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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第497页 > ADUM2210TRWZ
数据表
特点
双通道数字隔离器, 5 kV的
ADuM2210/ADuM2211
功能方框图
GND
1
NC
V
DD1
V
IA
V
IB
NC
GND
1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
ENCODE
ENCODE
解码
解码
销1
指标
高绝缘电压: 5000 V有效值
符合IEC 61000-4 -X增强的系统级ESD性能
低功耗工作
5 V工作
每通道最大1.6毫安在0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大3.7毫安速度为10 Mbps
3 V操作
在0 Mbps至2 Mbps的每通道最大1.4毫安
每通道最大2.4毫安速度为10 Mbps
双向通信
3 V / 5 V电平转换
工作温度最高可达125°C
默认的低输出
高数据速率: DC至10 Mbps的( NRZ )
精密定时特性
3 ns(最大值)脉冲宽度失真
3 ns(最大值)的通道至通道匹配
高共模瞬变抗扰度: >25 KV / μs的
16引脚SOIC宽体封装版( RW - 16 )
16引脚SOIC宽体增强的爬电版( RI - 16 )
安全和法规认证( RI - 16封装)
UL认证: 5000 V均方根值,符合UL 1577 1分钟
CSA元件验收通知# 5A
IEC 60601-1 : 250 V RMS (增强)
IEC 60950-1 : 400 V RMS (增强)
合格的VDE证书
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 ) : 2006-12
V
IORM
= 846 V峰值
ADuM2210
16
GND
2
15
NC
14
V
DD2
13
V
OA
12
V
OB
11
NC
10
NC
9
GND
2
NC =无连接
图1. ADuM2210
GND
1
NC
V
DD1
V
OA
V
IB
NC
GND
1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
解码
ENCODE
ENCODE
解码
销1
指标
ADuM2211
16
GND
2
15
NC
14
V
DD2
13
V
IA
12
V
OB
11
NC
10
NC
9
GND
2
NC =无连接
图2. ADuM2211
温度和使用寿命影响与简单淘汰
iCoupler隔离器
数字接口和稳定的性能
的特点。需要外部驱动器和其它分立
组件与这些淘汰
iCoupler隔离器
产品。
此外,
iCoupler隔离器
设备在十分之一运行到六分之一
光电耦合器在信号数据速率相当的力量。
该ADuM221x隔离器提供两个独立的隔离
在各种通道配置和数据速率的信道
(见订购指南) 。该ADuM221x模型操作
任一侧从3.0伏到5.5伏的电源电压,
提供兼容性与低压系统以及
实现电压转换功能跨越隔离
屏障。该ADuM221x隔离器具有已取得专利的刷新功能
确保直流正确性在没有输入逻辑跃迁
tions和在上电/掉电条件。
类似于ADuM320x隔离器,所述隔离器ADuM221x CON-
泰恩各种电路和布局改进,提供了增强的
相对能力,系统级IEC 61000-4 - x测试(ESD ,
突发脉冲和浪涌) 。在这些试验中对任一的精确能力
在ADuM320x和ADuM221x产品深受确定
用户的电路板或模块的设计和布局。欲了解更多
信息,请参阅AN- 793应用笔记, ESD /闩锁
与注意事项
iCoupler隔离器
隔离产品。
应用
通用型,高电压,多通道隔离
医疗设备
电源
RS - 232 / RS - 422 / RS - 485收发器隔离
概述
该ADuM221x
1
基于模拟2通道数字隔离器
设备的公司,
的iCoupler
技术。结合了高速CMOS
和单片空芯变压器技术,这些隔离
组件提供了杰出的性能特性
优于光耦合器等替代器件。
通过避免使用LED和光电二极管,
iCoupler隔离器
器件
不存在一般与光耦相关的设计困难
耦合器。对于不确定的典型光耦合器
电流传输比,非线性传递函数以及
1
由美国专利5952849保护; 6873065 ; 6903578 ;和7075329 。其他专利正在申请中。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113 2010-2011 ADI公司保留所有权利。
09233-002
09233-001
ADuM2210/ADuM2211
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 V工作电压................................ 3
电气特性- 3 V操作................................ 5
电气特性,混合5 V / 3 V或3 V / 5 V
操作................................................. ...................................... 7
套餐特点................................................ ............. 10
法规信息................................................ ............. 10
绝缘和安全相关的指标.......................... 10
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 )绝缘
特点................................................. ........................... 11
推荐工作条件.................................... 11
数据表
绝对最大额定值............................................... .......... 12
ESD注意事项................................................ ................................ 12
引脚配置和功能说明......................... 13
典型性能特征........................................... 15
应用信息................................................ .............. 16
PCB布局................................................ ................................. 16
传播延迟相关参数................................... 16
直流正确性和磁场抗扰度..................... 16
功耗................................................ .................. 17
隔离寿命................................................ ..................... 18
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
8月11日 - 修订版。 0到版本A
增加了16引脚SOIC_IC包...................................通用
更改功能部分.............................................. .............. 1
变为表5和表6 ........................................... .......... 10
更改为尾注1 ,表8 ........................................... ........... 11
更新的外形尺寸............................................... ........ 19
更改订购指南.............................................. ............ 20
9月10日 - 修订版0 :初始版
版本A |第2页2
数据表
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
ADuM2210/ADuM2211
所有电压均参照其各自的地。 4.5 V≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤5.5 V的所有最小/最大规格
适用于整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 5 V.
