【50W高线性低噪声宽带增益模块数据表 - 版本2.0AGB3303特点DC -4500 MHz工作带】,IC型号AGB3303,AGB3303 PDF资料,AGB3303经销商,ic,电子元器件-51电子网

50W高线性低噪声

宽带增益模块

数据表 - 版本2.0

AGB3303

特点

DC -4500 MHz工作带宽

+39 dBm的输出IP3为850 MHz的

4分贝噪声系数在850兆赫

21分贝增益在850 MHz的

+19 dBm的P1dB为

SOT- 89封装

单+7.5 V至+12 V电源

外壳温度： -40至+85°C

应用

蜂窝基站用于W- CDMA ，CDMA

TDMA ， GSM ， PCS和CDPD系统

无线固话

MMDS / WLL

WLAN ， HyperLAN

S24套餐

SOT-89

该AGB3303是一系列的高性能1

的InGaP HBT放大器设计用于使用

要求高线性，低噪声的应用，并

低失真。无需外部匹配元件

需要用于插入一个50W的系统。有

高输出IP3 ，低噪声系数和宽带

产品说明

操作中， AGB3303是理想的无线

基础设施应用，如蜂窝基站

站， MMDS和WLL 。提供以低成本

SOT- 89表面贴装封装， AGB3303

需要一个单一的电源电压，并且通常

消耗0.6瓦用+8 V供电。

RF输入

RF输出

/偏置

图1 ：框图

10/2003

AGB3303

GND

OUT

图2 ：接脚分布（透视顶视图）

表1 ：引脚说明

针

AME

GND

OUT

GND

ESC IPTION

RF输入

地

RF输出/碧如

地

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

电气特性

表2 ：绝对最小和最大额定值

PAR AMETER

EVI CE电压（V

)

RF输入功率（P

)

存储温度（T

英镑

)

Juncti的温度

民

-40

最大

+10

+150

+200

加利IT

分贝米

°C

过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的

损害。功能操作并不在这些条件下暗示。

暴露在绝对额定值的时间过长，则可能

产生不利影响的可靠性。

表3 ：工作范围

PAR AMETER

操作，实际NG频率（f ）

(1)

电源电压（V

供应

)

(2)

ASE温度（T

)

民

-40

典型值

最大

4500

+85

加利IT

兆赫

°C

该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数

性能仅通过在电气定义的条件保证

特定连接的阳离子。

注意事项：

（1 ）操作频率是由具有驻波比小于输出回波损耗（S22 ）中所定义

比为2：1 。

（2）施加电压，通过一个偏置电阻器和电感器。请参考图3，对于其它

电源电压，请参阅应用信息部分。

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

表4 ：电气规格

= +25

C，V

供应

= 8 VDC ， 50W的系统）

PAR AMETER

盖N（S

)

850

1950

2140

2450

(1)

民

兆赫

19.0

+35.5

典型值

20.8

18.6

18.2

17.6

+39.4

+40.2

+41.2

+40.0

最大

21.5

加利IT

输出IP3

850

1950

2140

2450

分贝米

输出1分贝 ompressi （ P1dB为）

850兆赫

1950年兆赫

降噪器连接gure

850兆赫

+19

4.0

140

5.5

分贝米

° C / W

热RESI立场（

)

(2)

供应C光凭目前（我

C C

)

注意事项：

（ 1 ） OIP3是测量两个音，在1 MHz的间距在0 dBm输出功率

每个音。

（2）对于热电阻的值是基于一个器件电压（V

）的

+5.0伏。

上测定ANADIGICS测试夹具3.性能（参见图3）。

供应

绕行

RF扼流圈

100 nH的

0.01

100 pF的

10 pF的

DC座

输入

0.01

AGB3303

DC座

产量

0.01

图3 ：应用电路（ 50W终端）

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

性能数据

图4 ：增益与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 ° C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

