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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第340页 > AG303-86
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
x
DC - 6000 MHz的
x
+14 dBm的P1dB为900 MHz的
x
+26 dBm的OIP3在900兆赫
x
20.5分贝增益在900 MHz的
x
单电源供电
产品说明
该AG303-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG303-86通常提供
20.5分贝增益+26 dBm的OIP3和+14 dBm的P1dB的。该
设备结合了可靠的性能一致
质量保持MTTF值超过百年的
对85安装温度
qC
&是采用SOT -86
(微型X)行业标准的SMT无铅/绿色/ RoHS-
标准的封装。
该AG303-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
并且只需要隔直电容,偏置电阻,
和一个电感的RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG303-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
x
绿色SOT- 86表面贴装封装
x
内部匹配50
:
2
GND
应用
x
x
x
x
x
x
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
DC
典型值
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
+34
3.0
1900
18.1
+24.8
+12.7
4.23
35
最大
6000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
典型
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
17.1
19.1
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1 , 50系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。抑制
上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
参数
-40至+85
qC
-55到+125
qC
+5 V
+10 dBm的
+ 250Q
等级
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
订购信息
产品型号
AG303-86*
AG303-86G
*
描述
(铅 - 锡SOT- 86 PKG )
的InGaP HBT增益模块
的InGaP HBT增益模块
(无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 86 PKG )
AG303-86PCB
这个包是被淘汰有利于绿色包装类型是为了向后兼容
现有的设计。请参阅产品更改通知WJPCN06MAY05TC1的WJ网站上。
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
规格和信息如有变更,恕不另行通知
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 1 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.4
-25
-19
+14.2
+26.5
2.9
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
通信EDGE
TM
产品信息
供应偏压= + 5V ,R
BIAS
= 22.1
:,
I
cc
= 35毫安
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
典型的射频设备的性能
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
2400
16.9
-25
-15
+12.1
+23.9
3.2
3500
14.9
-25
-15
+9.3
5800
11.4
-25
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= + 5V ,器件电压= 4.23 V, Rbias两端= 22.1 ,电流Icc = 35 mA典型, 50系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
24
22
增益与频率
0
-10
-20
-30
S11
回波损耗
60
器件电流(mA )
50
40
30
20
10
0
3.0
3.5
的I-V曲线
S11 ,S22 ( dB)的
增益(dB )
20
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
最佳工作点
S22
-40
2
频率(GHz )
0
1
2
3
4
5
6
4.0
4.5
频率(GHz )
40
35
30
25
-40c
+25c
+85c
NF( dB)的
器件电压(V)
30
25
20
15
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
5
4
3
2
1
0
噪声系数与频率的关系
OIP3 ( dBm的)
-40 C
+25 C
+85 C
OIP2 ( dBm的)
-40 C
+25 C
+85 C
10
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
20
15
增益(dB )
频率(MHz)
输出功率/增益随输入功率
22
20
18
16
14
收益
频率= 900 MHz的
频率(GHz )
输出功率/增益随输入功率
20
O
安输出功率(dBm
)
的P1dB与频率的关系
18
16
增益(dB )
频率= 2000 MHz的
16
O
安输出功率(dBm
)
P1dB的( DBM)
16
12
8
4
输出功率
0
0
4
收益
12
8
4
0
输出功率
-4
0
4
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
14
12
10
8
-20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
12
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 2 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
24
22
增益与频率
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能(续)
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 51
:,
I
cc
= 35毫安
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
输出IP3与频率的关系
40
35
30
25
输出IP2与频率的关系
