AFE5804
www.ti.com
................................................................................................................................................
SBOS442A - 2008年6月 - 修订2008年9月
完全集成的8通道模拟前端超声
0.89nV / √Hz的， 12位， 40MSPS ， 101mW /通道
1
特点
描述
该AFE5804是一个完整的模拟前端设备
专门针对超声波系统而设计的
需要低功耗和小尺寸。
该AFE5804包括八个频道，其中包括一个
低噪声
扩音器
（LNA），
压控
衰减器（ VCA ） ，可编程增益放大器
（PGA），低通滤波器（ LPF）和一个12位的
模拟 - 数字转换器（ADC ）具有低电压
差分信令（LVDS）数据输出。
LNA增益被设置为20分贝增益，并具有优异的
噪声和信号处理功能，包括快速
过载恢复。 VCA增益可在很大的46分贝
范围内具有一个0V至1.2V控制电压共同所有
该AFE5804的通道。
PGA增益可以编程为为20dB增益，
25分贝， 27分贝和30分贝。内部的低通滤波器
也可以进行编程，以12.5MHz的或17MHz 。
ADC的LVDS输出减少的数量
接口线的ASIC或FPGA中，从而使
高系统集成密度所需的
便携式系统。该ADC可以被操作
与内部或外部参考。该ADC还
设有一个信号 - 噪声比（SNR）的增强
模式，可以在高增益是有用的。
该AFE5804是
135-ball
BGA
（符合RoHS标准）
操作从0℃下
SPI
8通道的完整模拟前端：
- 低噪声放大器， VCA ，PGA，低通滤波器和ADC
电力/噪声优化模式控制：
- 低噪音（全频道） ：
0.89nV / √Hz的（ TGC模式I ）
1.23nV / √Hz的（ TGC模式II ）
1.03nV / √Hz的（PW模式）
- 超低功耗：
101mW /通道（ TGC模式II ）
65mW的/通道（ CW模式）
低噪声前置放大器（ LNA ） ：
- 0.75nV / √Hz的
- 20分贝固定增益
= 280MV
PP
线性输入范围
可变增益放大器：
- 增益控制范围： 46分贝
PGA增益设置： 20分贝， 25分贝， 27分贝， 30分贝
低通滤波器：
- 可选择BW ： 12.5MHz的， 17MHz
- 第二阶，贝塞尔
增益误差： ± 0.5分贝
通道匹配： ± 0.25分贝
夹紧
快速过载恢复：两个时钟周期
12位模拟数字转换器：
- 10MSPS至50MSPS
- 69分贝SNR在10MHz
- 串行LVDS接口
集成CW开关矩阵
型15mm x 9毫米， 135 - BGA封装形式：
- 无铅（符合RoHS标准）和绿
23
在型15mm x 9毫米可用，
包
那
is
无铅
和绿色。它被指定为
至+ 85°C 。
逻辑/控制
LVDS
OUT
IN1
8通道
.
.
.
.
LNA
VCA / PGA
IN8
钳
和
LPF
12-Bit
ADC
CH1
.
.
