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AF9435P
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
特点
- 低
DS ( ON)
提供更高的效率和扩展
电池寿命
-Miniature SO- 8表面贴装封装保存
电路板空间
- 高功率和电流处理能力
-Extended V
GS
范围(± 25),用于电池组
应用
概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高
细胞密度的过程。低R
DS ( ON)
保证最低
功率损耗并节省能源,使该装置
非常适用于电源管理电路使用。典型
应用是PWMDC -DC转换器,功率
管理在便携式及电池供电的
产品,如计算机,打印机,电池充电器,
通信电源系统和电话
电力系统。
产品概述
V
DS
(V)
-30
r
DS ( ON)
(m)
49@V
GS
=-10V
69@V
GS
=-4.5V
I
D
(A)
-5.7
-5.0
引脚分配
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D
D
D
D
引脚名称
S
G
D
描述
来源
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F: MOSFET
PN
9435P X X X
S: SOP - 8
无铅
空白:正常
L:无铅封装
填料
空白:管或散装
答:带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格,恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2004年7月20日
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AF9435P
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(注1 )
T
A
=25C
T
A
=70C
漏电流脉冲
(注2 )
连续源电流(二极管传导)
(注1 )
T
A
=25C
功耗
(注1 )
T
A
=70C
工作结存储温度范围
等级
-30
±25
±6.5
±5.2
±30
-1.6
3.1
2.0
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
(注1 )
最大结点到环境
(注1 )
t
& LT ;
5秒
t
& LT ;
5秒
最大
25
40
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 :
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 :
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
STATIC
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(注3)
漏源导通电阻
(注3)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V,
T
J
=55C
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.7A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5.0A
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.7A,
T
J
=55C
V
DS
= -15V ,我
D
=-5.7A
I
S
= -2.1A ,V
GS
=0V
V
DS
=-15V, V
GS
=-4.5V,
I
D
=-5.7A
分钟。
-30
-1
-
-
-
-30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
-1.6
-
-
-
-
38
54
42
19
-0.7
6
2.0
2.7
7
13
14
9
马克斯。
-
-3
±100
-1
-5
-
49
69
54
-
-1.2
11
-
-
14
24
25
17
S
V
单位
V
V
nA
uA
A
m
g
fs
转发Tranconductance
(注3)
V
SD
二极管的正向电压
动态
(注4 )
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
开关
t
D(上)
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
nC
V
DD
=-15, R
L
=15,
I
D
= -1A ,V
=-10V,
R
G
=6
nS
注3 :
脉冲测试: PW
& LT ;
300US占空比
& LT ;
2%.
注4 :
通过设计保证,不受生产测试。
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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AF9435P
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
典型性能特性
易亨电子股份有限公司
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AF9435P
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
典型性能特性
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AF9435P
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
标识信息
SOP-8L
(顶视图)
8
标志
产品型号
9435 P
AA
宽x
1
批号:
"X" :非无铅; "X" :无铅
"A Z" : 01 26 ;
"A Z" : 27 52
星期代码:
"A Z" : 01 26 ;
"A Z" : 27 52
年份代码:
"4" = 2004
工厂代码
~
包装信息
封装类型: SOP- 8L
E
H
L
查看"A"
D
7 (4X)
A2
A
0.015x45
7 (4X)
A1
e
B
y
C
查看"A"
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
y
θ
单位:毫米
分钟。
喃。
马克斯。
1.40
1.60
1.75
0.10
-
0.25
1.30
1.45
1.50
0.33
0.41
0.51
0.19
0.20
0.25
4.80
3.70
-
5.79
0.38
-
0
O
5.05
3.90
1.27
5.99
0.71
-
-
5.30
4.10
-
6.20
1.27
0.10
8
O
尺寸以英寸
分钟。
喃。
马克斯。
0.055
0.063
0.069
0.040
-
0.100
0.051
0.057
0.059
0.013
0.016
0.020
0.0075
0.008
0.010
0.189
0.146
-
0.228
0.015
-
0
O
0.199
0.154
0.050
0.236
0.028
-
-
0.209
0.161
-
0.244
0.050
0.004
8
O
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    -
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    -
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联系人:吴
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