【AF4407PP通道30 -V （D -S ）的MOSFET特点- 低DS （ ON）提供更高的效率】,IC型号AF4407P,AF4407P PDF资料,AF4407P经销商,ic,电子元器件-51电子网

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

特点

- 低

DS （ ON）

提供更高的效率和扩展

电池寿命

-Miniature SO- 8表面贴装封装保存

电路板空间

- 高功率和电流处理能力

-Extended V

范围（± 25），用于电池组

应用

概述

这些微型表面贴装MOSFET采用

高细胞密度的过程。低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗并节省能源，使

该器件非常适用于电源管理应用

电路。

典型的应用是PWM DC-DC

转换器，电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机，充电器，通信电源

系统和电话电源系统。

产品概述

(V)

-30

DS （ ON）

(m)

9@V

=-10V

13@V

=-4.5V

(A)

-15

-11

引脚分配

引脚说明

引脚名称

描述

来源

门

漏

SOP-8

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

4407P X X X

包

S： SOP - 8

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2004年7月16日

1/5

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

, T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

（注1 ）

=25C

=70C

漏电流脉冲

（注2 ）

连续源电流（二极管传导）

（注1 ）

=25C

功耗

（注1 ）

=70C

工作和存储结温范围

等级

-30

±25

-15

-11

±50

-2.1

3.1

2.3

-55到150

单位

热电阻额定值

符号

θJC

θJA

参数

最大结到外壳

（注1 ）

最大结点到环境

（注1 ）

吨< = 5秒

最大

单位

摄氏度/ W

注1 ：

表面装在1 “×1” FR4板。

注2 ：

脉冲宽度有限的最高结温

特定网络阳离子

= 25 ° C除非另有说明）

符号

STATIC

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

（注3）

漏源导通电阻

（注3）

测试条件

= 0V时，我

=-250uA

= V

, I

=-250uA

=0V, V

=±25V

=-24V, V

=0V

=-24V, V

=0V,

=55C

=-5V, V

=-10V

= -10V ，我

=-13A

= -4.5V ，我

=-11A

= -10V ，我

=-13A,

=55C

= -5V ，我

=-13A

= 2.1A ，V

=0V

=-15V, V

=-10V,

=-13A

分钟。

-30

-1

-50

范围

典型值。

-1.6

7.3

-0.7

121

马克斯。

-3

±100

-1

-5

-1.2

100

186

112

单位

转发Tranconductance

（注3）

二极管的正向电压

动态

（注4 ）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

= -15V ，R

=6,

ID = -1A ， VGEN = -10V

注3 ：

脉冲测试： PW

＆ LT ;

300US占空比

＆ LT ;

2%.

注4 ：

通过设计保证，不受生产测试。

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

2/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压

图3.导通电阻变化

随温度

图4.导通电阻变化与

栅极至源极电压

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

3/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

典型性能特性（续）

图7.栅极电荷特性

图8.电容特性

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

图11.瞬态热响应曲线

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

4/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

标识信息

SOP-8L

（顶视图）

标志

产品型号

4407P

宽x

批号：

"X" ：非无铅; "X" ：无铅

"A Z" ： 01 26 ;

"A Z" ： 27 52

星期代码：

"A Z" ： 01 26 ;

"A Z" ： 27 52

年份代码：

"4" = 2004

工厂代码

包装信息

封装类型： SOP- 8L

查看"A"

7 (4X)

0.015x45

7 (4X)

查看"A"

符号

单位：毫米

分钟。

喃。

马克斯。

1.40

1.60

1.75

0.10

0.25

1.30

1.45

1.50

0.33

0.41

0.51

0.19

0.20

0.25

4.80

5.05

5.30

3.70

3.90

4.10

1.27

5.79

5.99

6.20

0.38

0.71

1.27

0.10

尺寸以英寸

分钟。

喃。

马克斯。

0.055

0.063

0.069

0.040

0.100

0.051

0.057

0.059

0.013

0.016

0.020

0.0075

0.008

0.010

0.189

0.199

0.209

0.146

0.154

0.161

0.050

0.228

0.236

0.244

0.015

0.028

0.050

0.004

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

5/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

特点

- 低

DS （ ON）

提供更高的效率和扩展

电池寿命

-Miniature SO- 8表面贴装封装保存

电路板空间

- 高功率和电流处理能力

-Extended V

范围（± 25），用于电池组

应用

概述

这些微型表面贴装MOSFET采用

高细胞密度的过程。低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗并节省能源，使

该器件非常适用于电源管理应用

电路。

典型的应用是PWM DC-DC

转换器，电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机，充电器，通信电源

系统和电话电源系统。

产品概述

(V)

