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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1491页 > ADUM3220ARZ
4双通道栅极驱动器
ADuM3220
特点
4峰值输出电流
精密定时特性
最高60纳秒隔离器和驱动器传播延迟
5 ns(最大值)的通道至通道匹配
高结温操作: 125°C
3.3 V至5 V输入逻辑
4.5 V至18 V的输出驱动器
UVLO 2.5 V V
DD1
和4.1 V V
DD2
为>150 °C热关断保护
输出直通逻辑保护
默认的低输出
高工作频率: DC至1 MHz
CMOS输入逻辑电平
高共模瞬变抗扰度: >25 KV / μs的
符合IEC 61000-4 -X增强的系统级ESD性能
UL 1577 2500 V rms输入 - 输出耐压
(申请中)
小尺寸和低姿态
窄体,符合RoHS标准的8引脚SOIC
5 mm × 6 mm × 1.6 mm
概述
该ADuM3220
1
是一个4 A隔离,双通道栅极驱动器
基于对ADI公司,
的iCoupler
技术。
结合了高速CMOS与单芯片变压器
技术,该隔离器件提供出色的
性能特性优异的替代品,如
作为脉冲变压器和栅极驱动器的组合。
该ADuM3220隔离器提供两个独立的隔离
通道。它具有60毫微秒和5 ns的最大传播延迟
通道至通道匹配。相比于栅极驱动器
采用高压电平转换方法中,
ADuM3220提供了真正的电流隔离的好处
输入和输出的每一个,使电压转换之间
通过隔离屏障。该ADuM3220具有直通
保护逻辑和默认的输出低的特点为
需要的栅极驱动应用。它工作的输入
电源电压范围为3.0 V至5.5 V ,提供相容
ibility与低压系统。的输出可被操作
在5 V电源电压为18 V ,支持典型栅极
驱动电压同步DC / DC转换器。
该ADuM3220隔离器包含多项电路和布局
增强功能提供能力相对增加
系统级IEC 61000-4 - x测试(ESD ,突发和浪涌) 。
在这些测试中的精确能力强烈地受到确定
用户的电路板或模块的设计和布局。欲了解更多
信息,请参阅AN- 793应用笔记,
ESD /闩锁
与注意事项
iCoupler隔离器
隔离产品。
该ADuM3220指定从-40°C的结温
至125 ℃。
应用
孤立的同步DC / DC转换器
MOSFET / IGBT的栅极驱动器
功能框图
V
DD1 1
V
IA 2
ADuM3220
ENCODE
解码
水平
解码
水平
8
V
DD2
V
OA
7
V
IB 3
GND
1 4
ENCODE
6
V
OB
GND
2
08994-001
5
图1 。
1
由美国专利5952849保护; 6873065 ; 7075239 。其他专利正在申请中。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2010 ADI公司保留所有权利。
ADuM3220
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 V工作电压................................ 3
电气特性- 3.3 V工作............................. 4
套餐特点................................................ ............... 5
法规信息................................................ ............... 5
绝缘和安全相关的指标............................ 5
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 )绝缘
特点................................................. ............................. 6
推荐工作条件...................................... 6
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述.............................. 8
典型性能特征.............................................. 9
应用信息................................................ .............. 11
PC板布局............................................... ......................... 11
传播延迟相关参数................................... 11
热限制和开关负载特性......... 11
输出负载特性............................................... ...... 11
直流正确性和磁场抗扰度........................... 12
功耗................................................ .................. 13
隔离寿命................................................ ..................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
4月10日 - 修订版0 :初始版
第0版|第16页2
ADuM3220
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
所有电压均参照其各自的地。 4.5 V≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤ 18 V时,除非另有说明。所有最小/
最大规格适用于牛逼
J
= -40 ° C至125°C 。所有典型规格在T
J
= 25 ° C,V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 10 V开关
规格与CMOS信号电平测试。
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,双通道,静态
输出电源电流,双通道,静态
总电源电流,双通道
1
直流到1 MHz
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
欠压锁定,V
DD2
供应
正向阈值
负向阈值
迟滞
输出短路电流脉冲
2
交换特定网络阳离子
脉冲宽度
3
数据速率
4
传播延迟
5
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配
7
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
