V
GS
= 0 V，I
D
= 90 A)
符号
开关特性
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
民
65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
最大
—
UN I T
VDC
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V)
—
—
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.45 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 180 A)
门静态电压（V
DS
= 26 V，I
D
= 500 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.45 A)
表5. RF特性
参数
基本特征
5.5
100
—
—
—
1.8
μAdc
μAdc
S
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
4.0
3.6
—
4.8
VDC
VDC
VDC
0.08
符号
动态特性
民
典型值
1.3
最大
—
UN I T
pF
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500 mA时， F = 1805 MHz的
和1880兆赫，音频间隔= 100千赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500 mA时， F = 1805 MHz的
和1880兆赫，音频间隔= 100千赫）
三阶互调失真*
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500 mA时， F = 1805 MHz的
和1880兆赫，音频间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500 mA时， F = 1805 MHz的
和1880兆赫，音频间隔= 100千赫）
C
RSS
—
传输电容
(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
（部分是输入和输出内部匹配两者。 ）
（以
杰尔系统提供的测试治具）
功能测试（在
提供的测试治具）
G
PS
—
15
41
–26
–10
60
—
—
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
W
η
IM3
IRL
P
1dB
Ψ
—
—
—
—
耐用性
(V
DD
= 26 V ，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 500 mA时， F = 1880兆赫，
VSWR = 10 ： 1 [所有相位角] ）
1 dB增益压缩输出功率
(V
DD
= 26 V ，P
OUT
= 60瓦CW ， F = 1880兆赫，我
DQ
= 500 mA）的
在产量不降低
力。
AG R180 60E
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图AGR18060E
R3
V
GG
R2
R1
FB1
C7
Z8
Z9
C8
Z10
C9
Z11
Z12
C10
Z13 Z14 C11
V
DD
C2
C1
C12
C13 C14
C3
Z6
1
3
DUT
Z15
2
Z7
Z1
RF输入
C5
Z2
C4
Z3
Z4
Z5
引脚
1.漏
2.门
3.源
RF
产量
一。原理图
门
GND
漏
C2
R2
R1
R3
FB1
C12 C13 C14
C3
W1
C7
C8
C10
C6
C9
C1
S2
C4
C5
2
S3
3
S4
1
C11
S1
B.组件布局
配件清单：
微带线： Z1 0.065英寸x 0.283英寸; 。 Z2 0.065英寸X 0.700英寸; Z3 0.065英寸X 0.308英寸; Z4 0.856 in.x在0.262 ; Z5 1.045英寸X 0.140英寸;
Z6 0.051英寸X 0.470英寸; Z7 1.220英寸X 0.104英寸; Z8 0.998英寸X 0.422英寸; Z9 0.132英寸X 0.050英寸; Z10 0.984英寸X 0.093英寸;
Z11 0.132英寸X 0.244英寸; Z12 0.289英寸X 0.332英寸; Z13 0.132英寸X 0.200英寸; Z14 0.065英寸X 0.250英寸
ATC
B案贴片电容： C3 ， C4 ： 10 pF的， 100B100JCA500X ; C11 8.2 pF的100B8R2JCA500X ; C7 1000 PF， 100B102JCA500X 。
基美
B案贴片电容
:
C9 ， C12 ： 0.10 μF ， CDR33BX104AKWS 。
约翰森千兆微调
可变电容器： C5 ， C17 ： 0.4 PF- 2.5 pF的。
Vitramon
1206:
C2 ， C8 ： 22000 pF的。
村田
0805:
C13 0.01 μF ， GRM40X7R103K100AL 。
0603:
C14 220 pF的。
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 ， ＃ 2743019447 。
斯普拉格
钽电容，贴片： C1 ， C10 ： 22 μF ， 35 V.
固定式电影
贴片电阻：
R1 510
Ω,
1/4 W， 0.08 X 0.13 ; R2 560 kΩ的1/4 W， 0.08 X 0.13 ; R3 4.7
Ω,
1/4 W， 0.08 X 0.13 。
印刷电路板蚀刻电路板。
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
图2. AGR18060E测试电路原理图
AGR 18060 ê
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.6
1.8
1.4
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
)
/
Yo
（ -JB
CE
Z
L
0.48
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
U
ES
-80
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0.4
0.3
6
-75
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
兆赫（ F）
1805 (f1)
1842.5 (f2)
1880 (f3)
注意：
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
1.76 – j4.18
1.78 – j3.78
1.78 – j3.65
Z
L
Ω
（复杂最佳负载阻抗）
4.65 – j2.50
4.23 – j2.44
3.84 – j2.40
Z
L
基于增益，输出功率，漏极效率和互调失真之间的折衷选择了。
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
0.
44
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
EC
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
X/
0
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
0.6
Z
S
R
IN
D
-15
0.8
f1
4.0
1.
0
f3
5.0
0.2
0
-10
0.
8
10
f3
f1
0.4
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
0.6
0.4
Z
0
= 10
Ω
0.48
IN
D
90
0.
8
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
10
0.1
-1
L
E
OF
昂
20
0.2
0.2
0.3
-4
0
50
D
EGR
EES
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
31
0.
19
0.
07
30
0.
43
AG R180 60E
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
（续）
80.00
70.00
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
0.00
P
OUT
，输出
POWERZ （瓦） ，
EFFICIENCYZ （ ％ ）z
P
OUT
效率
IRL ，输入回波
Z
LOSSZ （分贝）z
0.0
-5.0
IRL
-10.0
-15.0
-20.0
4.50
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
P
IN
，输入功率（瓦）z
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 500毫安，频率= 1842.5兆赫， CW测量。
图4.输出功率和效率与输入功率
G
PS
，功率增益（分贝）z
16
15
14
13
12
1
I
DQ
= 700毫安
I
DQ
= 300毫安
I
DQ
= 500毫安
10
P
OUT
输出功率（瓦）z
100
V
DD
= 26 V ，频率= 1842.5兆赫， CW测量。
图5.功率增益与输出功率
G
PS
，电源GAINZZ
（分贝）z
16
15
14
13
12
11
10
1760
IRL
-5
-10
-15
1780
1800
1820
1840
1860
1880
-20
1900
男，频率（MHz ）z
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 500毫安， P
IN
= 25 dBm时， CW测量。
图6.增益和IRL对战信号频率
IRL ，输入
Z
RETURNZLOSS
（分贝）的ZZ
G
PS
0
QQ：2880707522 复制