-30

DS （ ON）

(m)

9@V

=-10V

13@V

=-4.5V

(A)

-15

-11

引脚分配

引脚说明

引脚名称

描述

来源

门

漏

SOP-8

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

4407P X X X

包

S： SOP - 8

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2004年7月16日

1/5

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

, T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

（注1 ）

=25C

=70C

漏电流脉冲

（注2 ）

连续源电流（二极管传导）

（注1 ）

=25C

功耗

（注1 ）

=70C

工作和存储结温范围

等级

-30

±25

-15

-11

±50

-2.1

3.1

2.3

-55到150

单位

热电阻额定值

符号

θJC

θJA

参数

最大结到外壳

（注1 ）

最大结点到环境

（注1 ）

吨< = 5秒

最大

单位

摄氏度/ W

注1 ：

表面装在1 “×1” FR4板。

注2 ：

脉冲宽度有限的最高结温

特定网络阳离子

= 25 ° C除非另有说明）

符号

STATIC

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

（注3）

漏源导通电阻

（注3）

测试条件

= 0V时，我

=-250uA

= V

, I

=-250uA

=0V, V

=±25V

=-24V, V

=0V

=-24V, V

=0V,

=55C

=-5V, V

=-10V

= -10V ，我

=-13A

= -4.5V ，我

=-11A

= -10V ，我

=-13A,

=55C

= -5V ，我

=-13A

= 2.1A ，V

=0V

=-15V, V

=-10V,

=-13A

分钟。

-30

-1

-50

范围

典型值。

-1.6

7.3

-0.7

121

马克斯。

-3

±100

-1

-5

-1.2

100

186

112

单位

转发Tranconductance

（注3）

二极管的正向电压

动态

（注4 ）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

= -15V ，R

=6,

ID = -1A ， VGEN = -10V

注3 ：

脉冲测试： PW

＆ LT ;

300US占空比

＆ LT ;

2%.

注4 ：

通过设计保证，不受生产测试。

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

2/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压

图3.导通电阻变化

随温度

图4.导通电阻变化与

栅极至源极电压

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

3/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

典型性能特性（续）

图7.栅极电荷特性

图8.电容特性

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

图11.瞬态热响应曲线

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

4/5

1.0版2004年7月16日

AF4407P

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

标识信息

SOP-8L

（顶视图）

标志

产品型号

4407P

宽x

批号：

"X" ：非无铅; "X" ：无铅

"A Z" ： 01 26 ;

"A Z" ： 27 52

星期代码：

"A Z" ： 01 26 ;

"A Z" ： 27 52

年份代码：

"4" = 2004

工厂代码

包装信息

封装类型： SOP- 8L

查看"A"

7 (4X)

0.015x45

7 (4X)

查看"A"

符号

单位：毫米

分钟。

喃。

马克斯。

1.40

1.60

1.75

0.10

0.25

1.30

1.45

1.50

0.33

0.41

0.51

0.19

0.20

0.25

4.80

5.05

5.30

3.70

3.90

4.10

1.27

5.79

5.99

6.20

0.38

0.71

1.27

0.10

尺寸以英寸

分钟。

喃。

马克斯。

0.055

0.063

0.069

0.040

0.100

0.051

0.057

0.059

0.013

0.016

0.020

0.0075

0.008

0.010

0.189

0.199

0.209

0.146

0.154

0.161

0.050

0.228

0.236

0.244

0.015

0.028

0.050

0.004

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

5/5

1.0版2004年7月16日