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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1508页 > AG503-86
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+16 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
20分贝增益在900 MHz的
单电源供电
绿色SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
产品说明
该AG503-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG503-86通常提供
20分贝增益, 29 dBm的OIP3和+16 dBm的P1dB的。该
设备结合了可靠的性能一致
质量保持MTTF值超过百年的
对85安装温度
°C
&是采用SOT -86
(微型X)行业标准的SMT无铅/绿色/ RoHS-
标准的封装。
该AG503-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
并且只需要隔直电容,偏置电阻,
和一个电感的RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG503-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
DC
典型值
900
15.6
20
18
+25.9
+37
+13.5
3.2
1900
14.3
+25.0
+12.2
5.0
45
最大
6000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
16.0
-19
-21
+13.3
+26.4
3.2
典型
900
15.6
-20
-18
+13.5
+25.9
3.2
1900
14.3
-21
-13
+12.2
+25.0
3.4
2140
14.0
-25
-12
+11.7
+24.3
3.4
13.3
15.3
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
订购信息
产品型号
AG503-86*
AG503-86G
AG503-86PCB
等级
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
描述
的InGaP HBT增益模块
(铅 - 锡SOT- 86 PKG )
的InGaP HBT增益模块
(无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 86 PKG )
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害
*这个包是被淘汰有利于绿色包装类型是为了向后兼容
现有的设计。请参阅产品更改通知WJPCN06MAY05TC1的WJ网站上。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 1 2005年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
, I
cc
= 45毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.0
-20
-18
+16.2
+28.9
2.9
500
20.8
-20
-21
+16.0
+28.9
2.9
900
20.2
-20
-20
+15.9
+28.8
2.9
1900
17.8
-18
-15
+14.6
+27.8
3.1
2140
17.6
-18
-13
+14.3
+27.4
3.1
2400
17.2
-18
-13
+14.0
+27.0
3.2
3500
15.3
-20
-16
+11.0
+24.4
5800
11.8
-20
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V,器件电压= 6.0 V, Rbias两端= 22.1
,
ICC = 45 mA典型, 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
回波损耗
0
-10
-20
-30
S11
S22
器件电流(mA )
的I-V曲线
80
60
40
20
0
3.0
S11 ,S22 ( dB)的
增益(dB )
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
最佳工作点
-40
2
频率(GHz )
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
NF( dB)的
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP2 ( dBm的)
OIP3 ( dBm的)
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
频率(GHz )
25
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(MHz)
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
输出功率/增益随输入功率
20
18
增益(dB )
频率= 900 MHz的
输出功率/增益随输入功率
20
输出功率(dBm )
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
18
16
增益(dB )
频率= 2000 MHz的
20
输出功率(dBm )
P1dB的( DBM)
收益
16
12
8
收益
16
12
8
16
14
12
输出功率
14
12
10
8
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
输出功率
4
0
4
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
10
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 2 2005年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V, Rbias两端= 44
,国际商会= 45毫安
增益与频率
22
20
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
OIP2 ( dBm的)
OIP3 ( dBm的)
增益(dB )
25
2
频率(GHz )
0
200
400
600
800
1000
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
NF( dB)的
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
VCC
ICC = 45毫安
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG503-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0805
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
F
贴片电容
不要将
22.1
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
6V
22.2欧姆
0603
7V
44.4欧姆
0805
8V
67欧姆
1206
9V
89欧姆
1210
10 V
111欧姆
1210
12 V
156欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+6 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
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第6 3 2005年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的设备数据
S参数(V
设备
= +5.0 V,I
CC
= 45毫安,T = 25℃ ,校准器件引线)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
S22 ( dB)的
S22 ( ANG)
50
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
4250
4500
4750
5000
5250
5500
5750
6000
-24.44
-24.44
-21.37
-22.01
-23.48
-24.31
-24.81
-24.63
-22.62
-18.50
-19.01
-19.23
-19.99
-22.01
