AFE5805

www.ti.com.................................................................................................................................................

SBOS421C - 2008年3月 - 修订2008年10月

完全集成的8通道模拟前端超声

0.85nV / √Hz的， 12位， 50MSPS ， 122mW /通道

1

特点

描述

该AFE5805是一个完整的模拟前端设备

专门针对超声波系统而设计的

需要低功耗和小尺寸。

该AFE5805包括八个频道，其中包括一个

低噪声

扩音器

（LNA），

压控

衰减器（ VCA ） ，可编程增益放大器

（PGA），低通滤波器（ LPF）和一个12位的

模拟 - 数字转换器（ADC ）具有低电压

差分信令（LVDS）数据输出。

LNA增益被设置为20分贝增益，并具有优异的

噪声和信号处理功能，包括快速

过载恢复。 VCA增益可在很大的46分贝

范围内具有一个0V至1.2V控制电压共同所有

该AFE5805的通道。

PGA增益可以编程为为20dB增益，

25分贝， 27分贝和30分贝。内部的低通滤波器

也可以被编程到10MHz或15MHz的。

ADC的LVDS输出减少的数量

接口线的ASIC或FPGA中，从而使

高系统集成密度所需的

便携式系统。该ADC可以被操作

与内部或外部参考。该ADC还

设有一个信号 - 噪声比（SNR）的增强

模式，可以在高增益是有用的。

该AFE5805是

135-ball

BGA

（符合RoHS标准）

操作从0℃下

SPI

8通道的完整模拟前端：

- 低噪声放大器， VCA ，PGA，低通滤波器和ADC

超低，全信道噪声：

- 0.85nV / √Hz的（ TGC ）

- 1.1nV / √Hz的（ CW ）

低功耗：

- 122mW /通道（ 40MSPS ）

- 74mW /通道（ CW模式）

低噪声前置放大器（ LNA ） ：

- 0.75nV / √Hz的

- 20分贝固定增益

= 250mV的

PP

线性输入范围

可变增益放大器：

- 增益控制范围： 46分贝

PGA增益设置： 20分贝， 25分贝， 27分贝， 30分贝

低通滤波器：

- 可选择BW ： 10MHz的， 15MHz的

- 第二阶

增益误差： ± 0.5分贝

通道匹配： ± 0.25分贝

失真， HD2 ： -65dBFS在5MHz

夹紧控制

快速过载恢复：两个时钟周期

12位模拟数字转换器：

- 10MSPS至50MSPS

- 69.5分贝SNR在10MHz

- 串行LVDS接口

集成CW开关矩阵

型15mm x 9毫米， 135 - BGA封装形式：

- 无铅（符合RoHS标准）和绿

23

在型15mm x 9毫米可用，

包

那

is

无铅

和绿色。它被指定为

至+ 70°C 。

逻辑/控制

LVDS

OUT

IN1

8通道

.

.

.

.

LNA

VCA / PGA

IN8

钳

和

LPF

12-Bit

ADC

CH1

.

.

CH8

应用

医疗成像，超声

便携式系统

参考

CW开关矩阵（ 8

10)

I

OUT

(10)

AFE5805

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

英飞凌英飞凌科技公司的注册商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

AFE5805

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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

包装/订货信息

(1) (2)

包

代号

ZCF

操作

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

订购

数

AFE5805ZCFR

AFE5805

FBGA-135

AFE5805ZCFT

AFE5805ZCF

(1)

(2)

运输

媒体， QUANTITY

磁带和卷轴1000

磁带和卷轴， 250

纸盒， 160

无铅，绿色

产品

PACKAGE -LEAD

生态状况

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

这些封装符合无铅（ Pb），并且绿色制造规格。更多详细信息，包括具体的物质含量

可以访问

www.ti.com/leadfree 。

格林： TI定义的绿色意味着铅（ Pb）并在此外，使用不含有卤素更少的包装材料，其中包括

溴（Br） ，或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。 N / A ：尚未提供无铅（Pb ） - 免费;为估计转换

