AF4512C
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
- 低
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命
-Miniature SO- 8表面贴装封装保存
电路板空间
- 高功率和电流处理能力
- 低侧高电流DC- DC转换器
应用
概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高
细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证最低
功率损耗并节省能源，使该装置
非常适用于电源管理电路使用。典型
应用是PWMDC -DC转换器，功率
管理在便携式及电池供电的
产品，如计算机，打印机，电池充电器，
通信电源系统和电话
电力系统。
产品概述
V
DS
(V)
30
-30
r
DS （ ON）
(m)
40@V
GS
=4.5V
28@V
GS
=10V
80@V
GS
=-4.5V
52@V
GS
=-10V
I
D
(A)
6.0
7.0
-4.0
-5.2
引脚分配
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
引脚说明
D1
D1
D2
D2
引脚名称
S1
G1
D1
S2
G2
D2
描述
源（ NMOS ）
门（NMOS）
漏（NMOS）
源（ PMOS ）
栅极（PMOS）
漏极（PMOS）
SOP-8
订购信息
一个X
特征
F： MOSFET
PN
4512C X X X
包
S： SOP - 8
无铅
空白：正常
L：无铅封装
填料
空白：管或散装
答：带卷&
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此产品。在任何授权不得销售该产品。
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AF4512C
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
漏源电压
30
栅源电压
20
T
A
=25C
7
连续漏电流
（注1 ）
T
A
=70C
5.6
漏电流脉冲
（注2 ）
20
连续源电流（二极管传导）
（注1 ）
1.3
T
A
=25C
2.1
功耗
（注1 ）
1.3
T
A
=70C
工作结存储温度范围
-
参数
P沟道
-30
-20
-5.2
-6.8
-20
-1.3
2.1
1.3
-55到150
单位
V
A
A
A
W
C
热电阻额定值
符号
R
θJC
R
θJA
参数
最大结到外壳
（注1 ）
最大结点到环境
（注1 ）
t
＆ LT ;
5秒
t
＆ LT ;
5秒
最大
40
60
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注1 ：
表面装在1 “×1” FR4板。
注2 ：
脉冲宽度有限的最高结温
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
STATIC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
（注3）
漏源导通电阻
（注3）
参数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
= 15V ，我
D
=7A
V
DS
= -15V ，我
D
=-5A
Ch
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
范围
分钟。
典型值。
30
-30
1
-1.0
-
-
-
-
20
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
1.95
-1.7
-
-
-
-
-
-
19
24
42
65
25
10
马克斯。
-
-
3
-3
±100
±100
1
-1
-
-
28
40
52
80
-
-
单位
V
V
nA
uA
A
m
转发Tranconductance
（注3）
S
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P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
开关
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
N沟道
V
DD
=15, V
GS
=10V
I
D
= 1A ，R
根
=6
P沟道
V
DD
=-15, V
GS
=-10V
I
D
= -1A ，R
根
=6
N
P
N
P
N
P
N
P
-
-
-
-
-
-
-
8
7
5
13
23
14
3
9
16
14
10
24
37
25
6
17
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
=10V
I
D
=7A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V
I
D
=-5A
N
P
N
P
N
P
-
-
-
-
-
-
10.7
10
1.7
2.2
2.1
1.7
26
13
-
-
-
-
参数
测试条件
Ch
范围
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
nC
nS
注3 ：
脉冲测试： PW
＆ LT ;
300US占空比
＆ LT ;
2%.
注4 ：
通过设计保证，不受生产测试。
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P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
典型性能特性（ N沟道）
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P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
典型性能特性（ N沟道） （续）
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