AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR09085E是一个高电压，横向扩散
金属氧化物半导体（ LDMOS）射频功率管
体管适合于蜂窝频带，码分多
址（CDMA ） ，移动通信全球系统
阳离子（GSM），增强型数据全球演进
（ EDGE）和时分多址（TDMA）
单，多载波AB类无线基站
放大器应用。此设备被制造
采用先进的LDMOS技术提供语句
的先进性能，可靠性和最佳的一流的
热阻。包装在一个行业标
准收纳包内部匹配和
能够传送的最小输出功率的
85 W，它非常适合于当今的射频功率扩增
费里的应用程序。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR09085EU
AGR09085EF
符号
价值
单位
R
JC
0.7
0.7
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09085EU
AGR09085EF
减免上述25℃ ：
AGR09085EU
AGR09085EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, 15
I
D
8.5
P
D
250
250
1.43
1.43
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
YLE 1
T
J
06 ，风格1
AGR09085EU （无凸缘）
AGR09085EF （法兰连接）
T
英镑
–65, 150
图1.可用的软件包
特点
典型表现评级是IS- 95 CDMA ，
试点，同步，寻呼和业务守则8-13 ：
- 输出功率（P
OUT
): 20 W.
- 功率增益：18分贝。
- 效率： 28 ％ 。
- 相邻信道功率比（ ACPR ）
30 kHz的带宽（BW） ：
（ 750 kHz偏置： -45 dBc的） 。
1.98 MHz偏移： -60 dBc的） 。
- 回波损耗10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
最好的一流的热阻。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
硅LDMOS 。
工业标准封装。
85 W最小输出功率。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09085E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
300
A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
DQ
= 800 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
输出电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
OSS
C
RSS
—
—
48
2.3
—
—
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
G
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
—
—
6
—
3.6
0.12
—
4.8
—
—
S
VDC
VDC
VDC
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
民
65
—
—
典型值
—
—
—
最大
—
2.6
100
8
单位
VDC
μAdc
μAdc
功能测试
（在提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
（测试频率（ F） = 865兆赫， 880兆赫， 895兆赫）
线性功率增益
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 8 W，I
DQ
= 800 mA）的
输出功率
(V
DS
= 28 V ， 1 dB压缩，我
DQ
= 800 mA）的
漏EF网络效率
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= P
1dB
, I
DQ
= 800 mA）的
三阶互调失真
（ 100 kHz间隔，V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 90 WPEP ，我
DQ
= 800 mA）的
输入VSWR
耐用性
(V
DS
= 28 V ，P
OUT
= 85 W，I
DQ
= 800 mA时， F = 880 MHz时，
驻波比= 10 ：1，所有的角度）
IM3
VSWR
I
—
G
L
P
1dB
17
85
—
—
—
18
105
55
30
2:1
—
—
—
—
—
dB
W
%
dBc的
—
在产量不降低
力。
AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
测试电路插图AGR09085E
V
GG
R4
C25
C24
R3
FB1
C23
C12 C11
R2
C10
C9
C8
Z17
Z11
R1
C15
C13 C14
RF输出
Z12
Z13
Z14 Z15 C16
Z16
C17 C18 C19 C20 C21 C22
C27
V
DD
Z1
RF输入
C1
Z2
C2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
Z9
2
1
DUT
3
引脚：
1.漏
2.门
3.源
C3
C4
C7
C5
C6
一。原理图
2
3
1
配件清单：
微带线： Z1 0.834英寸x 0.066英寸; 。 Z2 0.665英寸X 0.066英寸; Z3 0.290英寸X 0.066英寸; Z4 0.050英寸X 0.180英寸; Z5 0.650英寸X 0.180英寸;
Z6 0.050英寸X 0.800英寸; Z7 0.132英寸X 0.800英寸; Z8 0.105英寸X 0.800英寸; Z9 0.057英寸X 0.800英寸; Z10 0.543英寸X 0.700英寸;
Z11 0.108英寸X 0.700英寸; Z12 0.760英寸X 0.180英寸; Z13 0.200英寸X 0.180英寸; Z14 0.470英寸X 0.066英寸; Z15 0.495英寸X 0.066英寸;
Z16 1.100英寸X 0.050英寸; Z17 1.100英寸X 0.050英寸
ATC
片状电容器： C 1 ， C 8 ， C 16 ， C 17 ： 47 pF的100B470JW ; C3 2.7 pF的100B2R7BW ; C 4， C 13 ， C 14 ： 12 pF的100B120JW ;
C5，C6， C9， C18： 10 pF的100B100JW ; C7 5.6 pF的100B5R6BW 。
0603贴片电容： C10 ， C19 ： 220 pF的。
基美
贴片电容： C11 ， C26 ： 0.01 μF C1206C103KRAC7800 ; C12 ， C20 ， C23 ： 0.1 μF C1206C104KRAC7800 。
约翰森千兆微调
可变电容器， 27291SL ： C 2， C15： 0.8 pF至8 pF的。
斯普拉格
片式钽电容： C21 ， C24 ， C25 ， C27 ： 10 μF ， 35 V ; C22 22 μF ， 35 V.