CH8
参考
应用
医疗成像，超声
便携式系统
电池供电系统
CW开关矩阵（ 8
10)
I
OUT
(10)
AFE5804
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
英飞凌英飞凌科技公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
AFE5804
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
包装/订货信息
(1) (2)
包
代号
ZCF
操作
温度
范围
0 ° C至+ 85°C
订购
数
AFE5804ZCFR
AFE5804
FBGA-135
AFE5804ZCFT
AFE5804ZCF
(1)
(2)
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴1000
磁带和卷轴， 250
纸盒， 160
无铅，绿色
产品
PACKAGE -LEAD
生态状况
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
这些封装符合无铅（ Pb），并且绿色制造规格。更多详细信息，包括具体的物质含量
可以访问
www.ti.com/leadfree 。
格林： TI定义的绿色意味着铅（ Pb）并在此外，使用不含有卤素更少的包装材料，其中包括
溴（Br） ，或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。 N / A ：尚未提供无铅（Pb ） - 免费;为估计转换
红枣，去
www.ti.com/leadfree 。
无铅： TI定义的铅（Pb ） - 免费意味着符合RoHS标准，其中包括铅浓度
不超过产品总重量的0.1％，并且，如果设计成焊接，适合于特定的无铅软钎焊用
流程。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
AFE5804
电源电压范围， AVDD1
电源电压范围， AVDD2
电源电压范围， AVDD_5V
电源电压范围， DVDD
电源电压范围， LVDD
AVSS1和LVSS之间的电压
电压模拟量输入
适用于REFT引脚的外部电压
适用于REFB引脚的外部电压
电压数字输入
峰值焊接温度
(2)
最高结温，T
J
存储温度范围
工作温度范围
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
-0.3到+3.9
-0.3到+3.9
-0.3 +6
-0.3到+3.9
-0.3到+2.2
-0.3到+0.3
-0.3到最小[ 3.6 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]
-0.3至+3
-0.3 + 2
-0.3到最小[ 3.9 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]
+260
+125
-55到+150
0至+85
2000
750
150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
V
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。接触
绝对最大条件
工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
设备符合JSTD - 020D 。
2
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电气特性
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
AFE5804
参数
前置放大器（ LNA）的
收益
输入电压（ TGC ， PW模式）
（ CW模式）
最大输入电压
输入电压噪声（ TGC ）
输入电流噪声
共模电压，输入
带宽
输入阻抗
输入电容
e
n
（ RTI）的
I
n
（ RTI）的
V
CMI
BW
R
IN
C
IN
A
V
IN
SE-输入至差分输出
线性运算（ HD2
≤
40dB)
线性操作
通过内部二极管的限制
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的
TGC模式I
TGC模式II
内部产生
小信号， -3dB
为2.5MHz
包括内部的ESD钳位和
二极管
20
280
220
600
0.75
3
1.7
2.4
55
8
16
dB
mV
PP
mV
PP
mV
PP
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
V
兆赫
k
pF
测试条件
民
典型值
最大
单位
FULL-信道（ LNA + VCA + LPF + ADC ）
输入电压噪声
（ TGC模式I ）
输入电压噪声（ TGC模式II ）
输入电压噪声（ PW模式）
噪声系数
低通滤波器的带宽
带宽公差
高通滤波器
群延迟变化
过载恢复
准确性
增益（ PGA）的
总增益，最大
(1)
增益范围
通过可选的SPI
LNA + PGA增益，V
CNTL
= 1.2V
V
CNTL
= 0V至1.2V
V
CNTL
= 0.1V至1.0V
0V ＆ LT ; V
CNTL
＆ LT ; 0.1V
增益误差，绝对
(2)
0.1V < V
CNTL
＆ LT ; 1.0V
1.0V ＆ LT ; V
CNTL
＆ LT ; 1.2V
增益匹配
偏移误差
失调误差漂移（温度系数）
钳位电平
增益控制（ VCA ）
输入电压范围
增益斜率
输入阻抗
响应时间
V
CNTL
= 0V至1.2V的步骤;到90 ％的信号
V
CNTL
增益范围= 46分贝
V
CNTL
= 0.1V至1.0V
01.2
44.4
25
0.5
V
分贝/ V
k
s