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
OIP3 ( dBm的)
增益(dB )
20
OIP2 ( dBm的)
-40c
+25c
+85c
10
20
2
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
10
5
5
4
NF( dB)的
P1dB的( DBM)
3
2
1
0
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
供应偏压= 8 V ,R
BIAS
= 108
:,
I
cc
= 35毫安
24
22
增益与频率
典型的射频设备的性能
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
输出IP3与频率的关系
40
35
30
25
输出IP2与频率的关系
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
OIP3 ( dBm的)
增益(dB )
20
OIP2 ( dBm的)
-40c
+25c
+85c
10
20
2
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
10
5
5
4
NF( dB)的
P1dB的( DBM)
3
2
1
0
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
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第6 3 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
VCC
ICC = 35毫安
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG303-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0603
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
PF
贴片电容
不要将
22.1
:
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
5V
22.1欧姆
0603
6V
51欧姆
0805
7V
80欧姆
1206
8V
108欧姆
1210
9V
137欧姆
1210
10 V
166欧姆
1210
12 V
223欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+5 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
典型的设备数据
S参数(V
设备
= 4.23 V,I
CC
= 35 mA时, T = 25℃ ,校准器件引线)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
50
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
4250
4500
4750
5000
5250
5500
5750
6000
-25.41
-178.61
21.90
177.08
-24.39
2.68
-19.43
-24.87
155.73
21.78
166.27
-24.78
2.50
-19.45
-21.45
140.47
21.52
152.92
-24.79
0.95
-22.15
-21.60
121.87
21.11
140.36
-24.66
-0.65
-20.82
-22.37
104.08
20.62
128.55
-24.69
-0.47
-19.91
-22.85
90.28
20.09
117.05
-24.39
0.10
-18.42
-23.73
71.50
19.48
106.85
-23.69
0.62
-17.78
-25.75
49.04
18.90
96.96
-23.87
-1.60
-16.51
-25.80
20.48
18.25
87.61
-23.36
-1.98
-16.04
-20.60
4.51
17.68
79.42
-23.35
-1.35
-14.44
-21.35
-10.34
17.27
73.31
-23.42
-5.50
-14.66
-21.07
-27.85
16.73
64.91
-22.38
-6.48
-14.71
-20.28
-38.57
16.22
57.01
-22.30
-5.72
-15.40
-20.61
-43.39
15.75
49.56
-22.06
-7.56
-16.08
-21.43
-46.83
15.30
42.14
-21.79
-9.98
-16.63
-23.21
-45.68
14.83
34.70
-21.14
-14.32
-16.45
-25.23
-33.68
14.43
27.45
-21.01
-19.42
-15.95
-27.97
-14.82
14.02
20.33
-20.54
-19.39
-14.63
-28.62
21.21
13.56
13.29
-19.99
-23.59
-13.70
-28.24
50.04
13.16
5.94
-19.74
-27.50
-12.98
-27.40
61.17
12.84
-0.90
-19.45
-32.13
-12.53
-32.61
78.84
12.46
-7.21
-19.53
-34.94
-12.98
-38.22
144.81
12.12
-13.47
-19.19
-37.72
-13.34
-28.58
-149.36
11.86
-19.80
-18.83
-41.09
-14.62
-24.71
-137.35
11.61
-26.11
-18.61
-44.88
-15.38
器件的S参数可供下载过该网站在: http://www.wj.com
电话1-800- WJ1-4401
WJ通信公司
传真: 408-577-6621
¤
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
S22 ( dB)的
-6.66
-23.90
-58.28
-83.69
-103.53
-120.77
-130.98
-140.18
-146.19
-135.98
-143.15
-151.02
-161.21
-172.88
172.37
152.74
135.04
121.85
110.85
104.47
101.02
97.98
99.21
100.79
100.73
S22 ( ANG)
规格和信息如有变更,恕不另行通知
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 4 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG303-86 ( SOT- 86封装)机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“E”
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
4级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
安装配置。笔记
1.接地/散热孔对正常性能的关键
此设备的。过孔应使用0.35毫米( # 80 / 0.0135 “ )
直径的钻头,并最终电镀通0.25毫米直径
(.010” ).