每通道动态输入电源电流
每个通道的输出动态电源电流
刷新率
1
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
1.2
4.7
最大
1.5
10
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1(Q)
I
DD2(Q)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OAH
V
OAL
, V
OBL
V
DD2UV+
V
DD2UV
V
DD2UVH
I
OA ( SC )
, I
OB ( SC )
PW
t
DLH ,
t
DHL
t
DLH ,
t
DHL
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKCD
t
R/
t
F
t
R/
t
F
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
f
r
10
0.7 × V
DD1
V
DD2
0.1
1.4
11
+0.01
1.7
17
+10
0.3 × V
DD1
V
DD2
0.0
4.1
3.7
0.4
4.0
0.15
4.4
4.1
mA
mA
μA
V
V
V
V
V
V
V
A
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
直流到1 MHz逻辑信号频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
0 ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
I
Ox
= -20毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20毫安,V
Ix
= V
IXL
3.7
3.2
2.0
100
35
36
V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
V
DD2
= 10 V
V
DD2
= 10 V
45
50
1
1
20
22
0.05
1.5
1.2
14
14
1
60
68
12
5
7
25
28
在相同的数据速率运行时,两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。与单独的通道,在一个给定的数据速率工作的电源电流可如功耗部分中所述进行计算。看
图8和图9为总V
DD1
和V
DD2
电源电流与数据速率的函数。
2
短路持续时间小于1微秒。平均功率必须符合以下的绝对最大额定值所示的限制。
3
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
4
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
5
T
DHL
传播延迟是从90 %的水平Ⅴ的上升沿测量的
Ix
信号至10%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。吨
DHL
传播延迟是
从10%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号到90 %的水平在V的下降沿的
Ox
信号。请参阅图17为传播波形
延时参数。
6
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
DLH
和/或叔
DHL
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。参见图17,用于传播延迟参数的波形。
7
通道与通道之间的匹配是在任意两个通道上的隔离层的同一侧上的输入之间的传播延迟之差的绝对值。
第0版|第16页3
ADuM3220
电气特性- 3.3 V工作电压
所有电压均参照其各自的地。 3.0 V≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤ 18 V时,除非另有说明。所有最小/
最大规格适用于牛逼
J
= -40 ° C至125°C 。所有典型规格在T
J
= 25 ° C,V
DD1
= 3.3 V, V
DD2
= 10 V开关
规格与CMOS信号电平测试。
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,双通道,静态
输出电源电流,双通道,静态
总电源电流,双通道
1
直流到1 MHz
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
欠压锁定,V
DD2
供应
正向阈值
负门槛
迟滞
输出短路电流脉冲
2
交换特定网络阳离子
脉冲宽度
3
数据速率
4
传播延迟
5
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配
7
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
每通道动态输入电源电流
每个通道的输出动态电源电流
刷新率
1
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.7
4.7
最大
1.0
10
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1(Q)
I
DD2(Q)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OAH
V
OAL
, V
OBL
0.8
11
+0.01
1.0
17
+10
0.3 × V
DD1
mA
mA
μA
V
V
V
V
V
V
V
A
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
Mbps的
10
0.7 × V
DD1
V
DD2
0.1
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
0 ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
V
DD2
0.0
4.1
3.7
0.4
4.0
0.15
4.4
4.1
I
Ox
= -20毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20毫安,V
Ix
= V
IXL
V
DD2UV+
3.7
V
DD2UV
3.2
V
DD2UVH
I
OA ( SC )
, I
OB ( SC )
2.0
PW
t
DLH ,
t
DHL
t
DLH ,
t
DHL
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKCD
t
R
/t
F
t
R
/t
F
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
f
r
100
36
37
