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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第834页 > ADUM1200ARZ-RL7
双通道数字隔离器
ADuM1200/ADuM1201
特点
窄体SOIC 8引线封装
低功耗工作
5 V工作
每通道最大1.1毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大3.7毫安@ 10 Mbps的
每通道最大8.2毫安@ 25 Mbps的
3 V操作
每通道最大0.8毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大2.2毫安@ 10 Mbps的
每通道最大4.8毫安@ 25 Mbps的
双向通信
3 V / 5 V电平转换
工作温度最高可达105℃
高数据速率: DC至25 Mbps的( NRZ )
精密定时特性
3ns的最大脉宽失真
3 ns(最大值)的通道至通道匹配
高共模瞬变抗扰度: > 25 KV / μs的
安全和法规认证
UL认证
2500 V RMS ,符合UL 1577 1分钟
CSA元件验收通知# 5A
合格的VDE证书
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884第2部分) :2003-01
DIN EN 60950 ( VDE 0805 ) : 2001-12 ; DIN EN 60950 : 2000
V
IORM
= 560 V峰值
概述
该ADuM120x是基于双通道数字隔离器
ADI公司
的iCoupler
技术。结合高速
CMOS与单芯片变压器技术,这些隔离
组件提供了杰出的性能特性
优于光耦合器等替代器件。
通过避免使用LED和光电二极管,
iCoupler隔离器
器件
不存在一般与相关的设计困难
光电耦合器。对于典型的光耦合器
电流传输比不确定,非线性传递函数,
和温度和使用寿命影响的消除
简单
iCoupler隔离器
数字接口和稳定的性能
的特点。需要外部驱动器和其它分立
组件与这些淘汰
iCoupler隔离器
产品。
此外,
iCoupler隔离器
设备消耗的十分之一到六分之一
光电耦合器在信号数据速率相当的力量。
该ADuM120x隔离器提供两个独立的隔离
在各种通道配置和数据速率的信道
(见订购指南) 。两款器件的电源供电
电压两侧,从2.7 V至5.5 V ,提供
与低电压系统的兼容性以及使一
跨越隔离栅的电压转换功能。在
此外, ADuM120x具有低脉冲宽度失真
( < 3纳秒为CR级)和严格的通道至通道匹配
( < 3纳秒为CR级) 。与其它光耦合器不同,在
ADuM120x隔离器具有已取得专利的刷新特性,
确保DC正确性不存在输入逻辑转换
并在上电/掉电条件。
应用
大小至关重要的多通道隔离
SPI接口/数据转换器隔离
RS - 232 / RS - 422 / RS - 485收发器隔离
数字现场总线隔离
功能方框图
V
DD1 1
V
IA 2
V
IB 3
GND
1 4
ENCODE
ENCODE
解码
解码
8
V
DD2
V
OA
V
OB
04642-0-001
V
DD1 1
V
OA 2
V
IB 3
GND
1 4
解码
ENCODE
ENCODE
解码
8
V
DD2
V
IA
V
OB
GND
2
04642-0-002
7
7
6
6
5
GND
2
5
图1. ADuM1200功能框图
图2.器ADuM1201功能框图
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADuM1200/ADuM1201
目录
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 V工作电压................................ 3
电气特性- 3 V操作................................ 5
电气特性,混合5 V / 3 V或3 V / 5 V
操作................................................. ...................................... 7
套餐特点................................................ ............. 10
法规信息................................................ ............. 10
绝缘和安全相关的指标.......................... 10
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884第2部分)绝缘
特点................................................. ........................... 11
推荐工作条件.................................... 11
绝对最大额定值............................................... ........... 12
ESD注意事项................................................ ................................ 12
引脚配置和功能说明......................... 13
典型性能特征........................................... 14
应用信息................................................ ................ 15
PC板布局............................................... ......................... 15
传播延迟相关参数................................... 15
直流正确性和磁场抗扰度........................... 15
功耗................................................ .................. 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
9月4日,数据手册,从版本A更改为版本B
更改表5 .............................................. ............................ 10
6月4日,数据表,从第0更改为版本A
更改格式............................................... ..............通用
更改概述.............................................. ...... 1
更改电气特性- 5 V工作............... 3
更改电气特性- 3 V操作............... 5
更改电气特性,混合5 V / 3 V或
3 V / 5 V工作电压............................................ ................................ 7
4月4日 - 修订版0 :初始版
版本B |第20页2
ADuM1200/ADuM1201
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
所有电压均参照其各自的地。 4.5 V≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤5.5 V的所有最小值/最大值规格适用于
整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 5 V.
