Ka波段功率GaAs MESFET
AFM06P2-212 , 213
特点
s
在18 GHz的22 dBm的输出功率
s
关联度高增益, 9分贝在18 GHz的
s
高功率附加效率, 23 %
s
宽带运营, DC- 18 GHz的
s
0.25
m
钛/钯/金
s
表面钝化
来源
212
漏
漏
来源
门
来源
213
来源
门
描述
该AFM06P2-212 , 213是一款高性能电源
在一个行业标准的陶瓷的GaAs MESFET芯片
微-X封装,具有0.25的栅极长度
m
AND A
600总闸周边
m.
该装置具有优异的
到26千兆赫使其增益和功率性能
适合于广泛的商业和军事
应用在振荡器和放大器电路。该装置
采用的Ti / Pd / Au的门和金属表面
钝化,保证坚固可靠的组成部分。
绝对最大额定值
参数
漏源极电压(V
DS
)
门源电压(V
GS
)
漏电流(I
DS
)
栅极电流(I
GS
)
总功率耗散( P
T
)
通道温度(T
CH
)
存储温度(T
ST
)
价值
6V
–4 V
I
DSS
1毫安
1.1 W
175°C
-65到+ 150°C
电气规格在25℃
参数
饱和漏极电流
跨
夹断电压
栅漏击穿电压
在1dB压缩输出功率
增益1dB压缩
功率附加效率
符号
I
DSS
gm
V
P
V
BGD
P
G
1分贝
1分贝
测试条件
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V,I
DS
= 1.5毫安
I
GD
= 600
A
V
DS
= 5 V,I
DS
= 70 mA时, F = 18 GHz的
分钟。
130
90
1
8
–
–
–
典型值。
200
120
3
12
22
9
23
马克斯。
270
–
5
–
–
–
–
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
ηadd
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传真
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