AGR18030EF
30 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18030EF是一个高电压，金金属化
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS） RF功率场效应晶体管（FET） suit-
能为全球移动通信系统
系统（GSM） ，全球演进（ EDGE）的增强型数据，
和多载波AB类功率放大器的应用
系统蒸发散。该器件采用先进的制造
国家的最先进的LDMOS工艺提供perfor-
曼斯和可靠性。它被封装在业界
标准封装，能够提供一个MIN-的
为30W imum输出功率，这使得它理想地
适用于当今的射频功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳
符号
R
JC
价值
2.0
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
符号价值
漏源电压
V
DSS
65
栅源电压
V
GS
–0.5, 15
漏电流连续
I
D
总功耗在T
C
= 25°C P
D
87.5
减免上述25
°C
—
0.5
工作结温
T
J
200
TURE
储存温度范围T
英镑
–65, 150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
图1.可用（法兰连接）套餐
特点
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 1.840 GHz的，P
OUT
= 10 W)
- 错误向量幅度（EVM） ： 1.6％
- 功率增益： 15分贝
- 漏极效率： 30 ％
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -64 dBc的。
@ ± 600千赫= -71 dBc的。
典型的连续波（ CW ）的性能比
整个数字通信系统（DCS）频段：
- P1dB为： 33 W一般（典型值） 。
- 功率增益： @的P1dB = 14分贝。
- 效率： @的P1dB = 51 ％ （典型值） 。
- 回波损耗： -12分贝。
高可靠性，金金属化工艺。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
30瓦最小输出功率。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏， 1.840千兆赫， 30瓦CW比（VSWR ）
输出功率。
可用大信号阻抗参数。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR18030EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR18030EF
30 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
= 38 A)
漏源击穿电压（V
GS
= 0 V，I
D
= 150A
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
—
—
—
—
—
—
2.4
1
50
3
—
μAdc
μAdc
S
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
门静态电压（V
DS
= 26 V，I
D
= 300 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.4 A)
表5. RF特性
参数
漏 - 栅电容
(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
功率增益
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 15 W，I
DQ
= 300 mA）的
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 100 A)
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
2.8
3.0
—
3.4
3.8
4.0
4.6
—
—
VDC
VDC
VDC
0.30
符号
动态特性
C
RSS
民
—
典型值
0.8
最大
—
单位
pF
功能测试* （在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
G
L
ˇ
—
—
15
30
—
—
dB
%
漏EF网络效率
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 15 W，I
DQ
= 300 mA）的
EDGE线性特性
(P
OUT
= 10 W， F = 1.840千兆赫，V
DS
= 26 V，I
DQ
= 300 mA）的
调制频谱@ ± 400千赫
调制频谱@ ± 600千赫
—
P1dB
IRL
—
—
输入回波损耗
输出功率
(V
DS
= 26 V ，为1 dB增益压缩，我
DQ
= 300 mA）的
—
–64
33
–71
—
—
—
—
dBc的
W
dBc的
耐用性
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 300毫安，
VSWR = 10 ： 1 [各个角度] ）
*跨全DCS频段， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的。
在产量不降低
力。
–12
dB
.
AGR18030EF
30 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图AGR18030EF
FB1
V
GG
C4
C3
Z1
RF输入
C1
R1
Z14
C6
C7
C8
C9
C10
V
DD
Z13
Z2
C2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7 2
1
3
Z8
DUT
C11
Z9
Z10
Z11
C5
Z12
RF输出
引脚： 1.漏， 2 SOURCE ， 3门
一。原理图
配件清单：
微带线： Z1 0.510英寸x 0.066英寸; 。 Z2 0.364英寸X 0.066英寸; Z3 0.151英寸X 0.066英寸; Z4 0.151英寸X 0.155英寸; Z5 0.085英寸X 0.066英寸;
Z6 0.245英寸X 0.540英寸; Z7 0.182英寸X 0.644英寸; Z8 0.052英寸X 0.390英寸; Z9 0.309英寸X 0.539英寸; Z10 0.102英寸× 0.539到0.125英寸逐渐变细。 。 。
Z11 0.454英寸X 0.125英寸; Z12 0.769英寸X 0.066英寸; Z13 0.050英寸X 0.560英寸; Z14 0.050英寸X 0.560英寸
ATC
贴片电容： C1 ， C9 ： 8.2 pF的， 100B8R2JW500X ; C2 ， C6 ： 6.8 pF的， 100B6R8JW500X 。
Vitramon
贴片电容： C3 ， C7 ： 22000 pF的。
斯普拉格
钽表面贴装片式电容器： C4 ， C10 ： 22 μF ， 35 V.