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM1200 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
器ADuM1201 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.50
0.19
最大
0.60
0.25
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
1.1
0.5
4.3
1.3
10
2.8
1.4
0.8
5.5
2.0
13
3.4
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
V
OBH
10
0.7 V
DD1
, V
DD2
0.8
0.8
2.8
2.8
6.3
6.3
+0.01
1.1
1.1
3.5
3.5
8.0
8.0
+10
0.3 V
DD1,
V
DD2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
0 ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
或V
DD2
V
DD1
,
V
DD2
0.1
V
DD1
,
V
DD2
0.5
5.0
4.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
V
V
V
交换特定网络阳离子
ADuM120xAR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
t
R
/t
F
1
50
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本B |第20页3
ADuM1200/ADuM1201
参数
ADuM120xBR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
变化与温度
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配,
同向通道
6
通道到通道匹配,
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
ADuM120xCR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
– t
PHL
|
4
变化与温度
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配,
同向通道
6
通道到通道匹配,
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
所有型号
共模瞬态抗扰度
在逻辑高电平输出。
7
共模瞬态抗扰度
在逻辑低输出
7
刷新率
输入动态电源电流,每通道
8
输出动态电源电流,每通道
8
符号
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
f
r
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
25
25
2.5
35
35
1.2
0.19
0.05
25
20
2.5
20
50
40
45
3
5
15
3
15
10
20
5
15
3
15
典型值
最大
100
50
3
单位
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
Mbps的
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
测试条件
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
V
Ix
= V
DD1
, V
DD2
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
V
Ix
= 0 V, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
1
在相同的数据速率运行时,两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。如在功耗部分描述了一个单独的信道在一个给定的数据速率工作的电源电流可被计算出来。看
图6至图8为数据速率的空载和负载条件下每通道电源电流的信息。参见图9至图11
总我
DD1
DD2
电源电流与数据速率为ADuM1200和器ADuM1201通道配置的函数。
2
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
3
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
4
t
PHL
传播延迟是从50%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号至50%的水平在V的下降沿的
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是
从50%的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号至50%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
5
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。
6
同向通道与通道之间的匹配是在任意两个信道之间的传播延迟之差与上同一侧输入的绝对值
隔离屏障。相对定向的通道至通道匹配的区别是在任意两个通道之间的传播延迟的绝对值
投入上相对隔离安全栅的两侧。
7
CM
H
是,可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大的共模电压的变化率
能够持续维持V
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬间
量值是在其上共模压摆的范围。
8
动态电源电流所需的电源电流在信号数据速率提高1 Mbps增量。参见图6至图8
对空载和负载条件下每通道电源电流的信息。请参阅指导功耗节计算每通道电源
当前对于给定的数据速率。
版本B |第20页4
ADuM1200/ADuM1201
电气特性- 3 V操作
所有电压均参照其各自的地。 2.7 V≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V.所有最小值/最大值规格适用于
整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM1200 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
器ADuM1201 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.26
0.11
最大
0.35
0.20
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
0.6
0.2
2.2
0.7
5.2
1.5
1.0
0.6
3.4
1.1
7.7
2.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
V
OBH
10
0.7 V
DD1,
V
DD2
V
DD1
,
V
DD2
0.1
V
DD1
,
V
DD2
0.5
0.4
0.4
1.5
1.5
3.4
3.4
0.01
0.8
0.8
2.2
2.2
4.8
4.8
10
0.3 V
DD1
, V
DD2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
0 ≤ V
IA
, V
IB
, ≤ V
DD1
或V
DD2
3.0
2.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
V
V