红枣，去

www.ti.com/leadfree 。

无铅： TI定义的铅（Pb ） - 免费意味着符合RoHS标准，其中包括铅浓度

不超过产品总重量的0.1％，并且，如果设计成焊接，适合于特定的无铅软钎焊用

流程。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。

AFE5805

电源电压范围， AVDD1

电源电压范围， AVDD2

电源电压范围， AVDD_5V

电源电压范围， DVDD

电源电压范围， LVDD

AVSS1和LVSS之间的电压

电压模拟量输入

适用于REFT引脚的外部电压

适用于REFB引脚的外部电压

电压数字输入

峰值焊接温度

(2)

最高结温，T

J

存储温度范围

工作温度范围

HBM

ESD额定值

清洁发展机制

MM

(1)

(2)

-0.3到+3.9

-0.3到+3.9

-0.3 +6

-0.3到+3.9

-0.3到+2.2

-0.3到+0.3

-0.3到最小[ 3.6 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]

-0.3至+3

-0.3 + 2

-0.3到最小[ 3.9 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]

+260

+125

-55到+150

0至+70

2000

1000

100

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

°C

°C

°C

°C

V

V

V

强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件

工作会

降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件

这些规定的不支持。

设备符合JSTD - 020D 。

2

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电气特性

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0μF ） ，

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

AFE5805

参数

前置放大器（ LNA）的

收益

输入电压

空白

测试条件

民

典型值

最大

单位

A

V

IN

e

n

（ RTI）的

i

n

（ RTI）的

V

CMI

BW

(1)

SE-输入至差分输出

线性运算（ HD2

≤

–40dB)

通过内部二极管的限制

R

S

= 0Ω ， F = 1MHz的

内部产生

小信号， -3dB

在f = 4MHz的

包括内部的ESD和钳位二极管

20

250

600

0.75

3

2.4

70

8

16

dB

mV

PP

mV

PP

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

V

兆赫

k

pF

最大输入电压

输入电压噪声（ TGC ）

输入电流噪声

共模电压，输入

带宽

输入阻抗

输入电容

(1)

FULL-信道（ LNA + VCA + LPF + ADC ）

输入电压噪声（ TGC ）

e

n

NF

LPF

R

S

= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝

R

S

= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 20分贝

噪声系数

低通flter带宽

带宽公差

高通滤波器

群延迟变化

过载恢复

准确性

增益（ PGA）的

总增益，最大

(2)

增益范围

(3)

0.85

1.08

1.5

10, 15

±10

纳伏/赫兹÷

纳伏/赫兹÷

dB

兆赫

%

千赫

ns

时钟周期

R

S

= 200Ω ， F = 5MHz时

在-3dB ，通过SPI可选择

HPF

（一阶，由于内部交流耦合）

200

±3

≤

6分贝超载在1％以内

2

通过可选的SPI

LNA + PGA增益，V

CNTL

= 1.2V

V

CNTL

= 0V至1.2V

V

CNTL

= 0.1V至1.0V

0V ＆ LT ; V

CNTL

＆ LT ; 0.1V

0.1V < V

CNTL

＆ LT ; 1.0V

1.0V ＆ LT ; V

CNTL

＆ LT ; 1.2V

–1.5

48

20, 25, 27, 30

49.5

46

40

±0.5

±0.5

±0.5

–0.5

–39

±5

±0.25

+0.5

+39

+1.5

51

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

最低位

PPM /°C的

V

PP

V

PP

V

分贝/ V

k

s

dBFS的

dBFS的

dBFS的

增益误差，绝对

增益匹配

偏移误差

失调误差漂移（温度系数）

钳位电平

通道到通道

V

CNTL

= 1.0V ， PGA = 30分贝

CL = 0

CL = 1 （夹禁用）

1.7

2.8

增益控制（ VCA ）

输入电压范围

增益斜率

输入阻抗

响应时间

动态性能

信噪比

SNR

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 10MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