2,如可以添加尽可能多的铜内层和外层附近
的一部分,以确保最佳的散热性能。
3.安装螺丝可以将附近部分固定的加
板散热器。保证地面/散热孔
区域接触的散热片。
4.不要把阻焊层的PCB板在背面
区域板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
建设。
6.使用1盎司铜最低。
7,所有尺寸的单位均为毫米(英寸) 。角度是
度。
热规格
参数
工作温度
热阻, RTH
(1)
结温, TJC
(2)
等级
-40至+85
qC
335
QC / W
135
qC
1.耐热性从最热部分引用
交界处的接地引线(引脚2或4 ) 。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 4.23V , 35毫安以85℃的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177 C.结温
¤
¤
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
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第6 5 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+14 dBm的P1dB为900 MHz的
+26 dBm的OIP3在900兆赫
20.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
绿色SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
产品说明
该AG303-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG303-86通常提供
20.5分贝增益+26 dBm的OIP3和+14 dBm的P1dB的。该
设备结合了可靠的性能一致
质量保持MTTF值超过百年的
对85安装温度
°C
&是采用SOT -86
(微型X)行业标准的SMT无铅/绿色/ RoHS-
标准的封装。
该AG303-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
并且只需要隔直电容,偏置电阻,
和一个电感的RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG303-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
DC
典型值
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
+34
3.0
1900
18.1
+24.8
+12.7
4.23
35
最大
6000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
典型
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
17.1
19.1
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。抑制
上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
订购信息
产品型号
AG303-86*
AG303-86G
AG303-86PCB
*
等级
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5 V
+10 dBm的
+250° C
描述
的InGaP HBT增益模块
(铅 - 锡SOT- 86 PKG )
的InGaP HBT增益模块
(无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 86 PKG )
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
这个包是被淘汰有利于绿色包装类型是为了向后兼容
现有的设计。请参阅产品更改通知WJPCN06MAY05TC1的WJ网站上。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 1 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ,R
BIAS
= 22.1
, I
cc
= 35毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.4
-25
-19
+14.2
+26.5
2.9
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
2400
16.9
-25
-15
+12.1
+23.9
3.2
3500
14.9
-25
-15
+9.3
5800
11.4
-25
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= + 5V ,器件电压= 4.23 V, Rbias两端= 22.1
,
ICC = 35 mA典型, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
24
22
回波损耗
0
器件电流(mA )
的I-V曲线
60
50
40
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
最佳工作点
增益(dB )
20
18
16
14
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
-40 C
+25 C
+85 C
S11 ,S22 ( dB)的
-10
-20
-30
S11
S22
-40
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
输出IP3与频率的关系
噪声系数与频率的关系
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
40
35
NF( dB)的
5
4
3
2
1
0
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
30
25
-40c
+25c
+85c
10
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
输出功率/增益随输入功率
22
20
增益(dB )
频率= 900 MHz的
频率(GHz )
输出功率/增益随输入功率
20
输出功率(dBm )
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
18
16
增益(dB )
16
输出功率(dBm )
P1dB的( DBM)
16
收益
12
8
4
输出功率
0
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
收益
12
8
4
0
输出功率
-4
18
16
14
14
12
10
8
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
12
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
第6 2 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的射频设备的性能(续)
