【AGR09180EF180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET介绍该】,IC型号AGR09180EF,AGR09180EF PDF资料,AGR09180EF经销商,ic,电子元器件-51电子网

AGR09180EF

180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

介绍

该AGR09180EF是高电压，金 - 金属化，

横向扩散金属氧化物半导体

（ LDMOS ） RF功率适用于蜂窝晶体管

带，码分多址（CDMA ），全球

系统，用于移动通信系统（GSM ），增强型

全球演进技术（EDGE ），和时分数据

多址（ TDMA ），单载波与多级

AB无线基站放大器应用。这

设备采用先进的LDMOS制造

技术，提供先进设备，最先进的性能，

可靠性和耐热性。包装在

行业标准的可交付物的钨铜包

荷兰国际集团的180 W上的最小输出功率，它是理想的

适用于当今的射频功率放大器应用。

表1.热特性

参数

热阻，

结到外壳

符号

价值

0.35

单位

° C / W

表2.绝对最大额定值*

参数

符号价值单位

漏源电压

DSS

VDC

栅源电压

-0.5 ， + 15VDC

总功耗在T

= 25°C P

500

减免上述25

ˇC

—

2.86 W / ℃，

工作结温

200

°C

TURE

存储温度范围

英镑

–65, +150 °C

*超过绝对最大额定值的应力可能会导致

永久损坏设备。这些都是绝对压力额定

英格斯只。该设备的功能操作不暗示

在过量的这些或任何其他状况，在给定的

该数据表的操作部分。暴露在绝对

长时间最大额定值可能产生不利影响

器件的可靠性。

表3. ESD额定值*

AGR09180EF

HBM

清洁发展机制

最小值（V）的

500

1000

类

图1. AGR09180EF （法兰连接）套餐

特点

典型表现评级是IS- 95 CDMA ，

试点，同步，寻呼，业务代码8-13 ：

- 输出功率（P

OUT

): 38 W.

- 功率增益： 18.25分贝。

- 效率： 27 ％。

- 相邻信道功率比（ ACPR ）

30 kHz的带宽（BW）：

（ 750 kHz偏置： -45 dBc的）

（ 1.98 MHz偏移： -60 dBc的）。

- 输入回波损耗10分贝。

高可靠性，金metalization过程。

高增益，效率和线性度。

集成的ESD保护。

硅LDMOS 。

工业标准封装。

180W的最小输出功率。

*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有

被设计到这个设备，适当的预防措施必须是

注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）

在所有的处理，装配和测试操作。

PEAK器件

杰尔

采用人体模型（ HBM ），机器模型（ MM ）

并在充电装置模型（CDM）的资格要求

为了确定静电敏感性的限制和保护

设计评估。静电放电电压阈值依赖于

用在每个模型电路参数，由定义

JEDEC的JESD22- A114B （HBM）， JESD22- A115A （ MM）和

JESD22- C101A （CDM）的标准。

注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏

trostatic费。在han-合理的预防措施

危及周围和包装MOS器件应

观察到。

AGR09180EF

180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

电气特性

推荐工作条件适用，除非另有规定：T已

= 30 °C.

表4.直流特性

(Measurements made on ½ of device)

参数

开关特性

300

漏源击穿电压（V

= 0, I

400

零栅极电压漏极漏电流（V

= 28 V, V

= 0 V)

基本特征

正向跨导（V

= 10 V，I

= 1.0 A)

栅极阈值电压（V

= 10 V，I

= 600 A)

漏源电压（V

= 10 V，I

= 1.0 A)

表5. RF特性

参数

输出电容

= 28伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

反向传输电容

= 28伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

符号

OSS

民

—

典型值

2.4

最大

—

单位

门静态电压（V

= 28 V，I

= 2× 850毫安）

GS （ TH）

DS （ ON）

GS （ Q）

—

3.8

—

4.8

—

VDC

门源漏电流（V

= 5 V, V

= 0 V)

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

民

—

典型值

—

最大

—

单位

VDC

—

200

μAdc

0.06

动态特性

(Measurements made on ½ of device)

RSS

线性功率增益

= 28 V ，P

OUT

= 38 W，I

= 2× 850毫安）

功能测试

（在提供的测试治具）

杰尔系统提供的测试治具）

（测试频率（ F） = 865兆赫， 880兆赫， 895兆赫）

17.5

180

—

IMD

VSWR

—

18.25

210

–30

2:1

—

dBc的

—

漏EF网络效率

= 28 V ，P

OUT

= P

1dB

, I

= 2× 850毫安）

输出功率

= 28 V ， 1 dB压缩，我

= 2× 850毫安）

1dB

耐用性

= 28 V ，P

OUT

= 180瓦，我

= 2× 850毫安， F = 880 MHz时，

驻波比= 10 ：1，所有的角度）

输入VSWR

三阶互调失真

（ 100 kHz间隔，V

= 28 V ，P

OUT

= 180 WPEP ，

= 2× 850毫安）

没有退化的输出功率。

AGR09180EF

180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

测试电路插图

FB1

Z11

C18

Z7 Z9

C28

Z29

C24

C23 C22

Z17 Z19

C20

Z21

C45

Z23

DUT

Z22

C51

Z28

C29

C30

C31

C32

C49

C44

Z33

Z35

Z38

RF输出

C33

C34

COAX2

C35

C1 C2 C3

RF输入

C4 C5

C6 C7

Z13 Z15

Z27

Z25

C46

Z24

Z26

Z31

C19

COAX1

C17

C21

Z37

C47

C48

Z20

Z12 Z14

Z16 Z18

C26

Z30

FB2

Z32

C50

Z34

Z36

C27

C25

引脚：

1A 。排水

1B 。排水

2A 。门

2B 。门

3.源

C52

Z10

C14

C15

C16

C10

C11

C12

C13

C36

C37

C38

C39

C40

C41

C42

C43

一。原理图

配件清单：

基美

1206尺寸片式电容器：

C3，C4， C11，C12 ，C32 ， C40 ： 0.1 F ，

C1206C104KRAC7800.