59.8

59.6

58.8

V

CNTL

= 0V至1.2V的步骤;到90 ％的信号

V

CNTL

增益范围= 46分贝

V

CNTL

= 0.1V至1.0V

01.2

44.4

25

0.5

(1)

(2)

(3)

SEE

图33 。

不包括内部ADC数字增益。

排除故障的内部参考。

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3

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电气特性（续）

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0μF ） ，

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

AFE5805

参数

动态性能（续）

二次谐波失真

HD2

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -6dBFS ， PGA = 20分贝

第三谐波失真

HD3

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -6dBFS ， PGA = 20分贝

互调失真

相声

CW-信号通道

输入电压噪声（ CW）

输出噪声的相关系数

输出的跨导（ V / I）

动态的连续输出电流，

最大

静态连续输出电流（漏）

输出共模

电压

(4)

输出阻抗

输出电容

内部基准电压（ ADC）

参考顶部

参考下

VREFT - VREFB

共模电压

（内部）

V

CM

输出电流

外部参考电压（ ADC）

参考顶部

参考下

VREFT - VREFB

开关电流

(5)

测试条件

民

典型值

最大

单位

–70

–54

–61

–65

–69

–58

–51

–56

–59

–78

58.5

–67

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBc的

dBc的

IMD3

f

1

= 4.99MHz的-6dBFS ，

f

2

= 5.01MHz在-32dBFS

f

IN

= 5MHz时， -1dBFS ， PGA = 30分贝

e

n

R

S

= 0Ω ， F = 1MHz的

八通道求和

在V

IN

= 100mV的

PP

14

1.1

0.6

15.6

2.9

0.9

2.5

50

10

18

纳伏/赫兹÷

dB

毫安/ V

mA

PP

mA

V

k

pF

I

OUTAC

I

OUTDC

VCM

VREFT

VREFB

1.95

V

CM

1.425

0.5

2.5

2

1.5

±2

2.05

1.575

V

V

V

V

mA

VREFT

VREFB

2.4

0.4

1.9

2.5

0.5

2.6

0.6

2.1

V

V

V

mA

2.5

(4)

(5)

CW输出需要的+ 2.5V外加偏置电压。

电流从外部参考电压的8通道ADC绘制;采购的VREFT ，下沉的VREFB 。

4

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电气特性（续）

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0μF ） ，

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

AFE5805

参数

电源

电源电压

AVDD1 ， AVDD2 ， DVDD

AVDD_5V

LVDD

电源电流

IAVDD1 （ADC）的

IAVDD2 （ VCA ）

AT 40MSPS

TGC模式

CW模式

IAVDD_5V （ VCA ）

TGC模式

CW模式

IDVDD （ VCA ）

ILVDD （ADC）的

功耗，总

AT 40MSPS

所有通道， TGC模式下，无信号

所有通道， CW模式，无信号

(6)

测试条件

民

典型值

最大

单位

操作

操作

3.15

4.75

1.7

3.3

5

1.8

3.47

5.25

1.9

V

V

V

99

146

79

8

55

1.5

70

980

580

615

110

156

85

10

61

3.0

80

1080

620

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mW

mW

mW

TGC模式下，没有时钟应用，无信号

掉电模式

掉电耗散，总

掉电响应时间

上电响应时间

掉电耗散

(7)

(7)

(7)

完全关断模式

64

1.0

85

mW

s

s

mW

PD以有效的输出（ 90 ％的水平）

部分掉电模式

50

233

热特性

温度范围

热阻

T

JA

T

JC

0

32

4.2

+70

°C

° C / W

° C / W

(6)

(7)