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 51
, I
cc
= 35毫安
增益与频率
24
22
增益(dB )
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
40
35
30
25
-40c
+25c
+85c
20
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
OIP3 ( dBm的)
10
OIP2 ( dBm的)
20
2
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V ,R
BIAS
= 108
, I
cc
= 35毫安
增益与频率
24
22
增益(dB )
输出IP3与频率的关系
30
25
OIP3 ( dBm的)
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
输出IP2与频率的关系
40
35
30
25
-40c
+25c
+85c
20
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
OIP2 ( dBm的)
10
20
2
频率(GHz )
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
频率(GHz )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
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第6 3 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
VCC
ICC = 35毫安
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG303-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0603
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
F
贴片电容
不要将
22.1
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
5V
22.1欧姆
0603
6V
51欧姆
0805
7V
80欧姆
1206
8V
108欧姆
1210
9V
137欧姆
1210
10 V
166欧姆
1210
12 V
223欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+5 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
典型的设备数据
S参数(V
设备
= 4.23 V,I
CC
= 35毫安, T为25℃ ,校准到装置引出)
频率(MHz )
S11( dB)的
S11 ( ANG)
S21 ( dB)的
S21 ( ANG)
S12 ( dB)的
S12 ( ANG)
S22 ( dB)的
S22 ( ANG)
50
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
4250
4500
4750
5000
5250
5500
5750
6000
-25.41
-178.61
21.90
177.08
-24.39
2.68
-19.43
-24.87
155.73
21.78
166.27
-24.78
2.50
-19.45
-21.45
140.47
21.52
152.92
-24.79
0.95
-22.15
-21.60
121.87
21.11
140.36
-24.66
-0.65
-20.82
-22.37
104.08
20.62
128.55
-24.69
-0.47
-19.91
-22.85
90.28
20.09
117.05
-24.39
0.10
-18.42
-23.73
71.50
19.48
106.85
-23.69
0.62
-17.78
-25.75
49.04
18.90
96.96
-23.87
-1.60
-16.51
-25.80
20.48
18.25
87.61
-23.36
-1.98
-16.04
-20.60
4.51
17.68
79.42
-23.35
-1.35
-14.44
-21.35
-10.34
17.27
73.31
-23.42
-5.50
-14.66
-21.07
-27.85
16.73
64.91
-22.38
-6.48
-14.71
-20.28
-38.57
16.22
57.01
-22.30
-5.72
-15.40
-20.61
-43.39
15.75
49.56
-22.06
-7.56
-16.08
-21.43
-46.83
15.30
42.14
-21.79
-9.98
-16.63
-23.21
-45.68
14.83
34.70
-21.14
-14.32
-16.45
-25.23
-33.68
14.43
27.45
-21.01
-19.42
-15.95
-27.97
-14.82
14.02
20.33
-20.54
-19.39
-14.63
-28.62
21.21
13.56
13.29
-19.99
-23.59
-13.70
-28.24
50.04
13.16
5.94
-19.74
-27.50
-12.98
-27.40
61.17
12.84
-0.90
-19.45
-32.13
-12.53
-32.61
78.84
12.46
-7.21
-19.53
-34.94
-12.98
-38.22
144.81
12.12
-13.47
-19.19
-37.72
-13.34
-28.58
-149.36
11.86
-19.80
-18.83
-41.09
-14.62
-24.71
-137.35
11.61
-26.11
-18.61
-44.88
-15.38
器件的S参数可供下载过该网站在: http://www.wj.com
-6.66
-23.90
-58.28
-83.69
-103.53
-120.77
-130.98
-140.18
-146.19
-135.98
-143.15
-151.02
-161.21
-172.88
172.37
152.74
135.04
121.85
110.85
104.47
101.02
97.98
99.21
100.79
100.73
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
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第6 4 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
产品信息
AG303-86 ( SOT- 86封装)机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“E”
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
4级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
安装配置。笔记
1.接地/散热孔对正常性能的关键
此设备的。过孔应使用0.35毫米( # 80 / 0.0135 “ )
直径的钻头,并最终电镀通0.25毫米直径
(.010”).