-25.77
-27.43
-24.77
-22.30
-20.80
-20.29
-21.16
-23.80
-24.99
-21.56
-20.00
-177.67
164.30
149.15
133.61
111.38
89.71
65.41
32.83
10.74
0.24
-8.16
-16.02
-20.82
-18.24
-3.66
33.78
70.07
85.66
92.93
102.02
110.99
134.38
172.16
-154.26
-137.16
21.67
21.57
21.36
21.04
20.63
20.18
19.65
19.10
18.53
17.98
17.60
17.14
16.72
16.29
15.88
15.42
14.98
14.56
14.09
13.71
13.39
13.03
12.69
12.47
12.19
177.30
167.09
154.27
142.18
130.59
119.26
108.86
98.96
89.57
81.21
74.79
66.16
58.14
50.34
42.45
34.38
26.44
18.90
11.59
4.12
-2.78
-9.23
-15.58
-22.34
-28.69
-24.34
-24.61
-24.79
-24.91
-24.93
-24.48
-24.13
-24.32
-23.97
-23.53
-23.67
-23.22
-22.51
-22.50
-22.27
-21.77
-21.57
-20.99
-20.84
-20.73
-20.46
-20.21
-19.97
-19.50
-19.34
2.97
2.48
-1.41
-0.76
-5.89
-3.85
-2.88
-3.45
-4.87
-6.73
-9.19
-10.70
-11.38
-13.34
-15.84
-19.50
-22.70
-25.24
-28.83
-32.26
-36.07
-39.85
-41.39
-44.82
-49.46
-18.52
-18.86
-21.64
-20.64
-19.50
-17.89
-16.59
-15.53
-14.85
-13.12
-13.52
-14.01
-14.84
-15.91
-16.13
-15.28
-14.12
-12.66
-11.77
-11.62
-11.55
-12.15
-12.91
-14.07
-14.74
-7.18
-18.94
-48.63
-72.70
-92.91
-109.14
-119.24
-126.61
-133.04
-125.47
-132.23
-142.18
-155.04
-172.38
164.34
139.30
122.06
109.74
102.11
97.84
96.81
98.05
101.46
107.85
111.53
器件的S参数可供下载过该网站在: http://www.wj.com
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
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传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
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第6 4 2005年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
AG503-86 ( SOT- 86封装)机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“H”的
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
CLASS 0
通过在150V
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
II类
通过在250 V
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
安装配置。笔记
1.接地/散热孔对正常性能的关键
此设备的。过孔应使用0.35毫米( # 80 / 0.0135 “ )
直径的钻头,并最终电镀通0.25毫米直径
(.010”).
2,如可以添加尽可能多的铜内层和外层附近
的一部分,以确保最佳的散热性能。
3.安装螺丝可以将附近部分固定的加
板散热器。保证地面/散热孔
区域接触的散热片。
4.不要把阻焊层的PCB板在背面
区域板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
建设。
6.使用1盎司铜最低。
7,所有尺寸的单位均为毫米(英寸) 。角度是
度。
热规格
参数
工作温度
热阻, RTH
(1)
结温, TJC
(2)
等级
-40至+85
°C
257
° C / W
143
°C
1.耐热性从最热部分引用
交界处的接地引线(引脚2或4 ) 。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5.03V 45 mA的85
°C
外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第6 5 2005年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+16 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
20分贝增益在900 MHz的
单电源供电
绿色SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
Ω
产品说明
该AG503-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG503-86通常提供
20分贝增益, 29 dBm的OIP3和+16 dBm的P1dB的。该
设备结合了可靠的性能一致
质量保持MTTF值超过百年的
对85安装温度
°C
&是采用SOT -86
(微型X)行业标准的SMT无铅/绿色/ RoHS-
标准的封装。
该AG503-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
并且只需要隔直电容,偏置电阻,
和一个电感的RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG503-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
DC
典型值
900
20.2
20
20
+28.8
+37
+15.9
2.9
1900
17.8
+27.8
+14.6
5
45
最大
6000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
20.8
-20
-21
+16.0
+28.9
2.9
典型
900
20.2
-20
-20
+15.9
+28.8
2.9
1900
17.8
-18
-15
+14.6
+27.8
3.1
2140
17.6
-18
-13
+14.3
+27.4
3.1
16.8
18.8
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
Ω,
50
Ω
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG503-86*
AG503-86G
AG503-86PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
(铅 - 锡SOT- 86 PKG )
的InGaP HBT增益模块
(无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 86 PKG )
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
规格和信息如有变更,恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害
*这个包是被淘汰有利于绿色包装类型是向后兼容的
现有的设计。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 1 2005年7月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.0
-20
-18
+16.2
+28.9
2.9
500
20.8
-20
-21
+16.0
+28.9
2.9
900
20.2
-20
-20
+15.9
+28.8
2.9
1900
17.8
-18
-15
+14.6
+27.8
3.1
2140
17.6
-18
-13
+14.3
+27.4
3.1
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
Ω,
I
cc
= 45毫安
2400
17.2
-18
-13
+14.0
+27.0
3.2
3500
15.3
-20