CW模式运转时的ADC部分被断电。

随着VCA_PD和ADC_PD引脚=高。该ADC_PD引脚配置为局部断电（见

掉电模式

部分） 。

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完全集成的8通道模拟前端超声

0.85nV / √Hz的， 12位， 50MSPS ， 122mW /通道

检查样品：

AFE5805

1

特点

8通道的完整模拟前端：

- 低噪声放大器， VCA ，PGA，低通滤波器和ADC

超低，全信道噪声：

- 0.85nV / √Hz的（ TGC ）

- 1.1nV / √Hz的（ CW ）

低功耗：

- 122mW /通道（ 40MSPS ）

- 74mW /通道（ CW模式）

低噪声前置放大器（ LNA ） ：

- 0.75nV / √Hz的

- 20分贝固定增益

= 250mV的

PP

线性输入范围

可变增益放大器：

- 增益控制范围： 46分贝

PGA增益设置： 20分贝， 25分贝， 27分贝， 30分贝

低通滤波器：

- 可选择BW ： 10MHz的， 15MHz的

- 第二阶

增益误差： ± 0.5分贝

通道匹配： ± 0.25分贝

失真， HD2 ： -65dBFS在5MHz

夹紧控制

快速过载恢复：两个时钟周期

12位模拟数字转换器：

- 10MSPS至50MSPS

- 69.5分贝SNR在10MHz

- 串行LVDS接口

集成CW开关矩阵

型15mm x 9毫米， 135 - BGA封装形式：

- 无铅（符合RoHS标准）和绿

描述

该AFE5805是一个完整的模拟前端设备

专门针对超声波系统而设计的

需要低功耗和小尺寸。

该AFE5805包括八个频道，其中包括一个

低噪声

扩音器

（LNA），

压控

衰减器（ VCA ） ，可编程增益放大器

（PGA），低通滤波器（ LPF）和一个12位的

模拟 - 数字转换器（ADC ）具有低电压

差分信令（LVDS）数据输出。

LNA增益被设置为20分贝增益，并具有优异的

噪声和信号处理功能，包括快速

过载恢复。 VCA增益可在很大的46分贝

范围内具有一个0V至1.2V控制电压共同所有

该AFE5805的通道。

PGA增益可以编程为为20dB增益，

25分贝， 27分贝和30分贝。内部的低通滤波器

也可以被编程到10MHz或15MHz的。

ADC的LVDS输出减少的数量

接口线的ASIC或FPGA中，从而使

高系统集成密度所需的

便携式系统。该ADC可以被操作

与内部或外部参考。该ADC还

设有一个信号 - 噪声比（SNR）的增强

模式，可以在高增益是有用的。

该AFE5805是

135-ball

BGA

（符合RoHS标准）

操作从0℃下

SPI

23

在型15mm x 9毫米可用，

包

那

is

无铅

和绿色。它被指定为

至+ 70°C 。

逻辑/控制

LVDS

OUT

IN1

8通道

.

.

.

.

LNA

VCA / PGA

IN8

钳

和

LPF

12-Bit

ADC

CH1

.

.

CH8

应用

医疗成像，超声

便携式系统

参考

CW开关矩阵（ 8

10)

I

OUT

(10)

AFE5805

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

英飞凌英飞凌科技公司的注册商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权所有 2008-2010 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

AFE5805

SBOS421D - 2008年3月 - 修订2010年3月

www.ti.com

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

包装/订货信息

(1)

产品

AFE5805

PACKAGE -LEAD

mFBGA-135

包

代号

ZCF

操作

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

订购

数

AFE5805ZCFR

AFE5805ZCFT

AFE5805ZCF

(1)

(2)

(2)

运输

媒体， QUANTITY

磁带和卷轴1000

磁带和卷轴， 250

纸盒， 160

生态状况

无铅，绿色

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

这些封装符合无铅（ Pb），并且绿色制造规格。更多详细信息，包括具体的物质含量

可以访问

www.ti.com/leadfree 。

格林： TI定义的绿色意味着铅（ Pb）并在此外，使用不含有卤素更少的包装材料，其中包括

溴（Br） ，或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。 N / A ：尚未提供无铅（Pb ） - 免费;为估计转换