图5 ：隔离与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

-10

MAG S12 ：隔离度（dB ）

磁S21 ：增益（ dB）的

-20

-30

-40

-50

频率（GHz ）

图6 ：输入回波损耗与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

MAG S22 ：输出回波损耗（dB ）

图7 ：输出回波损耗与频率

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

MAG S11 ：输入回波损耗（dB ）

-10

-20

-30

-40

-50

频率（GHz ）

数据表 - 版本2.0

10/2003

50W高线性低噪声

宽带增益模块

数据表 - 版本2.0

AGB3303

特点

DC -4500 MHz工作带宽

+39 dBm的输出IP3为850 MHz的

4分贝噪声系数在850兆赫

21分贝增益在850 MHz的

+19 dBm的P1dB为

SOT- 89封装

单+7.5 V至+12 V电源

外壳温度： -40至+85°C

应用

蜂窝基站用于W- CDMA ，CDMA

TDMA ， GSM ， PCS和CDPD系统

无线固话

MMDS / WLL

WLAN ， HyperLAN

S24套餐

SOT-89

该AGB3303是一系列的高性能1

的InGaP HBT放大器设计用于使用

要求高线性，低噪声的应用，并

低失真。无需外部匹配元件

需要用于插入一个50W的系统。有

高输出IP3 ，低噪声系数和宽带

产品说明

操作中， AGB3303是理想的无线

基础设施应用，如蜂窝基站

站， MMDS和WLL 。提供以低成本

SOT- 89表面贴装封装， AGB3303

需要一个单一的电源电压，并且通常

消耗0.6瓦用+8 V供电。

RF输入

RF输出

/偏置

图1 ：框图

10/2003

AGB3303

GND

OUT

图2 ：接脚分布（透视顶视图）

表1 ：引脚说明

针

AME

GND

OUT

GND

ESC IPTION

RF输入

地

RF输出/碧如

地

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

电气特性

表2 ：绝对最小和最大额定值

PAR AMETER

EVI CE电压（V

)

RF输入功率（P

)

存储温度（T

英镑

)

Juncti的温度

民

-40

最大

+10

+150

+200

加利IT

分贝米

°C

过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的

损害。功能操作并不在这些条件下暗示。

暴露在绝对额定值的时间过长，则可能

产生不利影响的可靠性。

表3 ：工作范围

PAR AMETER

操作，实际NG频率（f ）

(1)

电源电压（V

供应

)

(2)

ASE温度（T

)

民

-40

典型值

最大

4500

+85

加利IT

兆赫

°C

该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数

性能仅通过在电气定义的条件保证

特定连接的阳离子。

注意事项：

（1 ）操作频率是由具有驻波比小于输出回波损耗（S22 ）中所定义

比为2：1 。

（2）施加电压，通过一个偏置电阻器和电感器。请参考图3，对于其它

电源电压，请参阅应用信息部分。

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

表4 ：电气规格

= +25

C，V

供应

= 8 VDC ， 50W的系统）

PAR AMETER

盖N（S

)

850

1950

2140

2450

(1)

民

兆赫

19.0

+35.5

典型值

20.8

18.6

18.2

17.6

+39.4

+40.2

+41.2

+40.0

最大

21.5

加利IT

输出IP3

850

1950

2140

2450

分贝米

输出1分贝 ompressi （ P1dB为）

850兆赫

1950年兆赫

降噪器连接gure

850兆赫

+19

4.0

140

5.5

分贝米

° C / W

热RESI立场（

)

(2)

供应C光凭目前（我

C C

)

注意事项：

（ 1 ） OIP3是测量两个音，在1 MHz的间距在0 dBm输出功率

每个音。

（2）对于热电阻的值是基于一个器件电压（V

）的

+5.0伏。

上测定ANADIGICS测试夹具3.性能（参见图3）。

供应

绕行

RF扼流圈

100 nH的

0.01

100 pF的

10 pF的

DC座

输入

0.01

AGB3303

DC座

产量

0.01

图3 ：应用电路（ 50W终端）

数据表 - 版本2.0

10/2003

AGB3303

性能数据

图4 ：增益与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 ° C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

图5 ：隔离与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

-10

MAG S12 ：隔离度（dB ）

磁S21 ：增益（ dB）的

-20

-30

-40

-50

频率（GHz ）

图6 ：输入回波损耗与频率的关系

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

MAG S22 ：输出回波损耗（dB ）

图7 ：输出回波损耗与频率

德嵌入式50

S参数

= +25 C，V

= +5.0 V，I

= 80 mA）的

MAG S11 ：输入回波损耗（dB ）

-10

-20

-30

-40

-50

频率（GHz ）

数据表 - 版本2.0

10/2003