-16
+11.0
+24.4
5800
11.8
-20
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V,器件电压= 6.0 V, Rbias两端= 22.1
Ω,
ICC = 45 mA典型, 50
Ω
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
回波损耗
0
-10
-20
-30
S11
S22
器件电流(mA )
的I-V曲线
80
60
40
20
0
3.0
S11 ,S22 ( dB)的
G A IN( D B )
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
最佳工作点
-40
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
NF( dB)的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
35
30
25
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
频率(GHz )
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(MHz)
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
输出功率/增益随输入功率
20
18
G A IN( D B )
16
14
输出功率
12
10
收益
频率= 900 MHz的
输出功率/增益随输入功率
20
ü TP ü吨P流 R( D B M)
G A IN( D B )
16
12
8
4
0
18
16
14
12
10
8
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
输出功率
收益
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
20
ü TP ü吨P流 R( D B M)
16
12
8
4
0
P1dB的( DBM)
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第6 2 2005年7月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
增益与频率
22
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
输出IP3与频率的关系
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V, Rbias两端= 44
Ω,
ICC = 45毫安
输出IP2与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
OIP2 ( dBm的)
G A IN( D B )
25
0
200
400
600
800
1000
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
VCC
ICC = 45毫安
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG503-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0805
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
μF
贴片电容
不要将
22.1
Ω
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
6V
22.2欧姆
0603
7V
44.4欧姆
0805
8V
67欧姆
1206
9V
89欧姆
1210
10 V
111欧姆
1210
12 V
156欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+6 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
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第6 3 2005年7月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
典型的设备数据
S参数(V
设备
= +5.0 V,I
CC
= 45毫安,T = 25℃ ,校准器件引线)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
S22 ( dB)的
S22 ( ANG)
50
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
4250
4500
4750
5000
5250
5500
5750
6000
-24.44
-24.44
-21.37
-22.01
-23.48
-24.31
-24.81
-24.63
-22.62
-18.50
-19.01
-19.23
-19.99
-22.01
-25.77
-27.43
-24.77
-22.30
-20.80
-20.29
-21.16
-23.80
-24.99
-21.56
-20.00
-177.67
164.30
149.15
133.61
111.38
89.71
65.41
32.83
10.74
0.24
-8.16
-16.02
-20.82
-18.24
-3.66
33.78
70.07
85.66
92.93
102.02
110.99
134.38
172.16
-154.26
-137.16
21.67
21.57
21.36
21.04
20.63
20.18
19.65
19.10
18.53
17.98
17.60
17.14
16.72
16.29
15.88
15.42
14.98
14.56
14.09
13.71
13.39
13.03
12.69
12.47
12.19
177.30
167.09
154.27
142.18
130.59
119.26
108.86
98.96
89.57
81.21
74.79
66.16
58.14
50.34
42.45
34.38
26.44
18.90
11.59
4.12
-2.78
-9.23
-15.58
-22.34
-28.69
-24.34
-24.61
-24.79
-24.91
-24.93
-24.48
-24.13
-24.32
-23.97
-23.53
-23.67
-23.22
-22.51
-22.50
-22.27
-21.77
-21.57
-20.99
-20.84
-20.73
-20.46
-20.21
-19.97
-19.50
-19.34
2.97
2.48
-1.41
-0.76
-5.89
-3.85
-2.88
-3.45
-4.87
-6.73
-9.19
-10.70
-11.38
-13.34
-15.84
-19.50
-22.70
-25.24
-28.83
-32.26
-36.07
-39.85
-41.39
-44.82
-49.46
-18.52
-18.86
-21.64
-20.64
-19.50
-17.89
-16.59
-15.53
-14.85
-13.12
-13.52
-14.01
-14.84
-15.91
-16.13
-15.28
-14.12
-12.66
-11.77
-11.62
-11.55
-12.15
-12.91
-14.07
-14.74
-7.18
-18.94
-48.63
-72.70
-92.91
-109.14
-119.24
-126.61
-133.04
-125.47
-132.23
-142.18
-155.04
-172.38
164.34
139.30
122.06
109.74
102.11
97.84
96.81
98.05
101.46
107.85
111.53
器件的S参数可供下载过该网站在: http://www.wj.com
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第6 4 2005年7月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG503-86 ( SOT- 86封装)机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“H”的
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
CLASS 0
通过在150V
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
II类
通过在250 V
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
安装配置。笔记
1.接地/散热孔对正常性能的关键
此设备的。过孔应使用0.35毫米( # 80 / 0.0135 “ )
直径的钻头,并最终电镀通0.25毫米直径
(.010”).