级内部固定LPF前
通道到通道
V
CNTL
= 1.2V ， PGA = 30分贝
–0.5
–39
±5
2.3
–1.5
47.5
20, 25, 27, 30
49
46
40
±0.5
±0.5
±0.5
±0.25
+0.5
+39
+1.5
50.5
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
最低位
PPM /°C的
V
PP
HPF
（一阶，由于内部交流耦合）
1MHz至10MHz的
≤
6分贝超载在3％以内，
V
CNTL
= 0V至1.2V
NF
LPF
e
n
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 200Ω ， F = 2MHz的
在-3dB ，通过SPI可选择
0.89
1.23
1.03
1.1
12.5, 17
±10
200
±3
2
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
dB
兆赫
%
千赫
ns
时钟周期
(1)
(2)
不包括内部ADC数字增益。
排除故障的内部参考。
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电气特性（续）
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
AFE5804
参数
动态性能
f
IN
= 2MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1.0V ， PGA = 30分贝）
信噪比
SNR
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
f
IN
= 10MHz的; -1dBFS
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 0.35V ， PGA = 30分贝）
二次谐波失真
HD2
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 30分贝）
f
IN
= 5MHz的; -6dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 20分贝）
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 0.35V ， PGA = 30分贝）
第三谐波失真
HD3
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 30分贝）
f
IN
= 5MHz的; -6dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 20分贝）
互调失真
相声
CW-信号通道
输入电压噪声（ CW）
输出噪声的相关系数
输出的跨导（ V / I）
动态的连续输出电流，最大
静态连续输出电流（漏）
输出共模电压
输出阻抗
输出电容
内部基准电压（ ADC）
参考顶部
参考下
VREFT - VREFB
共模电压（内部）
VCM输出电流
VCM
VREFT
VREFB
1.95
1.425
0.5
2.5
2
1.5
±2
2.05
1.575
V
V
V
V
mA
(3)
测试条件
民
典型值
最大
单位
59.7
59.5
59.1
–45
–50
–61
–70
–70
–43
–43
–61
–50
–70
58
–67
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
IMD3
f
1
= 4.99MHz的-6dBFS ，
f
2
= 5.01MHz在-32dBFS
f
IN
≤
为5MHz ，V
CNTL
= 0.6V ， -6dBFS
e
n
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的
八通道求和
在V
IN
= 100mV的
PP
在V
IN
= 270mV
PP
1.1
0.6
13.8
12.2
2.9
0.9
2.5
50
10
纳伏/赫兹÷
%
毫安/ V
毫安/ V
mA
PP
mA
V
k
pF
I
OUTAC
I
OUTDC
VCM
(3)
CW输出需要的+ 2.5V外加偏置电压。
4
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电气特性（续）
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
AFE5804
参数
外部参考电压（ ADC）
参考顶部
参考下
VREFT - VREFB
开关电流
(4)
电源
电源电压
AVDD1 ， AVDD2 ， DVDD
AVDD_5V
LVDD
电源电流
IAVDD1 （ADC）的
IAVDD2 （ VCA ）
TGC模式I
CW模式
TGC模式I
CW模式
99
123
63
7
54
1.5
68
所有通道， TGC模式下我，无信号
所有通道， TGC模式II ，无信号
功耗，总
(5)
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREFT
VREFB
2.4
0.4
1.9
2.5
0.5
2.6
0.6
2.1
V
V
V
mA
2.5
AT 40MSPS
操作
操作
3.15
4.75
1.7
3.3
5
1.8
3.47
5.25
1.9
V
V
V
110
136
75
10
61
3.0
80
985
898
925
575
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
IAVDD_5V （ VCA ）
IDVDD （ VCA ）
ILVDD （ADC）的
896
808
840
525
528
所有通道， PW模式，无信号
