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AF9928N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 低导通电阻
- 能够2.5V栅极驱动
- 优化DC / DC电池应用
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
产品概述
BV
DSS
(V)
20
r
DS （ ON）
(m)
23
I
D
(A)
5
引脚分配
引脚说明
D1
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
S2
S2
G2
引脚名称
S1/2
G1/2
D1/2
描述
来源
门
漏
TSSOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
9928N X X X
包
无铅
填料
空白：管或散装
答：带卷&
TS ： TSSOP - 8空白：正常
L：无铅封装
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2005年8月11日
1/5
AF9928N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
（注1 ）
在V
GS
=4.5V
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
在T
A
=25C
在T
A
=70C
在T
A
=25C
等级
20
±12
5
3.5
25
1
0.008
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
（注1 ）
2
o
马克斯。
价值
125
单位
o
C / W
注1 ：
表面装在1 FR4板， 208 ℃/ W的铜垫安装在最小的时候。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
电气特性
在T
J
= 25℃ （除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源导通电阻
（注3）
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V,
T
J
=25C
V
DS
=20V, V
GS
=0V,
T
J
=70C
V
GS
=±12V
I
D
=5A,
V
DS
=10V,
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V,
I
D
=1A,
R
G
=3.3, V
GS
=4.5V
R
D
=10
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
f=1.0MHz
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
21
-
-
-
15.9
1.5
7.4
6.2
9
30
11
530
245
125
马克斯。
-
-
23
29
-
-
1
25
±10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/
o
C
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体
二极管）
正向电压上
（注3）
测试条件
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
T
J
= 25C ，我
S
=5A,
V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.83
1.2
单位
A
V
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/5
修订版1.1
2005年8月11日
AF9928N
N沟道增强型功率MOSFET
典型性能特性
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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修订版1.1
2005年8月11日
AF9928N
N沟道增强型功率MOSFET
典型性能特性（续）
易亨电子股份有限公司
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修订版1.1
2005年8月11日
AF9928N
N沟道增强型功率MOSFET
标识信息
TSSOP-8L
（顶视图）
标志
产品型号
批号：
"X" ：非无铅; "X" ：无铅
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
星期代码：
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
年份代码：
"4" = 2004
工厂代码
~
9928N
AA
宽x
包装信息
封装类型： TSSOP -8L
D
E1
E
L
细节A
e
B
θ
A1
A
C
细节A
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.尺寸不包括模具突起。
符号
A
A1
B
C
D
E
E1
L
e
θ
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
单位：毫米
分钟。
喃。
马克斯。
-
-
1.20
0.05
-
0.15
0.19
-
0.30
-
0.127
-
2.90
3.00
3.10
6.20
6.40
6.60
4.30
4.40
4.50
0.45
0.60
0.75
0.65参考。
o
0
--
8
o
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2005年8月11日
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AT010PR
AT89C52-12PI
AM29LV081-100ECB
AT91R40008
AM29LV160MB100WAI
AD7625
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AF9928N
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    -
    -
    -
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