村田
贴片电容： C8 ： 0.01 μF ， GRM40X7R103K100AL 。
基美
1206贴片电容： C9 ： 0.1 μF ， C1206104K5RAC7800 。
约翰森 - GigaTrim
电容： C11 ： 0.4 PF- 2.5 pF的， 27281SL 。
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 ： 2743019447 。
电阻： R1 ： 12 。
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳的厚度，R = 3.5 。
B.组件布局
图2. AGR18030EF测试电路
AGR18030EF
30 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
U
CT
WA
R
D
0.48
IN
D
GTH
S
TO
90
170
0.0
–
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
±
180
0.0
D
＆ LT ;?
RD
L
OA
拖车
A
7
TH
S
0.4
-170
EN
G
V
EL
WA
＆ LT ;?
-90
-160
0.2
0.49
0.1
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
AN
PT
CE
US
ES
0.6
-85
-80
V
TI
UC
4
0.0
0
15
-
6
0.4
0.3
IN
D
-75
R
O
),
Zo
5
5
0.0
-70
44
0.
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
0.9
1.0
1.2
55
-
-5
0
5
-4
千兆赫（ F）
1.805 (f1)
1.843 (f2)
1.880 (f3)
Z
S
Z
L
（复
信号源阻抗） （复杂最佳负载阻抗）
1.67 – j6.77
5.57 – j8.18
1.64 – j6.41
5.19 – j7.83
1.58 – j6.15
4.86 – j7.58
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
0.35
0.36
0.14
0.37
0.13
0.12
0.38
0.39
0.4
Z
0
= 4
32
0.
1
0.
1.8
0
-5
-25
0
2.
8
0.3
0.1
3
7
-30
-60
0.3
0.1
4
6
-3
5
-70
0.15
-4
0
-80
0.4
0.2
-90
0.11
-100
CA
P
AC
I
TI
0.1
-110
VE
RE
AC
TA
NC
EC
OM
0.0
0.4
9
1
0.4
2
-12
0.08
0
PO
N
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
f3
Z
S
X/
f1
0
-15
4.0
f3
5.0
1.
0.2
f1
0
-10
0.
8
Z
L
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
10
-20
3.
0
1.
0
0.8
0.
8
0.6
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
L
E
OF
昂
0.6
0.4
10
0.1
-1
20
0.2
0.2
0.3
-4
0
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
19
0.
31
0.
07
30
0.
43
AGR18030EF
30 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
（续）
60
60
50
50
排水 FFI效率（ ％ ）
40
P
OUT
(W)
P
OUT
40
30
30
20
20
10
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
P
IN
(W)
2.0
2.5
3.0
3.5
0
测试条件：
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 300 mA时， F = 1842.5兆赫， CW测量。
图4.输出功率和效率与输入功率
17
16
15
14
G
PS
（分贝）z
13
12
11
10
9
8
I
DQ
= 400毫安
I
DQ
= 350毫安
I
DQ
= 300毫安
I
DQ
= 250毫安
I
DQ
= 200毫安
0.0
0.1
1.0
P
OUT
（W ）z
10.0
100.0
1000.0
测试条件：
V
DD
= 26 V ， F = 1842.5兆赫， CW测量。
图5. CW功率增益与输出功率
QQ：2881677436 复制