V
交换特定网络阳离子
ADuM120xAR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
t
R
/t
F
1
50
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本B |第20页5
双通道数字隔离器
ADuM1200/ADuM1201
特点
窄体SOIC 8引线封装
低功耗工作
5 V工作
每通道最大1.1毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大3.7毫安@ 10 Mbps的
每通道最大8.2毫安@ 25 Mbps的
3 V操作
每通道最大0.8毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大2.2毫安@ 10 Mbps的
每通道最大4.8毫安@ 25 Mbps的
双向通信
3 V / 5 V电平转换
工作温度最高可达105℃
高数据速率: DC至25 Mbps的( NRZ )
精密定时特性
3ns的最大脉宽失真
3 ns(最大值)的通道至通道匹配
高共模瞬变抗扰度: > 25 KV / μs的
安全和法规认证
UL认证
2500 V RMS ,符合UL 1577 1分钟
CSA元件验收通知# 5A
合格的VDE证书
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884第2部分) :2003-01
DIN EN 60950 ( VDE 0805 ) : 2001-12 ; DIN EN 60950 : 2000
V
IORM
= 560 V峰值
概述
该ADuM120x是基于双通道数字隔离器
ADI公司
的iCoupler
技术。结合高速
CMOS与单芯片变压器技术,这些隔离
组件提供了杰出的性能特性
优于光耦合器等替代器件。
通过避免使用LED和光电二极管,
iCoupler隔离器
器件
不存在一般与相关的设计困难
光电耦合器。对于典型的光耦合器
电流传输比不确定,非线性传递函数,
和温度和使用寿命影响的消除
简单
iCoupler隔离器
数字接口和稳定的性能
的特点。需要外部驱动器和其它分立
组件与这些淘汰
iCoupler隔离器
产品。
此外,
iCoupler隔离器
设备消耗的十分之一到六分之一
光电耦合器在信号数据速率相当的力量。
该ADuM120x隔离器提供两个独立的隔离
在各种通道配置和数据速率的信道
(见订购指南) 。两款器件的电源供电
电压两侧,从2.7 V至5.5 V ,提供
与低电压系统的兼容性以及使一
跨越隔离栅的电压转换功能。在
此外, ADuM120x具有低脉冲宽度失真
( < 3纳秒为CR级)和严格的通道至通道匹配
( < 3纳秒为CR级) 。与其它光耦合器不同,在
ADuM120x隔离器具有已取得专利的刷新特性,
确保DC正确性不存在输入逻辑转换
并在上电/掉电条件。
应用
大小至关重要的多通道隔离
SPI接口/数据转换器隔离
RS - 232 / RS - 422 / RS - 485收发器隔离
数字现场总线隔离
功能方框图
V
DD1 1
V
IA 2
V
IB 3
GND
1 4
ENCODE
ENCODE
解码
解码
8
V
DD2
V
OA
V
OB
04642-0-001
V
DD1 1
V
OA 2
V
IB 3
GND
1 4
解码
ENCODE
ENCODE
解码
8
V
DD2
V
IA
V
OB
GND
2
04642-0-002
7
7
6
6
5
GND
2
5
图1. ADuM1200功能框图
图2.器ADuM1201功能框图
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADuM1200/ADuM1201
目录
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 V工作电压................................ 3
电气特性- 3 V操作................................ 5
电气特性,混合5 V / 3 V或3 V / 5 V
操作................................................. ...................................... 7
套餐特点................................................ ............. 10
法规信息................................................ ............. 10
绝缘和安全相关的指标.......................... 10
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884第2部分)绝缘
特点................................................. ........................... 11
推荐工作条件.................................... 11
绝对最大额定值............................................... ........... 12
ESD注意事项................................................ ................................ 12
引脚配置和功能说明......................... 13
典型性能特征........................................... 14
应用信息................................................ ................ 15
PC板布局............................................... ......................... 15
传播延迟相关参数................................... 15
直流正确性和磁场抗扰度........................... 15
功耗................................................ .................. 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
9月4日,数据手册,从版本A更改为版本B
更改表5 .............................................. ............................ 10
6月4日,数据表,从第0更改为版本A
更改格式............................................... ..............通用
更改概述.............................................. ...... 1
更改电气特性- 5 V工作............... 3
更改电气特性- 3 V操作............... 5
更改电气特性,混合5 V / 3 V或
3 V / 5 V工作电压............................................ ................................ 7
4月4日 - 修订版0 :初始版
版本B |第20页2
ADuM1200/ADuM1201
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
所有电压均参照其各自的地。 4.5 V≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤5.5 V的所有最小值/最大值规格适用于
整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 5 V.
