AGR09070EF
介绍
70 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR09070EF
符号
价值
单位
该AGR09070EF是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ） RF功率适用于全球系晶体管
统为移动通信系统（GSM ），增强型
全球演进技术（EDGE ） ，和多载波数据
AB类功率放大器的应用。该装置是
采用先进的LDMOS工艺制造，
提供先进设备，最先进的性能和可靠性。
包装在一个工业标准封装，
能够传送的最小输出功率的
70 W，它非常适合于当今的无线基站
台RF功率放大器应用。
R
JC
0.80
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09070EF
减免上述25℃ ：
AGR09070EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, +15
I
D
8.5
P
D
—
T
J
219
1.25
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
T
英镑
–65, +150 °C
图1. AGR09070EF （法兰连接）套餐
特点
对于GSM EDGE的典型表现评级
（ F = 941兆赫，P
OUT
= 21 W):
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -60 dBc的。
@ ± 600千赫= -72 dBc的。
典型的表现在整个GSM频段：
— P
1dB
85 W典型。
- 功率增益： @ P
1dB
= 18.25分贝。
- 效率@ P
1dB
= 56 ％ （典型值） 。
- 回波损耗： -12分贝。
高可靠性，金metalization过程。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
70瓦最小输出功率。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09070EF
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
AGR09070EF
70 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
300
A)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 A)
门静态电压（V
DS
= 26 V，I
DQ
= 800 mA）的
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
反向电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功率增益
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 70瓦，我
DQ
= 800 mA）的
漏EF网络效率
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= P
1dB
, I
DQ
= 800 mA）的
EDGE线性特性
2
(P
OUT
= 21 W， F = 941兆赫，V
DS
= 26 V，I
DQ
= 800 mA）的
调制频谱@ ± 400千赫
调制频谱@ ± 600千赫
输出功率
(V
DS
= 26 V ，为1 dB增益压缩，我
DQ
= 800 mA）的
输入VSWR
耐用性
(V
DS
= 26 V ，P
OUT
= 70瓦，我
DQ
= 800毫安， VSWR = 10 ： 1 ，各个角度）
1.在整个GSM全频段， 921兆赫， 960兆赫。
2，根据3GPP的GSM 05.05测定。
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
民
65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
6
—
3.6
0.12
最大
—
2.6
100
8
—
4.8
—
—
单位
VDC
μAdc
μAdc
S
VDC
VDC
VDC
符号
C
RSS
C
OSS
民
—
—
典型值
2.3
48
最大
—
—
单位
pF
pF
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
1
G
L
17
50
18.25
56
—
—
dB
%
—
—
P
1dB
VSWR
I
—
—
70
—
–60
–72
85
1:6
—
—
—
—
dBc的
dBc的
W
—
在产量不降低
力。
AGR09070EF
70 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
测试电路插图AGR09070EF
Z15
V
GG
FB1
V
DD
C16 C17 C18 C19 C20
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
C15 Z14
RF输出
C10
C9
C8
C7
C6
R1
Z8
C11 C12
C13
C14
Z1
RF输入
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
C3
Z6
Z7
2
1
DUT
3
引脚：
1.漏
2.门
3.源
C2
C4
C5
一。原理图
配件清单：
微带线： Z1 0.431英寸x 0.066英寸; 。 Z2 0.327英寸X 0.066英寸; Z3 0.214英寸X 0.066英寸; Z4 0.285英寸X 0.100英寸; Z5 0.510英寸X 0.530英寸;
Z6 0.107英寸X 0.530英寸; Z7 0.058英寸X 0.530英寸; Z8 0.455英寸X 0.530英寸; Z9 0.132英寸X 0.530英寸; Z10 0.070英寸X 0.530英寸;
Z11 0.535英寸X 0.100英寸; Z12 0.181英寸X 0.100英寸; Z13 0.245英寸X 0.066英寸; Z14 0.315英寸X 0.066英寸; Z15 1.700英寸X 0.050英寸
ATC
片状电容器：C1 ，C6， C15， C16： 47 pF的100B470JW500X ; C2 ， 2.2 pF的100B1R2JW500X ; C4，C5， C11，C12 ： 12 pF的100B120JW500X ;
C7 ， 22 pF的100B220JW500X ; C13 ， 2.7 pF的100B2R7BW500X ; C17 ， 10 pF的100B100JW500X 。
斯普拉格
钽表面贴装片式电容： C10 ， C20 10 μF ， 35 V.
基美
1206尺寸片式电容器： C9 ， C19 ： 0.1 μF C1206104K5RAC7800 。
村田
0805尺寸的片式电容器： C8 ， C18 ： 0.01 μF GRM40X7R103K100AL 。
约翰森千兆微调
可变电容器： C3 ， C14 ： 0.8 pF至8.0 pF的27271SL 。
1206尺寸片式电阻：R 51 。
商Fair-Rite
铁氧体磁珠： FB1 2743019447 。
Taconic的
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳的厚度，R = 3.5 。
B.组件布局
图2. AGR09070EF测试电路
AGR09070EF
70 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
初步数据表
2003年11月
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.48
IN
D
90
0.0
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
0.4
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
4
0.0
0
-15
-80
V
TI
UC
0.4
0.3
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
50
5
-4
-
兆赫（ F）
921 (f1)
940
960 (f3)
Z
S
（复
源阻抗）
0.530 – j1.527
0.547 – j1.394
0.508 – j1.240
门（2）
Z
S
Z
L
（复
最佳负载阻抗）
1.774 + j0.257
1.640 + j0.275
1.457 + j0.351
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
杰尔系统公司
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
44
0.
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
E
C
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
-1
0.
0.4
40
4
X/
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
Z
0
= 4
-75
0.6
Z
S
6
R
IN
D
-15
4.0
0.8
f3
f1
U
E
S
5.0
0.2
0
-10
0.
8
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
Z
L
5.0
10
20
50
20
10
1.
0
0.2
f3
f1
0.
8
0.6
0.4
10
0.1
-1
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
20
L
E
OF
昂
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.3
0.2
-4
0
0.
19
0.
31
0.
07
30
0.
4
3
AGR09070EF
70 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
（续）
20.0
AGR09070EF ; V
DD
= 26 V ;频率= 940.5兆赫
典型数据
19.5
I
DQ
=千毫安
I
DQ
= 1100毫安
功率增益（分贝）z
19.0
18.5
18.0
I
DQ
= 900毫安
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 700毫安
17.5
17.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
55 60
P
OUT
（W ）z
50
65
70
75
80
85
90
95 100 105
图4.功率增益与P
OUT
AGR09070EF ;频率= 940.5兆赫
V
DD
= 26 V ;我
DQ
= 800毫安
典型数据
-30
-40
调制频谱（ DBC）
-50
EDGE格式： 3GPP GSM 05.05
RES BW ： 30千赫
视频BW ： 300赫兹
± 400千赫
-60
-70
-80
= 600千赫
-90
-100
30
31
32
33
34
35
36
38
39
P
OUT
（DBM ）z
37
40
41
42
43
44
45
图5.调制频谱与P
OUT
QQ：2880707522 复制