2,如可以添加尽可能多的铜内层和外层附近
的一部分,以确保最佳的散热性能。
3.安装螺丝可以将附近部分固定的加
板散热器。保证地面/散热孔
区域接触的散热片。
4.不要把阻焊层的PCB板在背面
区域板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
建设。
6.使用1盎司铜最低。
7,所有尺寸的单位均为毫米(英寸) 。角度是
度。
热规格
参数
工作温度
热阻, RTH
(1)
结温, TJC
(2)
等级
-40至+85
°C
335
° C / W
135
°C
1.耐热性从最热部分引用
交界处的接地引线(引脚2或4 ) 。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 4.23V 35 mA的85
°C
外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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第6 5 2005年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+14 dBm的P1dB为900 MHz的
+26 dBm的OIP3在900兆赫
20.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
产品说明
该AG303-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG303-86通常提供
增益20.5分贝, +26 dBm的输出IP3和+14 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能,
稳定的质量,保持MTTF值超过100
多年在+ 85°C安装温度和装在
采用SOT- 86 (微型X)行业标准的SMT封装。
该AG303-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术,只需要隔直流电容,一个
偏置电阻器,和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG303-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
参数
频带
增益( 900 MHz)的
增益( 1900兆赫)
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
IP3输出(2)
输出IP2
噪声系数
器件电压
器件的电流
热阻
结温( 3 )
典型性能
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
°C
/ W
°C
DC
17.1
典型值
900
20.4
18.1
-22
-20
+14.0
+26.1
+34
3.0
4.23
35
最大
6000
19.1
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
典型
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
测试条件: T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
335
177
试验条件下,除非另有说明。
1, T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1
,
频率为900兆赫, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG303-86
AG303-86PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
2004年4月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.4
-25
-19
+14.2
+26.5
2.9
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ,R
BIAS
= 22.1
,
I
cc
= 35毫安
2400
16.9
-25
-15
+12.1
+23.9
3.2
3500
14.9
-25
-15
+9.3
5800
11.4
-25
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= + 5V ,器件电压= 4.23 V, Rbias两端= 22.1
,
ICC = 35 mA典型, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
24
22
回波损耗
0
器件电流(mA )
的I-V曲线
60
50
40
30
20
10
0
3.0
最佳工作点
增益(dB )
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
S11 ,S22 ( dB)的
-10
-20
-30
S11
S22
-40
0
1
2
3
4
5
6
3.5
4.0
4.5
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
输出IP3与频率的关系
噪声系数与频率的关系
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
40
35
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40c
+25c
+85c
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
输出功率/增益随输入功率
22
20
增益(dB )
频率= 900 MHz的
频率(GHz )
输出功率/增益随输入功率
20
输出功率(dBm )
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
18
16
增益(dB )
16
输出功率(dBm )
P1dB的( DBM)
16
收益
12
8
4
输出功率
0
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
收益
12
8
4
0
输出功率
-4
18
16
14
12
14
12
10
8
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
2004年4月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
增益与频率
24
22
增益(dB )
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能(续)
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 51
,
I
cc
= 35毫安
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
30
25
20
15
40
35
30
25
-40 C
+25 C
+85 C
-40c
+25c
+85c
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
10
OIP2 ( dBm的)
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V ,R
BIAS
= 108
,
I
cc
= 35毫安
增益与频率
24
22
增益(dB )
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
30
25
20
15
40
35
30
25
-40 C
+25 C
+85 C
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
-40c
+25c
+85c
10
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
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2004年4月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
VCC
ICC = 35毫安
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG303-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0603
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
F
贴片电容
不要将
22.1
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
5V
22.1欧姆
0603
6V
51欧姆
0805
7V
80欧姆
1206
8V
108欧姆
1210
9V
137欧姆
1210
10 V
166欧姆
1210
12 V
223欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+5 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
