数据表
AF002C1-39 ， AF002C1-39LF ， AF002C4-39 ， AF002C4-39LF ：
砷化镓IC控制用FET系列300 kHz至2.5 GHz的
特点
低成本的SOT- 23封装
●
串联或并联配置
●
低直流漏电流
●
理想的开关积木
●
PIN二极管替换
●
高功率天线开关
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 250℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
引脚输出
漏极（四）
2
源极（S ）
1
3
栅极（G ）
描述
本组的GaAs FET的控制既可以串联使用而
分流器配置。它们采用片上电路，
省去了额外的偏置元件和最小化
功耗通常为25 μW 。这些特点使设备
理想的替代PIN二极管，在低直流漏是至关重要的。
绝缘性能下降，在较高的频率下，由于
封装寄生效应。它们可以被调谐在窄带应用程序
如在下面几页的电路示例阳离子。
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
在25 ° C电气规格（ 0 ， -5 V ）
产品型号
(1)
AF002C1-39
频率
（千兆赫）
300 kHz至0.5 GHz的
300 kHz至1.0 GHz的
300 kHz至2.5 GHz的
AF002C4-39
300 kHz至0.5 GHz的
300 kHz至1.0 GHz的
300 kHz至2.5 GHz的
6.4
6.4
6.4
0.8
0.8
0.8
R
ON
()
(2)
典型值。
马克斯。
9
9
9
1.1
1.1
1.1
插入损耗（dB ）
(3, 4)
系列
0.5
0.6
0.7
0.2
0.25
0.3
分流
0.1
0.15
0.2
0.15
0.25
2
C
关闭
（PF ）
(5)
典型值。
0.13
0.13
0.13
1.1
1.1
1.1
马克斯。
0.25
0.25
0.25
1.5
1.5
1.5
隔离度（dB ）
(4)
系列
25
17
13
11
6
3
分流
12
8
3
15
9
4
P
1分贝
(W)
典型值。
0.5
1
1
6
7
7
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2. R
ON
- 电阻
在低阻抗状态时为“0” V施加到栅极（G）。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗和隔离的典型值。
5. C
关闭
- 电容（ pF）的高阻抗状态时-5 V施加到栅极（G） 。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
200166版本C Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 2006年6月8日
1
数据表 AF002C1-39 ， AF002C4-39
在25 °C工作特性（ 0 ， -5 V ）
参数
开关特性
上升，下降
开，关
热阻
控制电压
V
低
= 0 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -5V @ 50 μA至-9 V @ 200 μA（最大值） 。
条件
九十○分之一十％或90 /10％的射频
50％的CTL 90 /10％的射频
频率
分钟。
典型值。
6
12
25
马克斯。
单位
ns
ns
° C / W
典型性能数据（ 0 ， -5 V ）
0.8
0.7
50
45
40
35
插入损耗（dB ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
隔离度（dB ）
C
1
30
25
20
15
10
5
0
C
4
C
1
C
4
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
系列CON组fi guration
隔离与频率的关系
系列CON组fi guration
0.8
0.7
30
25
插入损耗（dB ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
C
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C
4
隔离度（dB ）
20
C
4
15
10
C
1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
分流器配置
隔离与频率的关系
分流器配置
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2
2006年6月8日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200166版本C
数据表 AF002C1-39 ， AF002C4-39
绝对最大额定值
AF002C1-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
价值
2 W > 500兆赫0 / -8 V
0.5瓦@ 50MHz的0 / -8 V
+0.2 V, -10 V
-40 ° C至+85°C
-65 ° C至+150°C
AF002C4-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
价值
8 W > 450 MHz时， 0 / -12 V
+0.2, -12 V
-40 ° C至+85°C
-65 ° C至+150°C
性能保证仅在在规格表中列出的条件下由绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
任何超过绝对最大/最小规格可能会导致器件的永久性损坏，并会导致保修失效。
注意事项：
虽然本设备被设计为尽可能坚固，静电放电（ESD ）会损坏该设备。这
设备必须在任何时候都免受ESD保护。静电荷可以很容易地产生对几千伏的电位
人体或设备，可排出而不被发现。行业标准的ESD防范措施必须在采用
