AF9926N
N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 能够2.5V栅极驱动
- 低导通电阻
- 低驱动电流
- 表面贴装封装
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
产品概述
BV
DSS
(V)
20
R
DS （ ON）
(m)
30
I
D
(A)
6
引脚分配
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D1
D1
D2
D2
引脚名称
S1/2
G1/2
D1/2
描述
来源
门
漏
SO-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
9926N X X X
包
S： SO - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2005年9月5日
1/6
AF9926N
N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
20
±12
6
4.8
26
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
62.5
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源导通电阻
（注3）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=12V
V
GS
=-12V
I
D
=6A,
V
DS
=20V,
V
GS
=5V
V
DS
=10V,
I
D
=1A,
R
G
=6, V
GS
=5V
R
D
=10
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
f=1.0MHz
分钟。
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
20
-
-
-
-
23
4.5
7
30
70
40
65
1035
320
150
马克斯。
-
-
30
45
1.2
-
25
单位
V
V/
o
C
m
V
S
uA
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
门源正向漏
栅极 - 源极反向漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
250
100
-100
35
7
11
60
140
80
130
-
-
-
nA
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
测试条件
连续源电流（体二极管）V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
T
J
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
正向电压上
（注3）
V
GS
=0V
2
o
分钟。
-
-
典型值。
-
0.78
马克斯。
1.54
1.2
单位
V
V
注1 ：
表面装在1 FR4板， 135℃ / W的铜垫安装在最小的时候。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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N沟道增强型功率MOSFET
特点
- 能够2.5V栅极驱动
- 低导通电阻
- 低驱动电流
- 表面贴装封装
概述
先进的功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
产品概述
BV
DSS
(V)
20
R
DS （ ON）
(m)
30
I
D
(A)
6
引脚分配
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D1
D1
D2
D2
引脚名称
S1/2
G1/2
D1/2
描述
来源
门
漏
SO-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
9926N X X X
包
S： SO - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2005年9月5日
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N沟道增强型功率MOSFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
T
A
=25C
T
A
=70C
T
A
=25C
等级
20
±12
6
4.8
26
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W / ℃，
C
C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
（注1 ）
马克斯。
最大
62.5
单位
摄氏度/ W
电气特性
在T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
静态漏源导通电阻
（注3）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C,
I
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=12V
V
GS
=-12V
I
D
=6A,
V
DS
=20V,
V
GS
=5V
V
DS
=10V,
I
D
=1A,
R
G
=6, V
GS
=5V
R
D
=10
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
f=1.0MHz
分钟。
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
20
-
-
-
-
23
4.5
7
30
70
40
65
1035
320
150
马克斯。
-
-
30
45
1.2
-
25
单位
V
V/
o
C
m
V
S
uA
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70
o
C)
门源正向漏
栅极 - 源极反向漏
总栅极电荷
（注3）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
（注3）
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
250
100
-100
35
7
11
60
140
80
130
-
-
-
nA
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
测试条件
连续源电流（体二极管）V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
T
J
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
正向电压上
（注3）
V
GS
=0V
2
o
分钟。
-
-
典型值。
-
0.78
马克斯。
1.54
1.2
单位
V
V
注1 ：
表面装在1 FR4板， 135℃ / W的铜垫安装在最小的时候。铜垫。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大。结温。
注3 ：
脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%.
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www.anachip.com.tw
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