2,如可以添加尽可能多的铜内层和外层附近
的一部分,以确保最佳的散热性能。
3.安装螺丝可以将附近部分固定的加
板散热器。保证地面/散热孔
区域接触的散热片。
4.不要把阻焊层的PCB板在背面
区域板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
建设。
6.使用1盎司铜最低。
7,所有尺寸的单位均为毫米(英寸) 。角度是
度。
热规格
参数
工作温度
热阻, RTH
(1)
结温, TJC
(2)
等级
-40至+85
°C
257
° C / W
143
°C
MTTF与GND引脚温度
1000
平均无故障时间(百万小时)
100
10
1.耐热性从最热部分引用
交界处的接地引线(引脚2或4 ) 。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5.03V 45 mA的85
°C
外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
1
60
70
80
90
100
110
120
接地导线温度( ℃)
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
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第6 5 2005年7月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+16 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
20分贝增益在900 MHz的
单电源供电
SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
产品说明
该AG503-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG503-86通常提供20
dB的增益, 29 dBm的输出IP3和+16 dBm的P1dB的。该
设备结合了可靠的性能一致
质量保持MTTF值超过百年的
安装温度+ 85°C ,并装在一个SOT-
86 (微型X)行业标准的SMT封装。
该AG503-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术,只需要隔直流电容,一个
偏置电阻器,和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG503-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
参数
频带
增益( 900 MHz)的
增益( 1900兆赫)
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
IP3输出(2)
输出IP2
噪声系数
器件电压
器件的电流
热阻
结温( 3 )
典型性能
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
°C
/ W
°C
DC
16.8
典型值
900
20.2
17.8
20
20
+15.9
+28.8
+37
2.9
5.0
45
最大
6000
18.8
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
20.8
-20
-21
+16.0
+28.9
2.9
典型
900
20.2
-20
-20
+15.9
+28.8
2.9
1900
17.8
-18
-15
+14.6
+27.8
3.1
2140
17.6
-18
-13
+14.3
+27.4
3.1
测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
257
177
试验条件下,除非另有说明。
1, T = 25° C,电源电压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
,
频率为900兆赫, 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG503-86
AG503-86PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
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2003年6月
AG503-86
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.0
-20
-18
+16.2
+28.9
2.9
500
20.8
-20
-21
+16.0
+28.9
2.9
900
20.2
-20
-20
+15.9
+28.8
2.9
1900
17.8
-18
-15
+14.6
+27.8
3.1
2140
17.6
-18
-13
+14.3
+27.4
3.1
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 22.1
, I
cc
= 45毫安
2400
17.2
-18
-13
+14.0
+27.0
3.2
3500
15.3
-20
-16
+11.0
+24.4
5800
11.8
-20
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V,器件电压= 6.0 V, Rbias两端= 22.1
,
ICC = 45 mA典型, 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
S11 ,S22 ( dB)的
增益(dB )
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
0
-10
-20
-30
回波损耗
80
器件电流(mA )
60
40
20
0
3.0
的I-V曲线
最佳工作点
S11
-40
S22
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
频率(GHz )
+25 C
+85 C
45
40
NF( dB)的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP2 ( dBm的)
OIP3 ( dBm的)
35
30
25
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(MHz)
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
输出功率/增益随输入功率
20
18
增益(dB )
16
14
输出功率
12
10
收益
频率= 900 MHz的
输出功率/增益随输入功率
20
16
输出功率(dBm )
增益(dB )
12
8
4
0
18
16
14
12
10
8
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
输出功率
收益
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
20
16
12
8
4
0
输出功率(dBm )
P1dB的( DBM)
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
4
8
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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增益与频率
22
20
增益(dB )
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
35
30
25
20
-40 C
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
+25 C
+85 C
输出IP3与频率的关系