红枣，去

www.ti.com/leadfree 。

无铅： TI定义的铅（Pb ） - 免费意味着符合RoHS标准，其中包括铅浓度

不超过产品总重量的0.1％，并且，如果设计成焊接，适合于特定的无铅软钎焊用

流程。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。

AFE5805

电源电压范围， AVDD1

电源电压范围， AVDD2

电源电压范围， AVDD_5V

电源电压范围， DVDD

电源电压范围， LVDD

AVSS1和LVSS之间的电压

电压模拟量输入

适用于REFT引脚的外部电压

适用于REFB引脚的外部电压

电压数字输入

峰值焊接温度

(2)

最高结温，T

J

存储温度范围

工作温度范围

HBM

ESD额定值

清洁发展机制

MM

(1)

(2)

-0.3到+3.9

-0.3到+3.9

-0.3 +6

-0.3到+3.9

-0.3到+2.2

-0.3到+0.3

-0.3到最小[ 3.6 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]

-0.3至+3

-0.3 + 2

-0.3到最小[ 3.9 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]

+260

+125

-55到+150

0至+70

2000

1000

100

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

°C

°C

°C

°C

V

V

V

强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。接触

绝对最大条件

工作会

降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件

这些规定的不支持。

设备符合JSTD - 020D 。

2

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电气特性

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0mF ）

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

AFE5805

参数

前置放大器（ LNA）的

收益

输入电压

blankMaximum

输入电压

输入电压噪声（ TGC ）

输入电流噪声

共模电压，输入

带宽

输入阻抗

(1)

(1)

测试条件

民

典型值

最大

单位

A

V

IN

e

n

（ RTI）的

I

n

（ RTI）的

V

CMI

BW

SE-输入至差分输出

线性运算（ HD2

≤

–40dB)

通过内部二极管的限制

R

S

= 0Ω ， F = 1MHz的

内部产生

小信号， -3dB

在f = 4MHz的

包括内部的ESD和钳位二极管

20

250

600

0.75

3

2.4

70

8

16

dB

mV

PP

mV

PP

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

V

兆赫

k

pF

输入电容

FULL-信道（ LNA + VCA + LPF + ADC ）

输入电压噪声（ TGC ）

e

n

NF

LPF

R

S

= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝

R

S

= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 20分贝

噪声系数

低通滤波器的带宽

带宽公差

高通滤波器

群延迟变化

过载恢复

准确性

增益（ PGA）的

总增益，最大

增益范围

(3)

(2)

0.85

1.08

1.5

10, 15

±10

纳伏/赫兹÷

纳伏/赫兹÷

dB

兆赫

%

千赫

ns

时钟周期

R

S

= 200Ω ， F = 5MHz时

在-3dB ，通过SPI可选择

HPF

（一阶，由于内部交流耦合）

200

±3

≤

6分贝超载在1％以内

2

通过可选的SPI

LNA + PGA增益，V

CNTL

= 1.2V

V

CNTL

= 0V至1.2V

V

CNTL

= 0.1V至1.0V

0V ＆ LT ; V

CNTL

＆ LT ; 0.1V

0.1V < V

CNTL

＆ LT ; 1.0V

1.0V ＆ LT ; V

CNTL

＆ LT ; 1.2V

–1.5

48

20, 25, 27, 30

49.5

46

40

±0.5

±0.5

±0.5

–0.5

–39

±5

±0.25

+0.5

+39

+1.5

51

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

最低位

PPM /°C的

V

PP

V

PP

V

分贝/ V

k

ms

增益误差，绝对

增益匹配

偏移误差

失调误差漂移（温度系数）

钳位电平

通道到通道

V

CNTL

= 1.0V ， PGA = 30分贝

CL = 0

CL = 1 （夹禁用）

1.7

2.8

增益控制（ VCA ）

输入电压范围

增益斜率

输入阻抗

响应时间

动态性能

信噪比

SNR

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 10MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