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2004年4月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“E”
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
4级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
土地模式
安装配置。笔记
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
2004年4月
AG303
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
基本产品信息
产品特点
DC - 5000MHz的
+13 dBm的P1dB为在900MHz
+27 dBm的OIP3在900MHz
20.5分贝增益在900MHz
单电源供电
SOT- 363和SOT- 86表面贴装
产品说明
在AG303是一种通用型的缓冲放大器,提供了高
动态范围的低成本表面贴装封装。在900 MHz时,
在AG303通常提供的增益为20.5 dB时, 27 dBm输出
IP3和13 dBm的P1dB的。该设备结合了可靠的
以稳定的质量性能,以保持MTBF值
超过百年在+ 85°C ,并安装温度
采用SOT -363 & SOT- 86行业标准SMT封装。
在AG303包括达林顿对放大器使用高
可靠性的InGaP /砷化镓HBT技术的工艺技术和
只需要隔直电容,偏置电阻和一个
电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器,可直接适用于各种
当前和下一代无线技术,如GPRS,
GSM,CDMA, W-CDMA和UMTS 。此外, AG303
将直流内适用于其他各种应用至5GHz
频率范围,如有线电视和固定无线。
工作原理图
GND
在RF
AG33
RF OUT
GND
AG303-86
GND
GND
RF OUT
GND
内部匹配50
在RF
GND
AG303-63
特定网络阳离子
参数
1
频带
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
器件电压
器件的电流
典型参数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
典型值
DC-5000
20.5
-15
-15
+13
+27
3.6
4.0
35
最大
参数
1
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
电源电压
器件的电流
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
典型
900
20.5
-20
-20
+13
+27
3.6
5
35
1900
19
-15
-20
+12
+25
3.6
5
35
测试条件除非另有说明
1, T = 25℃ ,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 30
,
频率= 900MHz的, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-5 dBm的/音调由分离的10MHz的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
1.数据代表了一个应用板,典型表现
T为25 ° C,V
s
= + 5V ,而R
BIAS
= 30
在一个50
系统。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
订购信息
产品型号
AG303-63
AG303-86
等级
-40至+85
°C
-40到+125
°C
描述
的InGaP HBT增益模块
SOT- 363封装形式
(可在磁带&卷)
该设备上面的任何参数有操作可能会造成永久性的损害
应用电路
R1
30
V
S
= +5 V
I
S
= 35毫安
C3
旁路电容
的InGaP HBT增益模块
SOT- 86封装形式
(可在磁带&卷)
AG303-63PCB
AG303-86PCB
完全组装的应用板
完全组装的应用板
在RF
L1
RF
RF OUT
AG303
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
本文件包含的新产品信息。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
FAX : 408-577-6620
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
2002年6月
AG303
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
基本产品信息
AG303-86包装信息
外形绘图
.021 ± .004
.008 ± .002
0° - 8°
45°
.026 ± .005
飞机座位
.085 ± .005
.037 ± .010
+.0020
.002 -.0015
.032 ± .010
(3X)
0.006 (瓜哥平面)
.105 ±.005
.100 ±.005
.060 ± .005
(.195 - .215)
土地模式
安装配置说明
本文件包含的新产品信息。
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WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
FAX : 408-577-6620
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2002年6月
AG303
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
基本产品信息
AG303-63包装信息
外形绘图
土地模式
0.381
(.015)
安装配置说明
2.515
(.099)
0.773
.030)
2.515
(.099)
1.524
(.060)
本文件包含的新产品信息。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
FAX : 408-577-6620
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2002年6月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 6000 MHz的
+14 dBm的P1dB为900 MHz的
+26 dBm的OIP3在900兆赫
20.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
SOT- 86表面贴装封装
内部匹配50
产品说明
该AG303-86是一个通用的缓冲放大器,其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时, AG303-86通常提供
增益20.5分贝, +26 dBm的输出IP3和+14 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能,
稳定的质量,保持MTTF值超过100
多年在+ 85°C安装温度和装在
采用SOT- 86 (微型X)行业标准的SMT封装。
该AG303-86由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术,只需要隔直流电容,一个
偏置电阻器,和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS, GSM,CDMA和W-CDMA 。此外,
该AG303-86将适用于其他各种应用
直流至6 GHz的频率范围内,如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
在RF
1
3
RF OUT
2
GND
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
参数
频带
增益( 900 MHz)的
增益( 1900兆赫)
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
IP3输出(2)
输出IP2
噪声系数
器件电压
器件的电流
热阻
结温( 3 )
典型性能
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
V
mA
°C
/ W
°C
DC
17.1
典型值
900
20.4
18.1
-22
-20
+14.0
+26.1
+34
3.0
4.23
35
最大
6000
19.1
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
典型
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
测试条件: T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
335
177
试验条件下,除非另有说明。
1, T = 25° C,电源电压= 5 V ,R
BIAS
= 22.1
,
频率为900兆赫, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.结温确保100万小时的使用时间最少MTTF评级。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率(连续)