所有通道， CW模式，无信号
(6)
无时钟应用，无信号
掉电模式
掉电耗散，总
掉电响应时间
上电响应时间
掉电耗散
(7)
完全关断模式
52
1.0
68
mW
s
s
mW
PD以有效的输出（ 90 ％的水平）
部分掉电模式
50
95
热特性
温度范围
热电阻，T
JA
热电阻，T
JC
0
32
4.2
85
°C
° C / W
° C / W
(4)
(5)
(6)
(7)
电流从外部参考电压的8通道ADC绘制;采购的VREFT ，下沉的VREFB 。
可编程电源影响的前端; ADC的功耗保持在约57MW /通道40MSPS不变。
在CW模式ADC断电。
在VCA_PD引脚拉高;又见掉电时序图。
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完全集成的8通道模拟前端超声
0.89nV / √Hz的， 12位， 40MSPS ， 101mW /通道
1
特点
描述
该AFE5804是一个完整的模拟前端设备
专门针对超声波系统而设计的
需要低功耗和小尺寸。
该AFE5804包括八个频道，其中包括一个
低噪声
扩音器
（LNA），
压控
衰减器（ VCA ） ，可编程增益放大器
（PGA），低通滤波器（ LPF）和一个12位的
模拟 - 数字转换器（ADC ）具有低电压
差分信令（LVDS）数据输出。
LNA增益被设置为20分贝增益，并具有优异的
噪声和信号处理功能，包括快速
过载恢复。 VCA增益可在很大的46分贝
范围内具有一个0V至1.2V控制电压共同所有
该AFE5804的通道。
PGA增益可以编程为为20dB增益，
25分贝， 27分贝和30分贝。内部的低通滤波器
也可以进行编程，以12.5MHz的或17MHz 。
ADC的LVDS输出减少的数量
接口线的ASIC或FPGA中，从而使
高系统集成密度所需的
便携式系统。该ADC可以被操作
与内部或外部参考。该ADC还
设有一个信号 - 噪声比（SNR）的增强
模式，可以在高增益是有用的。
该AFE5804是
135-ball
BGA
（符合RoHS标准）
操作从0℃下
SPI
8通道的完整模拟前端：
- 低噪声放大器， VCA ，PGA，低通滤波器和ADC
电力/噪声优化模式控制：
- 低噪音（全频道） ：
0.89nV / √Hz的（ TGC模式I ）
1.23nV / √Hz的（ TGC模式II ）
1.03nV / √Hz的（PW模式）
- 超低功耗：
101mW /通道（ TGC模式II ）
65mW的/通道（ CW模式）
低噪声前置放大器（ LNA ） ：
- 0.75nV / √Hz的
- 20分贝固定增益
= 280MV
PP
线性输入范围
可变增益放大器：
- 增益控制范围： 46分贝
PGA增益设置： 20分贝， 25分贝， 27分贝， 30分贝
低通滤波器：
- 可选择BW ： 12.5MHz的， 17MHz
- 第二阶，贝塞尔
增益误差： ± 0.5分贝
通道匹配： ± 0.25分贝
夹紧
快速过载恢复：两个时钟周期
12位模拟数字转换器：
- 10MSPS至50MSPS
- 69分贝SNR在10MHz
- 串行LVDS接口
集成CW开关矩阵
型15mm x 9毫米， 135 - BGA封装形式：
- 无铅（符合RoHS标准）和绿
23
在型15mm x 9毫米可用，
包
那
is
无铅
和绿色。它被指定为
至+ 85°C 。
逻辑/控制
LVDS
OUT
IN1
8通道
.
.
.
.
LNA
VCA / PGA
IN8
钳
和
LPF
12-Bit
ADC
CH1
.
.
CH8
参考
应用
医疗成像，超声
便携式系统
电池供电系统
CW开关矩阵（ 8
10)
I
OUT
(10)
AFE5804
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
英飞凌英飞凌科技公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
AFE5804
SBOS442B - 2008年6月 - 修订十一月2008..................................................................................................................................................
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
包装/订货信息
(1) (2)
包
代号
ZCF
操作
温度
范围
0 ° C至+ 85°C
订购
数
AFE5804ZCFR
AFE5804
FBGA-135
AFE5804ZCFT
AFE5804ZCF
(1)
(2)
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴1000
磁带和卷轴， 250
纸盒， 160
无铅，绿色
产品
PACKAGE -LEAD
生态状况
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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这些封装符合无铅（ Pb），并且绿色制造规格。更多详细信息，包括具体的物质含量
可以访问
www.ti.com/leadfree 。
格林： TI定义的绿色意味着铅（ Pb）并在此外，使用不含有卤素更少的包装材料，其中包括
溴（Br） ，或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。 N / A ：尚未提供无铅（Pb ） - 免费;为估计转换
红枣，去
www.ti.com/leadfree 。
无铅： TI定义的铅（Pb ） - 免费意味着符合RoHS标准，其中包括铅浓度
不超过产品总重量的0.1％，并且，如果设计成焊接，适合于特定的无铅软钎焊用
