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AF4910N
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
- 低
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命
-Miniature SO- 8表面贴装封装保存
电路板空间
- 高功率和电流处理能力
- 低侧高电流DC- DC转换器
应用
概述
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。
典型的应用是PWM DC-DC
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(m)
13.5@V
GS
=10V
20@V
GS
=4.5V
I
D
(A)
10
8
引脚分配
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D1
D1
D2
D2
引脚名称
S1/2
G1/2
D1/2
描述
频道1/2来源
频道1/2门
频道1/2漏
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4910N X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2004年7月20日
1/5
AF4910N
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
（注1 ）
T
A
=25C
T
A
=70C
漏电流脉冲
（注2 ）
连续源电流（二极管传导）
（注1 ）
T
A
=25C
功耗
（注1 ）
T
A
=70C
工作结存储温度范围
等级
30
±20
10
8.2
±50
2.3
2.1
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
（注1 ）
最大结点到环境
（注1 ）
t
＆ LT ;
5秒
t
＆ LT ;
5秒
最大
40
60
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 ：
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 ：
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=0V, V
GS
=20V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V,
T
J
=55C
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 10V ，我
D
=15A,
T
J
=55C
V
DS
= 15V ，我
D
=10A
I
S
= 2.3A ，V
GS
=0V
V
DS
=15V, V
GS
=5V,
I
D
=10A
分钟。
30
1
-
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
1.95
-
-
-
-
11
15
12.5
40
0.7
20
7.0
7.0
20
9
70
20
41
马克斯。
-
3.0
±100
1
25
-
13.5
20
15
-
1.1
34
-
-
30
20
102
81
80
S
V
单位
V
V
nA
uA
A
m
STATIC
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
GSS
门体漏
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
（注3）
漏源导通电阻
（注3）
g
fs
转发Tranconductance
（注3）
V
SD
二极管的正向电压
动态
（注4 ）
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
开关
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
t
rr
源Ddrain反向恢复时间
注3 ：
脉冲测试： PW
＆ LT ;
300US占空比
＆ LT ;
2%.
注4 ：
通过设计保证，不受生产测试。
易亨电子股份有限公司
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nC
V
DD
=25, R
L
=25,
I
D
= 1A ，V
根
=10V
I
F
= 2.3A ，的di / dt = 100A /美国
nS
修订版1.1 2004年7月20日
2/5
AF4910N
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
典型性能特性
易亨电子股份有限公司
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AF4910N
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
典型性能特性
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AF4910N
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
标识信息
SOP-8L
（顶视图）
8
标志
产品型号
4910 N
AA
宽x
1
批号：
"X" ：非无铅; "X" ：无铅
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
星期代码：
"A Z" ： 01 26 ;
"A Z" ： 27 52
年份代码：
"4" = 2004
工厂代码
~
包装信息
封装类型： SOP- 8L
E
H
L
查看"A"
D
7 (4X)
A2
A
0.015x45
7 (4X)
A1
e
B
y
C
查看"A"
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
y
θ
单位：毫米
分钟。
喃。
马克斯。
1.40
1.60
1.75
0.10
-
0.25
1.30
1.45
1.50
0.33
0.41
0.51
0.19
0.20
0.25
4.80
5.05
5.30
3.70
3.90
4.10
-
1.27
-
5.79
5.99
6.20
0.38
0.71
1.27
-
-
0.10
O
0
-
8
O
尺寸以英寸
分钟。
喃。
马克斯。
0.055
0.063
0.069
0.040
-
0.100
0.051
0.057
0.059
0.013
0.016
0.020
0.0075
0.008
0.010
0.189
0.199
0.209
0.146
0.154
0.161
-
0.050
-
0.228
0.236
0.244
0.015
0.028
0.050
-
-
0.004
O
0
-
8
O
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AD73422BB-40
AME8501AEFTAA28
ADG508AKP-REEL
AI4D75J
ADS7827
AE60A24-N98
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封装
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