【AF1333PP沟道增强型功率MOSFET特点- 简单的栅极驱动器- 开关速度快- 小封装外形（ S】,IC型号AF1333PULA,AF1333PULA PDF资料,AF1333PULA经销商,ic,电子元器件-51电子网

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

特点

- 简单的栅极驱动器

- 开关速度快

- 小封装外形（ SOT323 ）

描述

先进的功率MOSFET提供设计师

与快速切换的最佳组合，低

导通电阻和成本效益。

产品概述

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 800m.

= -550mA

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1. G

2. S

3. D

引脚说明

针

号

针

名字

描述

门

来源

漏

订购信息

特征

F： MOSFET

X 1333P X X X

包

U： SOT323

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版二○○四年十月十五日

1/5

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

绝对最大额定值

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2,3）

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

=25C

=70C

=25C

等级

-20

±12

-550

-440

-2.5

0.35

0.003

-55到+150

单位

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

（注1 ）

马克斯。

价值

360

单位

摄氏度/ W

电气特性

在T

=25

C（除非另有说明）

符号

DSS

ΔBV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

测试条件

漏源击穿电压V

= 0V时，我

=-250uA

击穿电压参考温度为25

=-1mA

系数

= -10V ，我

=-550mA

静态漏源

= -4.5V ，我

=-550mA

导通电阻

= -2.5V ，我

=-300mA

栅极阈值电压

, I

=-250uA

正向跨导

= -5V ，我

=-500mA

漏极 - 源极漏电流

=-20V, V

=0V

=25

漏极 - 源极漏电流

=-16V, V

=0V

=70

栅源漏

=±12V

总栅极电荷

（注3）

=-500mA,

=-16V,

栅极 - 源电荷

=-4.5V

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

（注3）

=-10V,

=-500mA,

上升时间

=3.3, V

=-5V

打开-O FF延迟时间

=20

下降时间

输入电容

=0V,

=-10V,

输出电容

f=1.0MHz

反向传输电容

分钟。

-20

-0.5

典型值。

0.01

1.7

0.3

0.4

马克斯。

600

800

1000

-1.2

-1

-10

±100

2.7

105.6

单位

源极 - 漏极二极管

注1 ：

表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

注2 ：

脉冲宽度有限的最大。结温。

注3 ：

脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

2%.

符号

参数

正向电压上

（注3）

测试条件

= -300mA ，V

=0V

分钟。

典型值。

马克斯。

-1.2

单位

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

2/5

1.0版

2004年10月15日

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一通电阻V.S.连接点

温度

反向二极管图5.正向特性

图6.栅极阈值电压V.S.连接点

温度

易亨电子股份有限公司

www.anachip.com.tw

3/5

1.0版

2004年10月15日

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（续）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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2004年10月15日

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

标识信息

（ TOP VIEW ）

SOT323

部件号：

AF1333P

AZ ：周： 27 52

或批号： 1 9

AZ ：周： 01 26

或批号： 1 9

X X ：年： 4年一个周期

X X: 2004, 2008, 2012...

X X: 2005, 2009, 2013...

X X: 2006, 2010, 2014...

X X: 2007, 2011, 2015...

3 XX

包装信息

套餐类型： SOT323

*尺寸不包括模具突出。

符号

单位：毫米

分钟。

0.90

0.03

1.90

0.20

2.00

1.15

喃。

1.00

0.07

2.00

0.30

2.10

1.25

1.30 BSC 。

马克斯。

1.10

0.10

2.10

0.40

2.20

1.35

尺寸以英寸

分钟。

0.035

0.001

0.075

0.008

0.079

0.045

喃。

0.039

0.003

0.079

0.012

0.083

0.049

0.051理学士。

马克斯。

0.043

0.004

0.083

0.016

0.087

0.053

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AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

特点

- 简单的栅极驱动器

- 开关速度快

- 小封装外形（ SOT323 ）

描述

先进的功率MOSFET提供设计师

与快速切换的最佳组合，低

导通电阻和成本效益。

产品概述

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 800m.

= -550mA

引脚分配

（ TOP VIEW ）

1. G

2. S

3. D

引脚说明

针

号

针

名字

描述

门

来源

漏

订购信息

特征

F： MOSFET

X 1333P X X X

包

U： SOT323

无铅

空白：正常

L：无铅封装

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版二○○四年十月十五日

1/5

AF1333P

P沟道增强型功率MOSFET

绝对最大额定值

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2,3）

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

=25C

=70C

=25C

等级

-20

±12

-550

-440

-2.5

0.35

0.003

-55到+150

单位

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

（注1 ）

马克斯。

价值

360

单位

摄氏度/ W

电气特性

在T

=25

C（除非另有说明）

符号

DSS

ΔBV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

测试条件

漏源击穿电压V

= 0V时，我

=-250uA

击穿电压参考温度为25

=-1mA

系数

= -10V ，我

=-550mA

静态漏源

= -4.5V ，我

=-550mA

导通电阻

= -2.5V ，我

=-300mA

栅极阈值电压

, I

=-250uA

正向跨导

= -5V ，我

=-500mA

漏极 - 源极漏电流

=-20V, V

=0V

=25

漏极 - 源极漏电流

=-16V, V

=0V

=70

栅源漏

=±12V

总栅极电荷

（注3）

=-500mA,

=-16V,

栅极 - 源电荷

=-4.5V

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

（注3）

=-10V,

=-500mA,

上升时间

=3.3, V

=-5V

打开-O FF延迟时间

=20

下降时间

输入电容

=0V,

=-10V,

输出电容

f=1.0MHz

反向传输电容

分钟。

-20

-0.5

典型值。

0.01

1.7

0.3

0.4

马克斯。

600

800

1000

-1.2

-1

-10

±100

2.7

105.6

单位

源极 - 漏极二极管

注1 ：

表面安装在FR4板，T

≤

10秒。

注2 ：

脉冲宽度有限的最大。结温。

注3 ：

脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

2%.

符号

参数

正向电压上

（注3）

测试条件

= -300mA ，V

=0V

分钟。

典型值。

马克斯。

-1.2

单位

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P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一通电阻V.S.连接点

温度

反向二极管图5.正向特性

图6.栅极阈值电压V.S.连接点

温度

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P沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性（续）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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P沟道增强型功率MOSFET

标识信息

（ TOP VIEW ）

SOT323

部件号：

AF1333P

AZ ：周： 27 52

或批号： 1 9

AZ ：周： 01 26

或批号： 1 9

X X ：年： 4年一个周期

X X: 2004, 2008, 2012...

X X: 2005, 2009, 2013...

X X: 2006, 2010, 2014...

X X: 2007, 2011, 2015...

3 XX

包装信息

套餐类型： SOT323

*尺寸不包括模具突出。

符号

单位：毫米

分钟。

0.90

0.03

1.90

0.20

2.00

1.15

喃。

1.00

0.07

2.00

0.30

2.10

1.25

1.30 BSC 。

马克斯。

1.10

0.10

2.10

0.40

2.20

1.35

尺寸以英寸

分钟。

0.035

0.001

0.075

0.008

0.079

0.045

喃。

0.039

0.003

0.079

0.012

0.083

0.049

0.051理学士。

马克斯。

0.043

0.004

0.083

0.016

0.087

0.053

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