1206尺寸片式电阻器（ 0.25 W） ： R1 （固定电影RM73B2B510J ） 51 ; R2 ， （固定电影RM73B2B563J ） 56 K表;
R3 （固定电影RM73B2B120J ） 12 ; R4 （固定电影RM73B2B122J ） 1.2 。
Kreger
铁氧体磁珠： FB1 2743D19447 。
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳的厚度，R = 3.5 。
B.组件布局
图2. AGR09085E测试电路
AGR 09085 ê
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
0.11
0.12
0.38
0.13
0.37
0.14
0.36
0.1
0.39
0.9
1.0
0.6
60
0.4
0
12
07
0.
5
65
0.
43
0.
0
13
70
0.0
5
0.4
5
75
EN
T
(+
j
X/
Z
,O
o)
R
IT
AC
AP
C
0.
IV
0.
44
06
TA
EP
SC
SU
E
E
(+
NC
0.7
2
哟）
JB /
0.2
14
0.4
0
0. 0
4
6
15
0
CE
CO
M
0.4
PO
N
0.6
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
S
拖车
A
RD
0.0
0.49
根
ERA
0.48
±
180
TO
170
R
0.4
＆ GT ;
7
160
90
80
0.8
RE
AC
TA
N
1.
0
85
U
CT
香港专业教育学院
IN
D
0.1
0.9
1.0
1.2
0.2
0.5
0.6
0.7
0.8
1.4
1.8
0.3
0.4
Z
0
= 5
Ω
L
OA
D
＆ LT ;
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
0.2
0.49
D
OW
A
R
HST
70
N
GT
-1
E
V
EL
WA
160
-90
-
0.1
f1
o)
JB /
Y
E
(-
NC
0.4
0.48
-85
f3
Z
S
0.6
0.
8
1.
0
0.2
兆赫（ F）
865 (f1)
880 (f2)
895 (f3)
Z
L
Ω
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
（复
最佳负载阻抗）
0.35 – j0.73
1.66 + j1.22
0.35 – j0.77
1.67 + j1.18
0.33 – j0.82
1.69 + j1.14
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
TA
7
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
1.6
杰尔系统公司
2.0
0.4
f3
0.6
Z
L
0.
8
f1
0
1.
1.4
0.2
0.0
0.8
8
1.2
55
9
0.0
1
0.4
0.4
110
100
50
90
0.15
0.35
80
40
45
70
35
0.
4
0.3
0.2
0.1
AGR09085E
85 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
（续）
0
-10
-20
ACPR （ DBC）
S
-30
ACP +
-40
-50
-60
-70
0.00
ALT1+
ALT-
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
ACP-
P
OUT
（W ）S
测试条件：
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 0.8 A，T
C
= 30 °C.
频率为880 MHz的; IS- 95 CDMA导频，寻呼，同步，交通码8到13 ; OFFSET 1 = 750 kHz的;
偏移2 = 1.98 MHz的; OFFSET 1和2 BW = 30 kHz的。
图4. ACPR与P
OUT
19
18
0
功率增益（ dB）的
a
17
16
15
14
13
12
11
10
860
功率增益
P
OUT
= 100 W
P
OUT
= 10 W
-4
-6
-8
回波损耗
-10
-12
-14
-16
865
870
875
880
885
890
895
-18
900
频率（MHz ）一个
测试条件：
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 0.8 A，T
C
= 30 ° C，波形= CW 。
图5.功率增益和回波损耗与频率的关系
输入回波损耗（dB ）
-2
QQ：2880707522 复制