V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 10 V ;参见图17
C
L
= 2 nF的,V
DD2
= 4.5 V ;参见图17
V
DD2
= 10 V
V
DD2
= 10 V
48
53
1
1
20
22
0.025
1.5
1.1
14
14
1
62
72
12
5
7
25
28
在相同的数据速率运行时,两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。与单独的通道,在一个给定的数据速率工作的电源电流可如功耗部分中所述进行计算。看
图8和图9为总V
DD1
和V
DD2
电源电流与数据速率的函数。
2
短路持续时间小于1微秒。平均功率必须符合下.Absolute最大额定值所示的限制。
3
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
4
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
5
T
DLH
传播延迟是从90 %的水平Ⅴ的上升沿测量的
Ix
信号至10%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。吨
DHL
传播延迟是
从10%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号到90 %的水平在V的下降沿的
Ox
信号。请参阅图17为传播波形
延时参数。
6
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
DLH
和/或叔
DHL
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。参见图17,用于传播延迟参数的波形。
7
通道与通道之间的匹配是在任意两个通道上的隔离层的同一侧上的输入之间的传播延迟之差的绝对值。
第0版|第16页4
ADuM3220
封装特性
表3中。
参数
电阻(输入至输出)
1
电容(输入 - 输出)
1
输入电容
IC结至外壳热阻,侧面1
IC结至外壳热阻, 2面
1
符号
R
我-O
C
我-O
C
I
θ
JCI
θ
JCO
典型值
10
12
1.0
4.0
46
41
最大
单位
Ω
pF
pF
° C / W
° C / W
测试条件
F = 1 MHz的
热电偶位于中心
封装底面
热电偶位于中心
封装底面
该设备被认为是一个双端器件;引脚1到4脚短接在一起,和引脚5到8脚短接在一起。
法规信息
该ADuM3220批准挂起由表4所列的组织。
表4 。
UL
UL 1577下认可
元件识别
节目
1
单/基本2500 V RMS
隔离电压
CSA
根据CSA元件验收通知# 5A批准
VDE
根据DIN V VDE V 0884-10认证
( VDE V 0884-10 ) : 2006-12
2
加强绝缘, 560 V峰值
文件E214100
1
2
每CSA 60950-1-03和IEC 60950-1基本绝缘,
400 V RMS ( 566 V峰值)最大工作电压
每CSA 60950-1-03和IEC 60950-1功能绝缘,
800 V RMS ( 1131 V峰值)最大工作电压
文件205078
文件2471900-4880-0001
按照UL 1577 ,每个ADuM3220是证明通过应用绝缘测试电压≥测试3000 V有效值1秒(漏电流检测限值为5 μA ) 。
符合DIN V VDE V 0884-10 ,每个ADuM3220是证明通过采用绝缘测试电压≥ 1050 V峰值1秒钟测试(局部放电检测
限制为5 pC ) 。星号(* )标记烙在组件上指定DIN V VDE V 0884-10认证。
隔离和安全相关特性
表5 。
参数
额定电介质隔离电压
最小外部空气间隙(间隙)
最少的外部跟踪(爬)
最小内部间隙(游隙)
跟踪电阻(相比漏电起痕指数)
隔离组
符号
L(I01)
L(I02)
价值
2500
4.90分钟
4.01分钟
0.017分
>175
IIIa受体
单位
V有效值
mm
mm
mm
V
条件
持续1分钟
从输入端至输出端测得
通过空气的最短距离
从输入端至输出端测得
沿车身最短距离路径
通过隔热绝缘距离
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
材料集团( DIN VDE 0110 , 1/89 ,表1)
CTI
第0版|第16页5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADUM3220ARZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
ADUM3220ARZ
ADI(亚德诺)
22+
15084
原装原厂公司现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
ADUM3220ARZ
Analog Devices
2412+
42650
SOIC-8
代理Analog Devices专营,原装现货优势
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地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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ADI/亚德诺半导体
1070
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ADUM3220ARZ
ADI/亚德诺
22+
1200
SOP8
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
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ADI/亚德诺半导体
24+
1070
SOP8
只做原装正品
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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24+
18310
SOIC-8
全新原装正品现货
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联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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18310
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全新原装正品现货
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AD
2025+
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