飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT21S230S_232S
牧师0 ，二千〇一十二分之一十
RF功率LDMOS晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
这些50瓦特RF功率LDMOS晶体管设计用于蜂窝基站
站应用领域涵盖了2110的频率范围为2170兆赫。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 50瓦平均，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
G
ps
（ dB）的
16.7
17.0
17.2
η
D
(%)
30.5
31.0
31.8
PAR输出
（ dB）的
7.2
7.1
7.0
ACPR
（ DBC）
--35.7
--35.4
--34.8
IRL
（ dB）的
--19
--20
--15
AFT21S230SR3
AFT21S232SR3
2110-
-2170兆赫， 50瓦平均， 28 V
特点
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
NI - 780S - 6 ： R3后缀= 250单元，32毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
NI - 780S - 2 ： R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 18 。
北卡罗来纳州1
6 VBW
RF
in
/V
GS
2
5 RF
OUT
/V
DS
北卡罗来纳州3
（ TOP VIEW ）
4 VBW
NI-
-780S-
-6
AFT21S230S
图1.引脚连接
RF
in
/V
GS
2
1 RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
NI-
-780S-
-2
AFT21S232S
图2.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
案例工作温度范围
工作结温范围
(1,2)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65到150
--40到150
--40到225
163
0.79
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 50瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1500毫安， 2110兆赫
外壳温度86C ， 140瓦特CW
(4)
， 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， 2110兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.43
0.38
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
B
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 291
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1500 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.7 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.2
0.1
2.0
2.7
0.2
2.5
3.2
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(5)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 2110兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.0
29.0
6.7
—
—
16.7
30.5
7.2
--35.7
--19
19.0
—
—
--34.0
--10
dB
%
dB
dBc的
dB
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1955 。
4.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
5.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
驻波比10 ： 1 ，在32 VDC ， 269 W CW输出功率
（3 dB输入过驱动从182 W CW额定功率）
符号
民
典型值
最大
单位
负载不匹配
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）I
DQ
= 1500毫安， F = 2140 MHz的
没有设备退化
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， 2110--2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
AM / PM
在整个P3dB压缩点测量（最大值
在2110--2170 MHz带宽）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
AFT21S230S
AFT21S232S
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
(1)
G
F
G
P1dB
—
—
—
P1dB
Φ
—
—
182
(1)
--19.3
—
—
W
°
VBW
水库
—
95
60
0.5
0.016
0.007
—
兆赫
—
—
—
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C22
C4
C8
C18
C13*
C19
C12*
R1
C10*
切出区
C5
C2
C11*
C16*
R2
C17
C20
C21
C15*
C6
C7
C14*
C9
C23
C3
AFT21S232S/AFT21S230S
第0版
* C10，C11 ， C12，C13 ，C14， C15和C16被垂直地安装。
图3. AFT21S230SR3 （ 232SR3 ）测试电路元件布局
表5. AFT21S230SR3 （ 232SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5, C6, C7, C22, C23
C8, C9, C10, C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18, C19, C20, C21
R1, R2
PCB
描述
470
μF,
63 V电解电容
10
μF,
100 V贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.6 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
1
μF,
50 V贴片电容
8.2
,
1/4 W贴片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
B41694A5477Q7
C5750X7S2A106M
ATC100B6R8BT500XT
ATC100B0R6BT500XT
ATC100B0R3BT500XT
CDR34BX104AKWS
RC1206FR--108R2L
RO4350B
生产厂家
爱普科斯（EPCOS）
TDK
ATC
ATC
ATC
AVX
YAGEO
罗杰斯
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V = 28伏直流电，P
OUT
= 50瓦（平均） ，我
DQ
= 1500毫安
19
DD
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
18.5
输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
18
概率上CCDF
17.5
17
16.5
16
15.5
15
14.5
2060
2080
2100
2120
2140
IRL
2160
2180
2200
男，频率（MHz）
η
D
G
ps
公园
ACPR
η
D
，沥干
效率（％）
19.5
34
33
32
31
30
--32
--33
ACPR （ DBC）
--34
--35
--36
--37
2220
G
ps
，功率增益（分贝）
--4
--8
--12
--16
--20
--24
IRL ，输入回波损耗（分贝）
--2
--2.4
--2.8
--3.2
--3.6
--4
PARC （分贝）
图4.单
-Carrier输出峰值 - - 平均压缩比
- 到 -
（ PARC ）的宽带性能@ P
OUT
= 50瓦的魅力。
--10
--10
IMD ，互调失真（ DBC）
--30
--40
--50
--60
IM7--L
IM3--U
IM3--L
IM5--L
IM5--U
IM7--U
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 172 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1500毫安
两个 - 音频测量， （ F1 + F2） / 2 =中心
--20
2140 MHz的频率
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 172 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1500毫安
两个 - 音频测量， （ F1 + F2） / 2 =中心
--20
2140 MHz的频率
IM3--U
--30
--40
--50
--60
IM5--L
IM5--U
IM7--U
IM7--L
IM3--L
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
200
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
200
图5a 。互调失真产品
与两
-Tone间距 - AFT21S230S
18
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
17.5
G
ps
，功率增益（分贝）
17
16.5
16
15.5
15
1
0
--1
--2
--3
--1分贝= 28瓦
--2分贝= 38 W
图5b 。互调失真产品
与两
-Tone间距 - AFT21S232S
40
η
D
ACPR
35
30
25
20
15
10
70
85
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
--3分贝= 49 W
公园
G
ps
--4
--5
输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上CCDF
10
25
40
55
P
OUT
，输出功率（瓦）
图6.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
AFT21S230SR3 AFT21S232SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， F = 2140 MHz的
单 - 载波W - CDMA 3.84 MHz的
信道带宽
QQ：2880707522 复制