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM1200 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
器ADuM1201 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.50
0.19
最大
0.60
0.25
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
1.1
0.5
4.3
1.3
10
2.8
1.4
0.8
5.5
2.0
13
3.4
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
V
OBH
10
0.7 V
DD1
, V
DD2
0.8
0.8
2.8
2.8
6.3
6.3
+0.01
1.1
1.1
3.5
3.5
8.0
8.0
+10
0.3 V
DD1,
V
DD2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
0 ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
或V
DD2
V
DD1
,
V
DD2
0.1
V
DD1
,
V
DD2
0.5
5.0
4.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
V
V
V
交换特定网络阳离子
ADuM120xAR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
t
R
/t
F
1
50
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本B |第20页3
ADuM1200/ADuM1201
参数
ADuM120xBR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
变化与温度
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配,
同向通道
6
通道到通道匹配,
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
ADuM120xCR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
– t
PHL
|
4
变化与温度
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配,
同向通道
6
通道到通道匹配,
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
所有型号
共模瞬态抗扰度
在逻辑高电平输出。
7
共模瞬态抗扰度
在逻辑低输出
7
刷新率
输入动态电源电流,每通道
8
输出动态电源电流,每通道
8
符号
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
f
r
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
25
25
2.5
35
35
1.2
0.19
0.05
25
20
2.5
20
50
40
45
3
5
15
3
15
10
20
5
15
3
15
典型值
最大
100
50
3
单位
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
Mbps的
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
测试条件
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
V
Ix
= V
DD1
, V
DD2
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
V
Ix
= 0 V, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
1
在相同的数据速率运行时,两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。如在功耗部分描述了一个单独的信道在一个给定的数据速率工作的电源电流可被计算出来。看
图6至图8为数据速率的空载和负载条件下每通道电源电流的信息。参见图9至图11
总我
DD1
DD2
电源电流与数据速率为ADuM1200和器ADuM1201通道配置的函数。
2
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
3
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
4
t
PHL
传播延迟是从50%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号至50%的水平在V的下降沿的
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是
从50%的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号至50%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
5
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。
6
同向通道与通道之间的匹配是在任意两个信道之间的传播延迟之差与上同一侧输入的绝对值
隔离屏障。相对定向的通道至通道匹配的区别是在任意两个通道之间的传播延迟的绝对值
投入上相对隔离安全栅的两侧。
7
CM
H
是,可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大的共模电压的变化率