村田

0805: C5, C13, C31, C39:

0.01 μF ， GRM40X7R103K100AL 。

斯普拉格

片式钽电容， 35 V ：

C1, C2, C9, C10, C33, C34, C41, C42:

10 μF ; C35 ， C43 ： 22 μF 。

约翰森千兆微调

可变电容

器， 27291SL ： C19 ， C48 ： 0.8 PF- 8.0 pF的。

ATC

片状电容器： C7 ，C15， C20 ，C22

C25 ， C29 ， C37 ， C47 ： 10 pF的， 100B100JW ;

C8, C16, C17, C18, C28, C36, C49, C50:

47 pF的， 100B470JW ;

C21 ： 3.9 pF的， 100B3R9BW ;

C23 ， C26 ： 6.8 pF的， 100B6R8BW ;

C24 ， C27 ： 4.7 pF的， 100B4R7BW ;

C44 ， C51 ： 12 pF的100B120JW ;

C45 ， C52 ： 2.0 pF的， 100B2R0BW ;

C46 ： 5.6 pF的100B5R6BW 。

0603尺寸片式电容器：

C6 ， C14 ， C30 ， C38 ： 220 pF的。

UT- 141A ： COAX1 ， COAX2 ： 50 ，半刚性

同轴电缆。

Kreger

铁氧体磁珠： FB1 ， FB2 ：

2743D19447.

Taconic的

ORCER RF - 35 ：板材料，

1盎司铜， 30密耳厚， R = 2.55 。

微带线： Z1 ， Z38 0.572英寸x 0.084英寸; 。 Z2 ， Z4 ， Z36 ， Z37 1.834英寸X 0.084英寸; Z3 ， Z5 ， Z34 ， Z35 0.106英寸X 0.110英寸;

Z6 ， Z7 0.0785英寸X 0.110英寸; Z8 ， Z9 0.782英寸X 0.110英寸; Z10 ， Z11 1.182英寸X 0.060英寸; Z12 ， Z13 0.128英寸X 0.700英寸;

Z14 ， Z15 0.209英寸X 0.700英寸; Z16 ， Z17 ， Z18 ， Z19 ， Z24 ， Z25 0.100英寸X 0.700英寸; Z20 ， Z21 ， Z26 ， Z27 0.050英寸X 0.700英寸;

Z22 ， Z23 0.498英寸X 0.700英寸; Z28 ， Z29 1.715英寸X 0.065英寸; Z30 ， Z31 0.651英寸X 0.110英寸; Z32 ， Z33 0.100英寸X 0.110英寸

1206尺寸片式电阻器， 0.25 W： R1 ， R2 ： 51 ， RM73B2B510J ; R3 ， R4 ： 56 K， RM73B2B563J ; R5，R6 ：12， RM73B2B120J ;

R7 ， R8 ： 1.2 K， RM73B2B122J 。

B.组件布局

图2.测试电路

AGR 09180 EF

180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

典型性能特性

0.11

0.12

0.38

0.13

0.37

0.14

0.36

0.1

0.0

0.4

110

0.39

100

0.9

1.0

0.15

0.35

0.6

0.4

0.0

0.4

0.7

)

（ + JB

0.2

0.4

0.0

＆ GT ;

GTH

拖车

0.0

0.49

根

＆ LT ;

ERA

0.48

180

HST

170

-17

0.4

＆ GT ;

0.0

160

-90

-1

0.4

-85

0.6

0.8

0.6

0.2

0.3

0.4

0.5

0.7

0.8

1.2

1.4

1.8

0.1

0.9

1.0

电阻元件（ R /莫宁），或电导成分（G /呦）

0.2

0.49

0.1

0.4

JB /

兆赫（ F）

(f1)

(f2)

(f3)

（复

信号源阻抗）（复杂最佳负载阻抗）

0.7 – j1.46

3.32 + j2.44

0.7 – j1.54

3.34 + j2.36

0.7 – j1.64

3.38 + j2.28

注意：

测量排水地漏和栅栅，分别。

漏（1）

门（2）

SOURCE （ 3 ）

输入匹配

DUT

输出匹配

图3.系列等效输入和输出阻抗

0.2

0.48

0.6

1.6

2.0

0.6

0.4

= 7

香港专业教育学院

1.4

0.2

0.0

0.8

1.2

0.4

0.3

0.2

0.1

AGR09180EF

180 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET

典型性能特性

（续）

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-65

-70

-75

-80

ACPR （ dBc的）z

ACP +

ACP-

ACP1+

ACP1-

OUT

（W）的ZZ

测试条件：

= 28伏直流，我

= 1700毫安，T

= 30 ° C， IS- 95 CDMA导频，寻呼，同步，交通码8-13 ，

频率为880兆赫， OFFSET 1 = 750 kHz时， 30 kHz的带宽，偏移2 = 1.98 MHz时， 30 kHz的带宽。

图4. ACPR与P

OUT

功率增益（分贝）z

860

回波损耗

功率增益

OUT

= 38 W

0.0

-2.0

-6.0

-8.0

-10.0

-12.0

-14.0

-16.0

-18.0

-20.0

900

输入回波损耗（分贝）z

-4.0

OUT

= 220 W

865

870

875

880

885

890

895

频率（MHz ）z

测试条件：

= 28伏直流，我

= 1700毫安，T

= 30 ° C，波形= CW 。

图5.功率增益和回波损耗与频率的关系