流程。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
AFE5804
电源电压范围， AVDD1
电源电压范围， AVDD2
电源电压范围， AVDD_5V
电源电压范围， DVDD
电源电压范围， LVDD
AVSS1和LVSS之间的电压
电压模拟量输入
适用于REFT引脚的外部电压
适用于REFB引脚的外部电压
电压数字输入
峰值焊接温度
(2)
最高结温，T
J
存储温度范围
工作温度范围
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
-0.3到+3.9
-0.3到+3.9
-0.3 +6
-0.3到+3.9
-0.3到+2.2
-0.3到+0.3
-0.3到最小[ 3.6 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]
-0.3至+3
-0.3 + 2
-0.3到最小[ 3.9 ， （ AVDD2 + 0.3 ） ]
+260
+125
-55到+150
0至+85
2000
750
150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
V
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。接触
绝对最大条件
工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
设备符合JSTD - 020D 。
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2008 ，德州仪器
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SBOS442B - 2008年6月 - 修订2008年11月
电气特性
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
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参数
前置放大器（ LNA）的
收益
输入电压（ TGC ， PW模式）
（ CW模式）
最大输入电压
输入电压噪声（ TGC ）
输入电流噪声
共模电压，输入
带宽
输入阻抗
输入电容
e
n
（ RTI）的
I
n
（ RTI）的
V
CMI
BW
R
IN
C
IN
A
V
IN
SE-输入至差分输出
线性运算（ HD2
≤
40dB)
线性操作
通过内部二极管的限制
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的
TGC模式I
TGC模式II
内部产生
小信号， -3dB
为2.5MHz
包括内部的ESD钳位和
二极管
20
280
220
600
0.75
3
1.7
2.4
55
8
16
dB
mV
PP
mV
PP
mV
PP
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
V
兆赫
k
pF
测试条件
民
典型值
最大
单位
FULL-信道（ LNA + VCA + LPF + ADC ）
输入电压噪声
（ TGC模式I ）
输入电压噪声（ TGC模式II ）
输入电压噪声（ PW模式）
噪声系数
低通滤波器的带宽
带宽公差
高通滤波器
群延迟变化
过载恢复
准确性
增益（ PGA）的
总增益，最大
(1)
增益范围
通过可选的SPI
LNA + PGA增益，V
CNTL
= 1.2V
V
CNTL
= 0V至1.2V
V
CNTL
= 0.1V至1.0V
0V ＆ LT ; V
CNTL
＆ LT ; 0.1V
增益误差，绝对
(2)
0.1V < V
CNTL
＆ LT ; 1.0V
1.0V ＆ LT ; V
CNTL
＆ LT ; 1.2V
增益匹配
偏移误差
失调误差漂移（温度系数）
钳位电平
增益控制（ VCA ）
输入电压范围
增益斜率
输入阻抗
响应时间
V
CNTL
= 0V至1.2V的步骤;到90 ％的信号
V
CNTL
增益范围= 46分贝
V
CNTL
= 0.1V至1.0V
01.2
44.4
25
0.5
V
分贝/ V
k
s
级内部固定LPF前
通道到通道
V
CNTL
= 1.2V ， PGA = 30分贝
–0.5
–39
±5
2.3
–1.5
47.5
20, 25, 27, 30
49
46
40
±0.5
±0.5
±0.5
±0.25
+0.5
+39
+1.5
50.5
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
最低位
PPM /°C的
V
PP
HPF
（一阶，由于内部交流耦合）
1MHz至10MHz的
≤
6分贝超载在3％以内，
V
CNTL
= 0V至1.2V
NF
LPF
e
n
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的， PGA = 30分贝
R
S
= 200Ω ， F = 2MHz的
在-3dB ，通过SPI可选择
0.89
1.23
1.03
1.1
12.5, 17
±10
200
±3
2
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
dB
兆赫
%
千赫
ns
时钟周期
(1)
(2)
不包括内部ADC数字增益。
排除故障的内部参考。
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电气特性（续）
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
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参数
动态性能
