Ka波段功率GaAs MESFET芯片
AFM04P2-000
特点
I
21 dBm的输出功率@ 18 GHz的
I
关联度高增益， 9分贝@ 18 GHz的
I
高功率附加效率25 ％
I
宽带运营， DC- 40 GHz的
I
0.25
m
钛/钯/金·盖茨
I
表面钝化
I
通过衬底通孔接地
0.327 mm
0.655 mm
芯片厚度= 0.1毫米。
漏
0.110 mm
0.395 mm
门
0.110 mm
描述
该AFM04P2-000是一款高性能功率的GaAs
具有0.25的栅极长度的MESFET芯片
m
AND A
400总闸周边
m.
该装置具有
出色的增益，并通过40 GHz的动力性能，
使其适合于广泛的商业和
军事应用的振荡器和放大器电路。它
采用的Ti / Pd / Au的门和金属表面
钝化，确保坚固耐用，可靠的组成部分。吞吐量
通路孔基底被并入到芯片中，以
便于源低电感接地的
改善高频率和高增益性能。
绝对最大额定值
特征
漏源极电压（V
DS
)
门源电压（V
GS
)
漏电流（I
DS
)
栅极电流（I
GS
)
总功率耗散（ P
T
)
存储温度（T
ST
)
通道温度（T
CH
)
价值
6V
-4 V
I
DSS
1毫安
700毫瓦
-65到+ 150°C
175°C
电气规格在25℃
参数
饱和漏极电流（I
DSS
)
跨导（GM ）
夹断电压（V
P
)
栅漏
击穿电压（V
BGD
)
1 dB输出功率
压缩（P
1分贝
)
在1 dB压缩增益（G
1分贝
)
功率附加效率（ ηadd ）
1 dB输出功率
压缩（P
1分贝
)
在1 dB压缩增益（G
1分贝
)
功率附加效率（ ηadd ）
热阻（ θ
JC
)
T
BASE
= 25°C
V
DS
= 5 V，I
DS
= 70 mA时， F = 30 GHz的
V
DS
= 5 V，I
DS
= 70 mA时， F = 18 GHz的
测试条件
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
DS
= 1毫安
I
GD
= -400
A
分钟。
90.0
60.0
1.0
8.0
典型值。
140.0
80.0
3.0
12.0
21.0
9.0
25.0
20.0
5.0
15.0
250.0
5.0
马克斯。
190.0
单位
mA
mS
-V
-V
DBM
dB
%
DBM
dB
%
° C / W
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 12 / 99A
1
Ka波段功率GaAs MESFET芯片
AFM04P2-000
典型的S参数（Ⅴ
DS
= 5 V，I
DS
= 70 mA）的
频率。
（千兆赫）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
S
11
MAG 。
0.969
0.958
0.935
0.913
0.893
0.877
0.863
0.852
0.843
0.836
0.831
0.826
0.823
0.821
0.819
0.818
0.817
0.817
0.817
0.818
0.819
0.820
0.821
0.822
0.824
0.825
0.826
0.829
0.831
0.833
0.835
0.836
0.838
0.840
0.842
0.844
0.846
0.848
0.850
ANG 。
-37.191
-54.069
-69.318
-82.889
-94.881
-105.468
-114.843
-123.189
-130.670
-137.422
-143.563
-149.188
-154.374
-159.187
-163.679
-167.895
171.872
-175.369
-179.221
177.359
174.083
170.936
167.905
164.969
162.148
159.403
156.737
154.144
151.618
149.155
146.649
144.398
142.097
139.845
137.637
135.472
133.347
131.261
129.211
MAG 。
5.040
4.740
4.398
4.050
3.719
3.415
31.420
2.898
2.683
2.492
2.322
2.171
2.036
1.914
1.805
1.605
1.615
1.532
1.456
1.386
1.321
1.261
1.205
1.512
1.103
1.057
1.013
0.972
0.922
0.895
0.860
0.826
0.794
0.764
0.734
0.706
0.679
0.653
0.628
S
21
ANG 。
153.579
141.521
130.518
120.568
111.573
103.398
95.911
88.991
82.540
67.477
70.736
65.267
60.027
54.985
50.114
45.393
40.805
36.335
31.973
27.760
23.535
19.445
15.343
11.498
6.633
3.836
0.105
-3.563
-7.169
-10.714
-14.200
-17.627
-20.996
-24.308
-27.563
-30.761
-33.903
-36.988
-40.017
MAG 。
0.029
0.041
0.051
0.058
0.064
0.068
0.071
0.073
0.074
0.075
0.076
0.076
0.076
0.065
0.074
0.074
0.073
0.072
0.071
0.060
0.069
0.068
0.067
0.066
0.065
0.064
0.063
0.062
0.062
0.061
0.061
0.061
0.061
0.061
0.061
0.061
0.061
0.062
0.063
S
12
ANG 。
68.605
59.064
50.587
43.171
36.722
31.107
26.196
21.873
18.042
14.624
11.558
8.796
6.302
4.047
2.007
0.167
-1.486
-2.961
-4.266
-5.405
-6.382
-7.201
-7.863
-8.371
-8.728
-8.937
-9.004
-8.937
-8.740
-8.427
-8.010
-7.502
-6.920
-6.281
-5.604
-4.907
-4.209
-3.525
-2.874
MAG 。
0.550
0.533
0.514
0.497
0.482
0.471
0.462
0.456
0.453
0.452
0.453
0.455
0.459
0.464
0.470
0.477
0.484
0.492
0.501
0.510
0.520
0.530
0.540
0.551
0.561
0.572
0.583
0.594
0.605
0.616
0.627
0.638
0.648
0.659
0.670
0.680
0.690
0.700
0.710
S
22
ANG 。
-18.296
-26.529
-33.959
-40.630
-46.663
-52.183
-57.310
-62.138
-66.738
-71.161
-75.442
-79.606
-83.671
-87.648
-91.546
-95.372
-99.129
-102.821
-106.451
-110.021
-113.533
-116.989
-120.389
-123.737
-127.031
-130.275
-133.468
-136.612
-139.606
-142.754
-145.754
-148.608
-151.615
-154.477
-157.293
-160.065
-162.693
-165.477
-168.117
k
0.100
0.150
0.200
0.250
0.299
0.349
0.398
0.447
0.496
0.544
0.593
0.641
0.688
0.735
0.781
0.827
0.872
0.916
0.959
1.001
1.041
1.069
1.116
1.150
1.181
1.210
1.235
1.256
1.273
1.285
1.292
1.294
1.291
1.283
1.270
1.251
1.228
1.202
1.171
MAG
（ dB）的
22.364
20.613
19.278
18.247
17.658
17.104
16.464
15.986
15.566
15.193
14.858
14.447
14.285
14.037
13.811
13.063
13.412
13.235
13.071
12.753
11.534
10.915
10.431
10.024
9.671
9.358
9.080
8.830
8.604
8.403
8.222
8.061
7.920
7.797
7.694
7.611
6.550
7.513
7.504
S参数包括两个0.8密耳直径的键合线的影响，每10密耳长，每个栅极和漏极端子。
2
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