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM2210 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的(仅TR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM2211 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的(仅TR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.4
0.5
最大
0.8
0.6
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
1.3
1.0
1.7
1.6
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
3.5
1.7
4.6
2.8
mA
mA
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
1.1
1.3
1.5
1.8
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 V ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
或V
DD2
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
(V
DD1
or
V
DD2
)
0.1
(V
DD1
or
V
DD2
)
0.5
10
0.7 (V
DD1
或V
DD2
)
2.6
3.1
+0.01
3.4
4.0
+10
mA
mA
μA
V
V
V
0.3 (V
DD1
或V
DD2
)
5.0
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
V
OBH
4.8
V
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
V
V
V
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM221xSR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
/t
PSKOD
t
R
/t
F
1
20
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本A |第2页3
ADuM2210/ADuM2211
参数
ADuM221xTR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
随温度变化
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配,
同向通道
6
通道到通道匹配,
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
所有型号
共模瞬态抗扰度
在逻辑高电平输出。
7
共模瞬态抗扰度
在逻辑低输出
7
刷新率
输入动态电源电流,每通道
8
输出动态电源电流,每通道
8
1
数据表
符号
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
f
r
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
25
25
2.5
35
35
1.2
0.19
0.05
10
20
5
15
3
17
典型值
最大
100
50
3
单位
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
Mbps的
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
测试条件
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
V
Ix
= V
DD1
或V
DD2
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
V
Ix
= 0V , VCM = 1000 V ,
瞬变幅度= 800 V
在相同的数据速率运行时,两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。与单独的通道,在一个给定的数据速率工作的电源电流可如功耗部分中所述进行计算。看
图6至图8为数据速率的空载和负载条件下每通道电源电流的信息。参见图9至图11
总我
DD1
DD2
电源电流与数据速率为ADuM2210和ADuM2211通道配置的函数。
2
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
3
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
4
t
PHL
传播延迟是从50%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号至50%的水平在V的下降沿的
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是
从50%的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号至50%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
5
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。
6
同向通道与通道之间的匹配是在任意两个信道之间的传播延迟之差与上同一侧输入的绝对值
隔离屏障。相对定向的通道至通道匹配的区别是在任意两个通道之间的传播延迟的绝对值
投入上相对隔离安全栅的两侧。
7
CM
H
是,可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大的共模电压的变化率
能够持续维持V
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬间
量值是在其上共模压摆的范围。
8
动态电源电流所需的电源电流在信号数据速率提高1 Mbps增量。参见图6至图8
对空载和负载条件下每通道电源电流的信息。请参阅指导功耗节计算每通道电源
当前对于给定的数据速率。
版本A |第2页4
数据表
电气特性- 3 V操作
ADuM2210/ADuM2211
所有电压均参照其各自的地。 3.0 V≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 3.0 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V.所有最小值/最大值规格适用于
整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM2210 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的(仅TR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM2211 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的(仅TR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.3
0.3
最大
0.5
0.5
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
0.8
0.7
1.3
1.0
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
2.0
1.1
3.2
1.7
mA
mA
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
0.7
0.8
1.3
1.6
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 V ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
或V
DD2
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
(V
DD1
or
V
DD2
)
0.1
(V
DD1
or
V
DD2
)
0.5
10
0.7 (V
DD1
或V
DD2
)
1.5
1.9
+0.01
2.1
2.4
+10
mA
mA
μA
V
V
V
0.3 (V
DD1
或V
DD2
)
3.0
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
V
OBH
2.8
V
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.42
V
V
V
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM221xSR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
/t
PSKOD
t
R
/t
F
1
20
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本A |第2 5
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