所有的时间。
T / R和天线切换开关的移动蜂窝系统
移动
天线
电话
天线
双工器
LNAPA
转换
开关
T / R开关
来自发射机
为了接收器
断开
T / R开关
系统框图
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
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3
数据表 AF002C1-39 ， AF002C4-39
T / R开关示意图
天线
L
T
（ NH）
D
Tx
砷化镓场效应管
AF002C
系列
G
G
V
CTL
S
D
砷化镓场效应管
AF002C
系列
10 k
C（ pF）的
S
λ/4
Rx
转换开关电路图
天线
C
T
D
S
G
V
CTL
到的T / R开关
真值表的T / R开关
V
CTL
(V)
0
-5
TX天线
低损耗
高隔离度
接收天线
高隔离度
低损耗
事实表转换开关
V
CTL
(V)
-5
0
见为正电压操作下一个页面。
天线
连接的
隔离
见为正电压操作下一个页面。
对于T / R组件值开关电路
产品型号
AF002C1-39
AF002C4-39
AF002C1-39
AF002C4-39
L
T
（ NH）
165
85
44
22
C
T
（PF ）
18.8
18.8
4.7
4.7
频率。 （千兆赫）
0.45
0.45
0.9
0.9
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
4
2006年6月8日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200166版本C
数据表 AF002C1-39 ， AF002C4-39
真值表
负电压操作
S
分流
GND
系列
RF
RF
0
-5
插入损耗
隔离
RF
-5
0
插入损耗
隔离
D
G
RF路径
正电压操作
V
S
RF
RF
10 k
C
T
D
2
1
S
3
正电压操作
S
分流
GND
系列
RF
RF
0
V
高
隔离
插入损耗
RF
D
G
0
V
高
RF路径
插入损耗
隔离
10 k
G（ 0 ，V
高
)
分流器配置
V
S
RF
L
T
C
BL
D
2
1
S
RF
C
BL
V
高
= 5至+9 V（V
S
= V
高
± 0.2 V).
SOT-23
0.120 (3.05 mm)
0.110 (2.79 mm)
3
0.018 (0.45 mm)
0.015 (0.38 mm)
3
0.055 (1.40 mm)
0.047 (1.19 mm)
0.024 (0.61 mm)
0.018 (0.45 mm)
0.080 (2.03 mm)
0.070 (1.78 mm)
0.007 (0.18 mm)
0.003 (0.08 mm)
1
2
0.104 (2.64 mm)
0.083 (2.10 mm)
G（ 0 ，V
高
)
C
BL
- 之所以选择值在期望的工作频率最低的阻抗。
系列CON组fi guration
0.040 (1.02 mm)
0.037 (0.94 mm)
推荐
SOLDER
回流曲线
参阅
“推荐回流焊简介”
应用笔记。
0.045
(1.14 mm)
0.035
(0.89 mm)
0.027 （ 0.69毫米） REF 。
0.004 (0.10 mm)
0.0005 (0.01 mm)
磁带和卷轴信息
参阅
“分立器件和集成电路开关/衰减器
卷带式封装定向“
应用笔记。
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200166版本C Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 2006年6月8日
5
砷化镓IC控制用FET系列
DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
特点
s
低成本SOT- 23封装
s
串联或并联配置
s
低直流漏电流
s
理想的开关积木
s
PIN二极管替换
s
高功率天线开关
SOT-23
0.120 (3.05 mm)
0.110 (2.79 mm)
3
0.018 (0.45 mm)
0.015 (0.38 mm)
0.055 (1.40 mm)
0.047 (1.19 mm)
0.024 (0.61 mm)
0.018 (0.45 mm)
0.080 (2.03 mm)
0.070 (1.78 mm)
0.007 (0.18 mm)
0.003 (0.08 mm)
1
2
0.104 (2.64 mm)
0.083 (2.10 mm)
0.040 (1.02 mm)
0.037 (0.94 mm)
描述
本组的GaAs FET的控制可以同时使用
串联和并联配置。他们结合片
电路，该电路消除了对额外的偏压
部件和减少功耗，以通常为25 μW 。
这些特性使该器件非常适用于替换
PIN二极管，其中，低直流漏极是至关重要的。
绝缘性能下降时，由于较高的频率
封装寄生效应。它们可以在狭窄调谐出
所示的电路例子频带应用
以下页面。
0.027 （ 0.69毫米） REF 。
0.004 (0.10 mm)
0.0005 (0.01 mm)
0.045
(1.14 mm)
0.035
(0.89 mm)
在25 ° C电气规格（ 0 ， -5 V ）
产品型号
1
AF002C1-39
频率
2
（千兆赫）
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
AF002C4-39
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
R
ON
(
)
3
典型值。
6.4
6.4
6.4
0.8
0.8
0.8
马克斯。
9.0
9.0
9.0
1.1
1.1
1.1
插入损耗（dB ）
4,5
系列
0.50
0.60
0.70
0.20
0.25
0.30
分流
0.10
0.15
0.20
0.15
0.25
2.00
C
关闭
（PF ）
6
典型值。
0.13
0.13
0.13
1.10
1.10
1.10
马克斯。
0.25