结温
-40至+85
°C
-55到+125
°C
+5 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG303-86
AG303-86PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
网站: www.wj.com
2004年4月
AG303-86
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.4
-25
-19
+14.2
+26.5
2.9
500
21.1
-21
-22
+14.0
+26.4
2.9
900
20.4
-22
-20
+14.0
+26.1
3.0
1900
18.1
-26
-16
+12.7
+24.8
3.2
2140
17.5
-25
-16
+12.4
+24.4
3.2
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ,R
BIAS
= 22.1
,
I
cc
= 35毫安
2400
16.9
-25
-15
+12.1
+23.9
3.2
3500
14.9
-25
-15
+9.3
5800
11.4
-25
-14
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= + 5V ,器件电压= 4.23 V, Rbias两端= 22.1
,
ICC = 35 mA典型, 50
系统。
2.测量3OIP两个音在-2 dBm的/音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
24
22
回波损耗
0
器件电流(mA )
的I-V曲线
60
50
40
30
20
10
0
3.0
最佳工作点
增益(dB )
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
S11 ,S22 ( dB)的
-10
-20
-30
S11
S22
-40
0
1
2
3
4
5
6
3.5
4.0
4.5
频率(GHz )
输出IP2与频率的关系
器件电压(V)
输出IP3与频率的关系
噪声系数与频率的关系
30
25
20
15
-40 C
+25 C
+85 C
40
35
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40c
+25c
+85c
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
输出功率/增益随输入功率
22
20
增益(dB )
频率= 900 MHz的
频率(GHz )
输出功率/增益随输入功率
20
输出功率(dBm )
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
18
16
增益(dB )
16
输出功率(dBm )
P1dB的( DBM)
16
收益
12
8
4
输出功率
0
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
收益
12
8
4
0
输出功率
-4
18
16
14
12
14
12
10
8
-20
-16
-12
-8
-4
输入功率(dBm )
0
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
规格和信息如有变更,恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真: 408-577-6621
电子信箱: sales@wj.com
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AG303-86
的InGaP HBT增益模块
增益与频率
24
22
增益(dB )
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能(续)
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 51
,
I
cc
= 35毫安
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
30
25
20
15
40
35
30
25
-40 C
+25 C
+85 C
-40c
+25c
+85c
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
10
OIP2 ( dBm的)
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
典型的射频设备的性能
供应偏压= 8 V ,R
BIAS
= 108
,
I
cc
= 35毫安
增益与频率
24
22
增益(dB )
输出IP3与频率的关系
输出IP2与频率的关系
30
25
20
15
40
35
30
25
-40 C
+25 C
+85 C
20
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率(GHz )
3
4
+25 C
+85 C
OIP3 ( dBm的)
OIP2 ( dBm的)
-40c
+25c
+85c
10
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
频率(GHz )
的P1dB与频率的关系
频率(MHz)
噪声系数与频率的关系
20
15
NF( dB)的
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
P1dB的( DBM)
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率(GHz )
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
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AG303-86
的InGaP HBT增益模块
VCC
ICC = 35毫安
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG303-86
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率(MHz)
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0603
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上,以达到最佳的宽带性能:
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
F
贴片电容
不要将
22.1
1 %容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
5V
22.1欧姆
0603
6V
51欧姆
0805
7V
80欧姆
1206
8V
108欧姆
1210
9V
137欧姆
1210
10 V
166欧姆
1210
12 V
223欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+5 V的最小偏置电源
1 %的容差电阻。
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AG303-86
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
外形绘图
产品标识
该组件将被标有“E”
标志符后面的两位数字
在封装的顶部表面很多代码。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
ESD额定值:
价值:
测试:
标准:
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型( HBM )
JEDEC标准JESD22- A114
4级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级: 1级
标准:
JEDEC标准J- STD- 020A
土地模式
安装配置。笔记
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AG303-86
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    终端采购配单精选

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电话:0755-88917652分机801-83200050
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地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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联系人:销售部1部
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WJ
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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