能够持续维持V
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬间
量值是在其上共模压摆的范围。
8
动态电源电流所需的电源电流在信号数据速率提高1 Mbps增量。参见图6至图8
对空载和负载条件下每通道电源电流的信息。请参阅指导功耗节计算每通道电源
当前对于给定的数据速率。
版本B |第20页4
ADuM1200/ADuM1201
电气特性- 3 V操作
所有电压均参照其各自的地。 2.7 V≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V.所有最小值/最大值规格适用于
整个推荐的工作范围内,除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流,每通道静态
输出电源电流,每通道静态
ADuM1200 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
器ADuM1201 ,总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.26
0.11
最大
0.35
0.20
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
0.6
0.2
2.2
0.7
5.2
1.5
1.0
0.6
3.4
1.1
7.7
2.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
V
OBH
10
0.7 V
DD1,
V
DD2
V
DD1
,
V
DD2
0.1
V
DD1
,
V
DD2
0.5
0.4
0.4
1.5
1.5
3.4
3.4
0.01
0.8
0.8
2.2
2.2
4.8
4.8
10
0.3 V
DD1
, V
DD2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
0 ≤ V
IA
, V
IB
, ≤ V
DD1
或V
DD2
3.0
2.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
V
V
V
交换特定网络阳离子
ADuM120xAR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
t
R
/t
F
1
50
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
版本B |第20页5
数据表
特点
窄体,符合RoHS标准, SOIC 8引线封装
低功耗工作
5 V工作
每通道最大1.1毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大3.7毫安@ 10 Mbps的
每通道最大8.2毫安@ 25 Mbps的
3 V操作
每通道最大0.8毫安@ 0 Mbps至2 Mbps的
每通道最大2.2毫安@ 10 Mbps的
每通道最大4.8毫安@ 25 Mbps的
双向通信
3 V / 5 V电平转换
工作温度最高可达125°C
高数据速率: DC至25 Mbps的( NRZ )
精密定时特性
3 ns(最大值)脉冲宽度失真
3 ns(最大值)的通道至通道匹配
高共模瞬变抗扰度: >25 KV / μs的
通过汽车应用认证
安全和法规认证
UL认证
2500 V RMS ,符合UL 1577 1分钟
CSA元件验收通知# 5A
合格的VDE证书
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 ) : 2006-12
V
IORM
= 560 V峰值
双通道数字隔离器
ADuM1200/ADuM1201
电流传输比,非线性传递函数以及temper-
ATURE和使用寿命影响与简单淘汰
iCoupler隔离器
数字接口和稳定的性能特征。需要
外部驱动器和其它分立元件被淘汰
这些
iCoupler隔离器
产品。此外,
iCoupler隔离器
器件
消耗的十分之一到六分之一,光耦合器的电源在
信号数据速率相当。
该ADuM120x隔离器提供两个独立的隔离
在各种通道配置和数据速率的信道
(见订购指南) 。两款器件的电源供电
电压两侧,从2.7 V至5.5 V ,提供
与低电压系统的兼容性以及使一
跨越隔离栅的电压转换功能。
此外, ADuM120x具有低脉冲宽度失真
( <3纳秒为CR级)和严格的通道至通道匹配
( <3纳秒为CR级) 。与其它光耦合器不同,
在ADuM120x隔离器具有已取得专利的刷新特性,
确保DC正确性不存在输入逻辑转换
并在上电/掉电条件。
该ADuM1200W和ADuM1201W是汽车级
版本胜任125°C操作。看到汽车
有关详细信息,产品部分。
功能方框图
V
DD1 1
V
IA 2
V
IB 3
GND
1 4
ENCODE
ENCODE
解码
解码
8
V
DD2
V
OA
V
OB
GND
2
04642-001
04642-002
应用
大小至关重要的多通道隔离
SPI接口/数据转换器隔离
RS - 232 / RS - 422 / RS - 485收发器隔离
数字现场总线隔离
混合动力电动汽车,电池监控器和电机驱动器
7
6
5
图1. ADuM1200功能框图
概述
该ADuM120x
1
是双通道数字隔离器基于
在ADI公司,
的iCoupler
技术。结合
高速CMOS与单芯片变压器技术,
这些隔离器件提供出色的性能
特性优良替代品,如光耦合器。
通过避免使用LED和光电二极管,
iCoupler隔离器
器件
不存在一般与光耦相关的设计困难
耦合器。对于不确定的光耦合器通常关注
1
V
DD1 1
V
OA 2
V
IB 3
GND
1 4
解码
ENCODE
ENCODE
解码
8
V
DD2
V
IA
V
OB
GND
2
7
6
5
图2.器ADuM1201功能框图
由美国专利5952849保护; 6873065 ; 6903578 ;和7075329
.