59.8

59.6

58.8

dBFS的

dBFS的

dBFS的

V

CNTL

= 0V至1.2V的步骤;到90 ％的信号

V

CNTL

增益范围= 46分贝

V

CNTL

= 0.1V至1.0V

01.2

44.4

25

0.5

(1)

(2)

(3)

SEE

图33 。

不包括内部ADC数字增益。

排除故障的内部参考。

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电气特性（续）

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0mF ）

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

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参数

动态性能（续）

二次谐波失真

HD2

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -6dBFS ， PGA = 20分贝

第三谐波失真

HD3

f

IN

= 2MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -1dBFS ， PGA = 30分贝

f

IN

= 5MHz的; -6dBFS ， PGA = 20分贝

互调失真

相声

CW-信号通道

输入电压噪声（ CW）

输出噪声的相关系数

输出跨导

(I

OUT

/V

IN

)

动态的连续输出电流，

最大

静态连续输出电流（漏）

输出共模

电压

(4)

输出阻抗

输出电容

内部基准电压（ ADC）

参考顶部

参考下

VREFT - VREFB

共模电压

（内部）

V

CM

输出电流

外部参考电压（ ADC）

参考顶部

参考下

VREFT - VREFB

开关电流

(5)

测试条件

民

典型值

最大

单位

–70

–54

–61

–65

–69

–58

–51

–56

–59

–78

58.5

–67

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBFS的

dBc的

dBc的

IMD3

f

1

= 4.99MHz的-6dBFS ，

f

2

= 5.01MHz在-32dBFS

f

IN

= 5MHz时， -1dBFS ， PGA = 30分贝

e

n

R

S

= 0Ω ， F = 1MHz的

八通道求和

在V

IN

= 100mV的

PP

14

1.1

0.6

15.6

2.9

0.9

2.5

50

10

18

纳伏/赫兹÷

dB

毫安/ V

mA

PP

mA

V

k

pF

I

OUTAC

I

OUTDC

VCM

VREFT

VREFB

1.95

V

CM

1.425

0.5

2.5

2

1.5

±2

2.05

1.575

V

V

V

V

mA

VREFT

VREFB

2.4

0.4

1.9

2.5

0.5

2.6

0.6

2.1

V

V

V

mA

2.5

(4)

(5)

CW输出需要的+ 2.5V外加偏置电压。

电流从外部参考电压的8通道ADC绘制;采购的VREFT ，下沉的VREFB 。

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电气特性（续）

AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ，单端输入LNA ，交流耦合（ 1.0mF ）

V

CNTL

= 1.0V ，女

IN

= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，LVDS缓冲器

设定= 3.5毫安，在环境温度T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。

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参数

电源

电源电压

AVDD1 ， AVDD2 ， DVDD

AVDD_5V

LVDD

电源电流

IAVDD1 （ADC）的

IAVDD2 （ VCA ）

AT 40MSPS

TGC模式

CW模式

IAVDD_5V （ VCA ）

TGC模式

CW模式

IDVDD （ VCA ）

ILVDD （ADC）的

功耗，总

AT 40MSPS

所有通道， TGC模式下，无信号

所有通道， CW模式，无信号

(6)

测试条件

民

典型值

最大

单位

操作

操作

3.15

4.75

1.7

3.3

5

1.8

3.47

5.25

1.9

V

V

V

99

146

79

8

55

1.5

70

980

580

615

110

156

85

10

61

3.0

80

1080

620

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mW

mW

mW

TGC模式下，没有时钟应用，无信号

掉电模式

掉电耗散，总

掉电响应时间

上电响应时间

掉电耗散

(7)

(7)

(7)

完全关断模式

64

1.0

85

mW

ms

ms

mW

PD以有效的输出（ 90 ％的水平）

部分掉电模式

50

233

热特性

温度范围

热阻

T

JA

T

JC

0

32

4.2

+70

°C

° C / W

° C / W

(6)

(7)

CW模式运转时的ADC部分被断电。

随着VCA_PD和ADC_PD引脚=高。该ADC_PD引脚配置为局部断电（见

掉电模式

部分） 。

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