0.25
0.25
1.50
1.50
1.5
隔离度（dB ）
5
系列
25
17
13
11
6
3
分流
12
8
3
15
9
4
P
1分贝
(W)
典型值。
0.5
1.0
1.0
6
10
10
在25 °C工作特性（ 0 ， -5 V ）
参数
开关特性
控制电压
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
V
低
= 0 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -5V @ 50 μA至-9 V @ 200 μA（最大值） 。
频率
分钟。
典型值。
6
12
马克斯。
单位
ns
ns
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
3. R
ON
- 电阻
在低阻抗状态时为“0” V施加到栅极（G）。
通过0.003分贝/°C的4插入损耗变化。
5.插入损耗和隔离的典型值。
6. C
关闭
- 电容（ pF）的高阻抗状态时-5 V施加到栅极（G） 。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 3 / 99A
1
砷化镓IC控制用FET系列DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
典型性能数据（ 0 ， -5 V ）
0.8
0.7
50
45
40
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
C1
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
C1
插入损耗（dB ）
频率（GHz ）
隔离度（dB ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
系列CON组fi guration
隔离与频率的关系
系列CON组fi guration
0.8
0.7
30
25
插入损耗（dB ）
0.6
隔离度（dB ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
C1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
20
C4
15
10
5
0
C1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
分流器配置
隔离与频率的关系
分流器配置
绝对最大额定值
AF002C1-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
2 W > 500兆赫0 / -8 V
0.5瓦@ 50MHz的0 / -8 V
+0.2 V, -10 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
AF002C4-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
12 W > 450 MHz时， 0 / -12 V
+0.2, -12 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
注：超过这些参数可能会造成不可逆的损伤。
2
阿尔法工业公司
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砷化镓IC控制用FET系列DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
T / R和天线切换开关的移动蜂窝系统
移动
天线
电话
天线
双工器
LNA
PA
转换
开关
T / R开关
来自发射机
为了接收器
断开
T / R开关
系统框图
T / R开关示意图
天线
L
T
（ NH）
D
T
X
砷化镓场效应管
AF002C
系列
G
G
V
CTL
砷化镓场效应管
AF002C
系列
S
D
10 k
C（ pF）的
S
λ/4
R
X
转换开关电路图
天线
C
T
D
S
G
V
CTL
到的T / R开关
真值表的T / R开关
V
CTL
(V)
0
-5
T
X
天线
低损耗
高隔离度
R
X
天线
高隔离度
低损耗
事实表转换开关
V
CTL
(V)
-5
0
见为正电压操作下一个页面。
天线
连接的
隔离
见为正电压操作下一个页面。
对于T / R组件值开关电路
产品型号
AF002C1-39
AF002C4-39
AF002C1-39
AF002C4-39
L
T
（ NH）
165
85
44
22
C
T
（PF ）
18.8
18.8
4.7
4.7
频率。 （千兆赫）
0.45
0.45
0.90
0.90
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
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3
砷化镓IC控制用FET系列DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
引脚输出
漏极（四）
2
源极（S ）
1
正电压操作
V
S
RF
RF
10 k
C
T
D
2
1
S
3
栅极（G ）
3
真值表
负电压操作
S
分流
GND
系列
RF
RF
0
-5
插入损耗
隔离
RF
-5
0
插入损耗
隔离
RF
10 k
G（ 0 ，V
高
)
D
G
RF路径
分流器配置
V
S
L
T
C
BL
RF
C
BL
D
2
1
S
正电压操作
S
分流
GND
系列
RF
RF
0
V
高
隔离
插入损耗
RF
0
V
高
插入损耗
隔离
G（ 0 ，V
高
)
C
BL
- 之所以选择值在期望的工作频率最低的阻抗。
D
G
RF路径
3
系列CON组fi guration
V
高
= 5至+9 V（V
S
= V
高
± 0.2 V).
4
阿尔法工业公司
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