我牧师
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113 2004-2012 ADI公司保留所有权利。
ADuM1200/ADuM1201
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 3
规格................................................. .................................... 4
电气特性- 5 V , 105 ° C操作................... 4
电气特性- 3 V , 105 ° C操作................... 6
电气特性,混合5 V / 3 V或3 V / 5 V ,
105 ° C操作.............................................. ............................. 8
电气特性- 5 V , 125 ° C操作................. 11
电气特性- 3 V , 125 ° C操作................. 13
电气特性,混合5 V / 3 V , 125°C操作15
电气特性,混合3 V / 5 V , 125°C操作17
套餐特点................................................ ............. 19
法规信息................................................ ............. 19
绝缘和安全相关的指标.......................... 19
数据表
DIN V VDE V 0884-10 ( VDE V 0884-10 ) : 2006-12
绝缘特性................................................ ......... 20
推荐工作条件.................................... 20
绝对最大额定值............................................... .......... 21
ESD注意事项................................................ ................................ 21
引脚配置和功能说明......................... 22
典型性能特征........................................... 23
应用信息................................................ .............. 24
PCB布局................................................ ................................. 24
传播延迟相关参数................................... 24
直流正确性和磁场抗扰度........................... 24
功耗................................................ .................. 25
隔离寿命................................................ ..................... 26
外形尺寸................................................ ....................... 27
订购指南................................................ .......................... 27
汽车产品................................................ ................. 28
启示录I |页28 2
数据表
修订历史
3/12 -REV 。 H与我牧师
创建超链接的安全和法规认证
在进入功能部分.............................................. ................... 1
切换到概述第......................................... 1
改变PCB布局部分............................................. ........ 24
移动汽车产品第........................................... 28
1月9日 - 修订版。 G以牧师
更改表5 ,开关规格参数........... 13
更改表6 ,开关规格参数........... 15
更改表7 ,开关规格参数........... 17
9月8日 - 修订版。 F到牧师摹
更改表9 .............................................. ............................ 19
更改表13 .............................................. .......................... 21
更改订购指南.............................................. ............. 27
3月8日 - 修订版。 E至版本F
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改应用程序组.............................................. 1 .......
添加表4 ............................................... ................................... 11
添加表5 ............................................... ................................... 13
添加表6 ............................................... ................................... 15
添加表7 ............................................... ................................... 17
更改表12 .............................................. .......................... 20
更改表13 .............................................. .......................... 21
新增汽车产品第........................................... 26
更改订购指南.............................................. ............. 27
11/07 -REV 。 D钮英文内容
更改注1 .............................................. ............................... 1
新增ADuM120xAR随温度变化的参数....... 3
新增ADuM120xAR随温度变化的参数....... 5
新增ADuM120xAR随温度变化的参数....... 8
ADuM1200/ADuM1201
8月7日 - 修订版。 C到Rev. D的
更新VDE认证纵观....................................... 1
更改特点,注意事项1,图1 ,图2 .................... 1
更改表3 .............................................. .............................. 7
更改法规信息科............................... 10
添加表10 ............................................... ................................. 12
添加了绝缘寿命部分.............................................. 0.16
更新的外形尺寸............................................... ......... 18
更改订购指南.............................................. ............. 18
2月6日 - 修订版。 B到C版
更新格式................................................ .................通用
补充说明1 ............................................... ...................................... 1
更改绝对最大额定值...................................... 12
转换为直流正确性和磁场
免疫力科................................................ ............................ 15
9月4日 - 修订版。 A到版本B
更改表5 .............................................. ............................ 10
6月4日 - 修订版。 0到版本A
更改格式............................................... ..............通用
更改概述.............................................. 1 .......
