【AF2301P20V P沟道增强型MOSFET特点- 先进的加工技术- 高密度电池设计超低导通电阻-】,IC型号AF2301PW,AF2301PW PDF资料,AF2301PW经销商,ic,电子元器件-51电子网

AF2301P

20V P沟道增强型MOSFET

特点

- 先进的加工技术

- 高密度电池设计超低导通电阻

- 出色的热性能和电气性能

- 紧凑，薄型SOT- 23封装

产品概述

= - 20V

DS （ ON）

, V

@ -4.5V ，我

@ -2.8A = 130mΩ 。

DS （ ON）

, V

@ -2.5V ，我

@ -2.0A = 190mΩ 。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1. G

2. S

3. D

引脚说明

针

号

针

名字

描述

门

来源

漏

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

2301P X X X

包

W： SOT23

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

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此产品。在任何授权不得销售该产品。

修订版1.1 2004年7月20日

1/4

AF2301P

20V P沟道增强型MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

, T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

=25C

=70C

工作结温

工作结存储温度范围

等级

-20

±8

-2.3

-10

1.25

0.8

+150

-55到+150

单位

热性能

符号

θJA

参数

（从案例1/8“ ）焊接温度

结到环境热阻（PCB安装）

极限

100

单位

摄氏度/ W

注意：

表面安装在FR4板上吨< 5秒。

电气特性

我率

= -2.3A ，（T

=25

C除非另有说明）

符号

STATIC

DSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

漏源导通电阻

测试条件

= 0V时，我

=-250uA

= -4.5V ，我

=-2.8A

= -2.5V ，我

=-2.0A

= V

, I

=-250uA

=-16V, V

=0V

=±8V, V

=0V

=-5V, V

=-10V

= -5V ，我

=-2.8A

= -6V ，我

=-2.8A,

=-4.5V

= -6V ，R

=6,

= -1A ，V

根

=-4.5V,

=-6V, V

=0V,

f=1.0MHz

分钟。

-20

-0.45

-6

范围

典型值。

122

6.5

5.4

0.8

1.1

447

127

-0.8

马克斯。

130

190

-1.0

±100

110

-1.6

-1.2

单位

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

零栅极电压漏极电流

GSS

门体漏

D（上）

通态漏电流

转发Tranconductance

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

D（上）

导通延迟时间

开启上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

RSS

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

注意：

脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％

= -1.6A ，V

=0V

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

2/4

修订版1.1 2004年7月20日

AF2301P

20V P沟道增强型MOSFET

标识信息

（ TOP VIEW ）

SOT23

XX YW

XX ：设备代码

（见附录）

日期代码

Y：年

W：周（ AZ ）

附录

产品型号

AF2301P

包

SOT23-3

器件代码

切换测试电路

OUT

根

OUT

开关波形

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

90%

输出，V

OUT

10%

90%

50%

输入，V

10%

脉冲宽度

倒

50%

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

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修订版1.1 2004年7月20日

AF2301P

20V P沟道增强型MOSFET

包装信息

符号

单位：毫米

分钟。

1.00

0.00

1.00

0.35

0.10

2.70

1.40

1.70

2.40

0.30

喃。

1.20

1.15

0.175

2.90

1.60

2.00

2.70

马克斯。

1.40

0.10

1.30

0.50

0.25

3.10

1.80

2.30

3.00

0.55

尺寸以英寸

分钟。

0.039

0.000

0.039

0.014

0.004

0.106

0.055

0.067

0.094

0.012

喃。

0.047

0.045

0.007

0.114

0.063

0.079

0.106

马克斯。

0.055

0.004

0.051

0.020

0.010

0.122

0.071

0.091

0.118

0.022

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

4/4

修订版1.1 2004年7月20日

SMD型

产品speci fi cation

AF2301P

特点

- 先进的加工技术

- 高密度电池设计超低导通电阻

- 出色的热性能和电气性能

- 紧凑，薄型SOT- 23封装

产品概述

= - 20V

DS （ ON）

, V

@ -4.5V ，我

@ -2.8A = 130mΩ 。

DS （ ON）

, V

@ -2.5V ，我

@ -2.0A = 190mΩ 。

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1. G

2. S

3. D

引脚说明

针

号

针

名字

描述

门

来源

漏

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

2301P X X X

包

W： SOT23

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

产品speci fi cation

AF2301P

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

, T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

=25C

=70C

工作结温

工作结存储温度范围

等级

-20

±8

-2.3

-10

1.25

0.8

+150

-55到+150

单位

热性能

符号

θJA

参数

（从案例1/8“ ）焊接温度

结到环境热阻（PCB安装）

极限

100

单位

摄氏度/ W

注意：

表面安装在FR4板上吨< 5秒。

电气特性

我率

= -2.3A ，（T

=25

C除非另有说明）

符号

STATIC

DSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

漏源导通电阻

测试条件

= 0V时，我

=-250uA

= -4.5V ，我

=-2.8A

= -2.5V ，我

=-2.0A

= V

, I

=-250uA

=-16V, V

=0V

=±8V, V

=0V

=-5V, V

=-10V

= -5V ，我

=-2.8A

= -6V ，我

=-2.8A,

=-4.5V

= -6V ，R

=6,

= -1A ，V

根

=-4.5V,

=-6V, V

=0V,

f=1.0MHz

分钟。

-20

-0.45

-6

范围

典型值。

122

6.5

5.4

0.8

1.1

447

127

-0.8

马克斯。

130

190

-1.0

±100

110

-1.6

-1.2

单位

GS （ TH）

栅极阈值电压

DSS

零栅极电压漏极电流

GSS

门体漏

D（上）

通态漏电流

转发Tranconductance

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

D（上）

导通延迟时间

开启上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

RSS

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

注意：

脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％

= -1.6A ，V

=0V

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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SOT-23

一级代理专营，原装现货，价格优势

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原装正品假一赔百！

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联系人：夏先生朱小姐

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25+

4500

SOP

全新原装现货特价销售！

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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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2024

16880

SOT-23

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

上海熠富电子科技有限公司

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联系人：销售部

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

AF2301PW

ANACHIP

21+

10620

SOT-23

全新原装正品/质量有保证

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

8131

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