f
IN
= 2MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1.0V ， PGA = 30分贝）
信噪比
SNR
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
f
IN
= 10MHz的; -1dBFS
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 0.35V ， PGA = 30分贝）
二次谐波失真
HD2
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 30分贝）
f
IN
= 5MHz的; -6dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 20分贝）
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 0.35V ， PGA = 30分贝）
第三谐波失真
HD3
f
IN
= 5MHz的; -1dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 30分贝）
f
IN
= 5MHz的; -6dBFS
(V
CNTL
= 1V ， PGA = 20分贝）
互调失真
相声
CW-信号通道
输入电压噪声（ CW）
输出噪声的相关系数
输出的跨导（ V / I）
动态的连续输出电流，最大
静态连续输出电流（漏）
输出共模电压
输出阻抗
输出电容
内部基准电压（ ADC）
参考顶部
参考下
VREFT - VREFB
共模电压（内部）
V
CM
输出电流
V
CM
VREFT
VREFB
1.95
1.425
0.5
2.5
2
1.5
±2
2.05
1.575
V
V
V
V
mA
(3)
测试条件
民
典型值
最大
单位
59.7
59.5
59.1
–45
–50
–61
–70
–70
–43
–43
–61
–50
–70
58
–67
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBFS的
dBc的
dBc的
IMD3
f
1
= 4.99MHz的-6dBFS ，
f
2
= 5.01MHz在-32dBFS
f
IN
≤
为5MHz ，V
CNTL
= 0.6V ， -6dBFS
e
n
R
S
= 0Ω ， F = 2MHz的
八通道求和
在V
IN
= 100mV的
PP
在V
IN
= 270mV
PP
1.1
0.6
13.8
12.2
2.9
0.9
2.5
50
10
纳伏/赫兹÷
%
毫安/ V
毫安/ V
mA
PP
mA
V
k
pF
I
OUTAC
I
OUTDC
VCM
(3)
CW输出需要的+ 2.5V外加偏置电压。
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电气特性（续）
在AVDD_5V = 5.0V ， AVDD1 AVDD2 = = DVDD = 3.3V ， LVDD = 1.8V ， TGC模式I ，单端输入LNA ，交流耦合
（ 1.0μF ） ，V
CNTL
= 1.0V ，女
IN
= 5MHz时，时钟= 40MSPS ，占空比为50％ ， LPF = 12.5MHz的，内部基准模式， ISET = 56kΩ ，
LVDS缓冲器设置=电流3.5mA，环境温度T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
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参数
外部参考电压（ ADC）
参考顶部
参考下
VREFT - VREFB
开关电流
(4)
电源
电源电压
AVDD1 ， AVDD2 ， DVDD
AVDD_5V
LVDD
电源电流
IAVDD1 （ADC）的
IAVDD2 （ VCA ）
TGC模式I
CW模式
TGC模式I
CW模式
99
123
63
7
54
1.5
68
所有通道， TGC模式下我，无信号
所有通道， TGC模式II ，无信号
功耗，总
(5)
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREFT
VREFB
2.4
0.4
1.9
2.5
0.5
2.6
0.6
2.1
V
V
V
mA
2.5
AT 40MSPS
操作
操作
3.15
4.75
1.7
3.3
5
1.8
3.47
5.25
1.9
V
V
V
110
136
75
10
61
3.0
80
985
898
925
575
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
IAVDD_5V （ VCA ）
IDVDD （ VCA ）
ILVDD （ADC）的
896
808
840
525
528
所有通道， PW模式，无信号
所有通道， CW模式，无信号
(6)
无时钟应用，无信号
掉电模式
掉电耗散，总
掉电响应时间
上电响应时间
掉电耗散
(7)
完全关断模式
52
1.0
68
mW
s
s
mW
PD以有效的输出（ 90 ％的水平）
部分掉电模式
50
95
热特性
温度范围
热电阻，T
JA
热电阻，T
JC
0
32
4.2
85
°C
° C / W
° C / W
(4)
(5)
(6)
(7)
电流从外部参考电压的8通道ADC绘制;采购的VREFT ，下沉的VREFB 。
可编程电源影响的前端; ADC的功耗保持在约57MW /通道40MSPS不变。
在CW模式ADC断电。
在VCA_PD引脚拉高;参见
掉电时序
图。
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5
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