更改电气特性- 5 V工作................ 3
更改电气特性- 3 V操作................ 5
更改电气特性,混合5 V / 3 V或
3 V / 5 V工作电压............................................ ................................ 7
4月4日 - 修订版0 :初始版
我牧师|第28 3
ADuM1200/ADuM1201
特定网络阳离子
电气特性- 5 V , 105 ° C操作
数据表
所有电压均参照其各自的地; 4.5 V≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤ 5.5 V ;所有最小值/最大值规格适用
整个推荐的工作范围内,除非另有说明;所有典型规格在T
A
= 25 ° C,V
DD1
= V
DD2
= 5 V ;这
并不适用于ADuM1200W和ADuM1201W汽车级产品。
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
每通道静态输入电源电流
每通道静态输出电源电流
ADuM1200的总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
器ADuM1201的总电源电流,双通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的( BR和CR等级只)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
25 Mbps的(仅CR级)
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
符号
I
DDI ( Q)
I
DDO ( Q)
典型值
0.50
0.19
最大
0.60
0.25
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
1.1
0.5
4.3
1.3
10
2.8
1.4
0.8
5.5
2.0
13
3.4
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 ( Q)
I
DD2 ( Q)
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OBH
V
OAL
, V
OBL
10
0.7 (V
DD1
或V
DD2
)
(V
DD1
或V
DD2
) 0.1
(V
DD1
或V
DD2
) 0.5
0.8
0.8
2.8
2.8
6.3
6.3
+0.01
1.1
1.1
3.5
3.5
8.0
8.0
+10
0.3 (V
DD1
或V
DD2
)
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
V
V
V
V
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
0 V ≤ V
IA
, V
IB
≤ (V
DD1
或V
DD2
)
5.0
4.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安,V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ,V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安, V
Ix
= V
IXL
C
L
= 15 pF的, CMOS信号电平
交换特定网络阳离子
ADuM120xAR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
随温度变化
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
/t
PSKOD
t
R
/t
F
1
50
11
1000
150
40
100
50
10
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
启示录I |第28 4
数据表
参数
ADuM120xBR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
ADuM1200/ADuM1201
符号
PW
10
t
PHL
, t
PLH
PWD
5
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
PW
25
t
PHL
, t
PLH
PWD
5
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
2.5
15
ns
ns
15
3
20
2.5
20
50
45
3
40
15
15
3
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
20
50
3
典型值
最大
100
单位
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
测试条件
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
随温度变化
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
同向通道
6
反方向通道
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
ADuM120xCR
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
传播延迟
4
3
6
脉冲宽度失真, |吨
PLH
t
PHL
|
4
随温度变化
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
同向通道
6
反方向通道
6
输出上升/下降时间( 10 %至90 % )
所有型号
共模瞬态抗扰度
逻辑高电平输出。
7
|厘米
H
|
25
35
KV / μs的
逻辑低输出
7
刷新率
每通道动态电源电流
8
输入
产量
|厘米
L
|
f
r
I
DDI ( D)
I
DDO ( D)
25
35
1.2
0.19
0.05
KV / μs的
Mbps的
毫安/
Mbps的
毫安/
Mbps的
V
Ix
= V
DD1
或V
DD2
, V
CM
=
1000 V ,瞬时
大小= 800 V
V
Ix
= 0 V, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
1
的电源电流值是对于两个声道以相同的数据速率运行时组合。电源的输出电流值,没有输出负载指定
目前。与单独的通道,在一个给定的数据速率工作的电源电流可如功耗部分中所述进行计算。看
图6至图8为数据速率的空载和负载条件下每通道电源电流的信息。参见图9至图11
总V
DD1
和V
DD2
电源电流与数据速率为ADuM1200和器ADuM1201通道配置的函数。
2
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度,在其中规定的脉宽失真得到了保证。
3
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
4
t
PHL
传播延迟是从50%的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号至50%的水平在V的下降沿的
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是
从50%的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号至50%的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
5
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
即在相同的工作温度,电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。
6
同向通道与通道之间的匹配是在任意两个信道之间的传播延迟之差与上同一侧输入的绝对值
隔离屏障。相对定向的通道至通道匹配的区别是在任意两个通道之间的传播延迟的绝对值
投入上相对隔离安全栅的两侧。
7
CM
H
是,可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大的共模电压的变化率
能够持续维持V
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬间
量值是在其上共模压摆的范围。
8
动态电源电流所需的电源电流在信号数据速率提高1 Mbps增量。参见图6至图8
每通道电源电流的信息与数据速率的空载和负载条件的函数。请参阅指导功耗节
计算每个通道的电源电流为给定的数据速率。
启示录I |第28 5
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