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AF70N02

N沟道增强型功率MOSFET

特点

- 低栅极电荷

- 简单的驱动要求

- 快速切换

-Pb免费电镀产品

概述

该TO- 252包装普遍首选的所有

商业，工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器。

产品概述

BV

DSS

(V)

25

R

DS （ ON）

(m)

9

I

D

(A)

66

引脚分配

（前视图）

引脚说明

引脚名称

3

2

1

D

G

S

描述

来源

门

漏

S

G

D

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

PN

70N02 X X

包

D： TO- 252

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

D

S

G

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2005年8月10日

1/6

AF70N02

N沟道增强型功率MOSFET

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

=10V

漏电流脉冲

（注1 ）

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

T

C

=25C

T

C

=100C

T

C

=25C

等级

25

±20

66

42

210

66

0.53

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

W

W / ℃，

C

C

热数据

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻结案件

热阻Junction-环境

马克斯。

马克斯。

最大

1.9

110

单位

摄氏度/ W

摄氏度/ W

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

静态漏源

导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏源漏

电流（T

J

=25C)

漏源漏

电流（T

J

=150C)

门源漏

总栅极电荷

（注2 ）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

（注2 ）

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

参考25℃ ，

I

D

=1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=33A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=20A

V

DS

= V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=33A

V

DS

=25V, V

GS

=0V

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=33A

V

DS

=20V

V

GS

=5V

V

DS

=15V

I

D

=33A

R

G

=3.3, V

GS

=10V

R

D

=0.45

V

GS

=0V

V

DS

=25V,

f=1.0MHz

分钟。

25

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

范围

典型值。

-

0.037

-

-

-

28

-

-

-

23

3

17

8.8

95

24

14

790

475

195

马克斯。

-

-

9

18

3

-

1

uA

25

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

nA

nC

单位

V

V / OC

m

V

S

nS

pF

源极 - 漏极二极管

符号。

I

S

I

SM

V

SD

参数

测试条件

连续源电流（体二极管）V

D

=V

G

=0V, V

S

=1.26V

脉冲源电流（体二极管）

（注1 ）

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

马克斯。

66

210

1.26

单位

A

A

V

正向电压上

（注2 ）

T

J

= 25 ° C，I

S

=66A,

V

GS

=0V

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2005年8月10日

AF70N02

N沟道增强型功率MOSFET

漏源雪崩额定值

符号。

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

测试条件

V

DD

= 25V ，我

D

=35A,

L = 100UH ，V

GS

=10V

分钟。

-

-

典型值。

-

-

马克斯。

61

35

单位

mJ

A

注1 ：

脉冲宽度有限的安全工作区。

注2 ：

脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％。

典型性能特性

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

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2005年8月10日

AF70N02

N沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（续）

图5.最大漏极电流V.S.

外壳温度

图6.典型功耗

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

图9.栅极电荷特性

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图10.典型的电容特性

1.0版

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AF70N02

N沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（续）

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

图13.开关时间电路

图14.开关时间波形

图15.栅极电荷电路

图16.栅极电荷波形

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