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V, Rbias两端= 44
,国际商会= 45毫安
输出IP2与频率的关系
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
OIP2 ( dBm的)
3.5
25
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
噪声系数与频率的关系
频率(MHz)
20
15
NF( dB)的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
VCC
ICC = 45毫安
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG503-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0805
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
F
贴片电容
不要将
22.1
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
6V
22.2欧姆
0603
7V
44.4欧姆
0805
8V
67欧姆
1206
9V
89欧姆
1210
10 V
111欧姆
1210
12 V
156欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+6 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
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TM
产品信息
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“H”的
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
CLASS 0
通过在150V
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
II类
通过在250 V
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
土地模式
安装配置。笔记
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产品信息
典型的设备数据
S参数(V
设备
= +5.0 V,I
CC
= 45毫安,T = 25℃ ,校准器件引线)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
S22 ( dB)的
S22 ( ANG)
50
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
5000
5200
5400
5600
5800
6000
-24.44
-24.97
-22.55
-22.43
-22.93
-23.48
-24.33
-25.14
-25.10
-24.38
-22.62
-18.64
-18.67
-19.40
-19.35
-19.99
-21.42
-23.62
-25.69
-26.88
-24.77
-23.00
-21.17
-20.44
-20.51
-21.16
-22.85
-24.42
-23.84
-21.50
-20.00
-177.67
161.24
152.96
143.75
129.21
111.38
98.77
74.35
49.75
26.33
10.74
3.69
-5.44
-11.24
-18.41
-20.82
-16.89
-11.68
8.48
39.32
70.07
83.84
91.33
96.19
103.41
110.99
127.46
155.32
-176.50
-151.45
-137.16
21.67
21.58
21.44
21.25
21.00
20.63
20.26
19.87
19.41
18.98
18.53
18.07
17.69
17.43
17.05
16.72
16.35
16.03
15.68
15.36
14.98
14.62
14.28
13.96
13.62
13.39
13.12
12.81
12.65
12.44
12.19
177.30
169.62
159.32
149.48
139.89
130.59
121.50
113.09
104.82
97.11
89.57
82.98
75.99
71.42
64.89
58.14
51.88
45.40
39.01
32.99
26.44
20.40
14.49
8.42
2.96
-2.78
-8.07
-13.24
-18.36
-23.54
-28.69
-24.34
-24.66
-25.01
-24.73
-24.50
-24.93
-24.42
-24.39
-24.17
-24.37
-23.97
-23.73
-23.50
-23.68
-22.72
-22.51
-22.46
-22.41
-21.91
-21.83
-21.57
-21.23
-21.26
-20.86
-20.72
-20.46
-20.14
-19.88
-19.67
-19.47
-19.34
2.97
-1.44
-0.38
-1.98
-2.66
-5.89
-3.17
-4.08
-5.19
-3.84
-4.87
-6.76
-7.22
-12.02
-10.71
-11.38
-12.44
-13.56
-17.86
-19.36
-22.70
-26.03
-28.48
-29.14
-32.21
-36.07
-38.83
-41.02
-43.82
-44.54
-49.46
-18.52
-18.91
-21.70
-21.33
-20.61
-19.50
-18.00
-17.09
-16.09
-15.42
-14.85
-13.01
-13.44
-13.67
-14.16
-14.84
-15.75
-15.91
-15.70
-15.19
-14.12
-12.99
-12.02
-11.57
-11.39
-11.55
-11.90
-12.71
-13.52
-14.22
-14.74
-7.18
-15.37
-40.13
-56.19
-77.42
-92.91
-106.75
-114.96
-122.05
-128.18
-133.04
-123.42
-130.42
-136.66
-144.06
-155.04
-168.96
174.07
153.21
136.25
122.06
111.56
104.63
100.01
97.58
96.81
96.89
100.22
102.93
108.50
111.53
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
AG503-86
WJ
24+
4000
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授权分销 现货热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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23000
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联系人:朱
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21+22+
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联系人:陈佳隆
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联系人:销售部
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20918
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