AF2302N
20V N沟道增强型MOSFET
特点
- 先进的加工技术
- 高密度电池设计超低导通电阻
- 出色的热性能和电气性能
- 紧凑,薄型SOT- 23封装
产品概述
V
DS
= 20V
R
DS ( ON)
, V
GS
@ 4.5V ,我
DS
@ 3.6A = 65mΩ 。
R
DS ( ON)
, V
GS
@ 2.5V ,我
DS
@ 3.1A = 95mΩ 。
引脚分配
3
( TOP VIEW )
1. G
2. S
3. D
引脚说明
针
号
1
2
3
针
名字
G
S
D
描述
门
来源
漏
1
2
订购信息
一个X
特征
F: MOSFET
PN
2302N X X X
包
W: SOT23
无铅
空白:正常
L:无铅封装
填料
空白:管或散装
答:带卷&
框图
D
S
G
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格,恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版1.1 2004年7月20日
1/4
AF2302N
20V N沟道增强型MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
T
A
=25C
T
A
=70C
工作结温
工作结存储温度范围
等级
20
±8
2.4
10
1.25
0.8
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
C
C
热性能
符号
T
L
R
θJA
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境热阻(PCB安装)
极限
5
100
单位
S
摄氏度/ W
注意:
表面安装在FR4板上吨< 5秒。
电气特性
我率
D
= 2.4A , (T
A
=25
o
C除非另有说明)
符号
STATIC
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
漏源导通电阻
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
=3.6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=3.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
V
DS
= 5V ,我
D
=3.6A
V
DS
= 10V ,我
D
=3.6A,
V
GS
=4.5V
V
DD
= 10V ,R
L
=10,
I
D
= 1A ,V
根
=4.5V,
R
G
=6
V
DS
=10V, V
GS
=0V,
f=1.0MHz
分钟。
20
-
-
0.45
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
-
50
75
-
-
-
-
10
5.2
0.65
1.5
7
55
16
10
450
70
43
-
0.75
马克斯。
-
65
95
-
1.0
±100
-
-
10
-
-
15
80
60
25
-
-
-
1.6
1.2
单位
V
m
V
uA
nA
A
S
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
门体漏
I
D(上)
通态漏电流
g
fs
转发Tranconductance
动态
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
I
S
马克斯。二极管的正向电流
V
SD
二极管的正向电压
注意:
脉冲测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 %
nC
nS
pF
I
S
= 1.0A ,V
GS
=0V
A
V
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/4
修订版1.1 2004年7月20日