a
特点
四个可编程的温度设定值
可编程热滞
准确的3C典型值从-40℃到+ 125
温度输出比例系数=为5 mV / K
电阻可编程温度设定值
5毫安集电极开路输出设定点
内部2.5 V参考
600 A最大静态电流为+5 V
应用
电源监控系统
多风扇控制器系统
工作站的热管理系统
四设定值，可编程
温度监视器和控制器
ADT14
功能框图
2.5V
V
REF
迟滞
设定
输出1
设置1
当前
镜
设置2
设定
输出2
集3
窗口
比较
集4
设定
输出3
设定
输出4
概述
在ADT14是一个温度传感器和控制器，其生成
的输出电压成比例的温度和提供了四个
温度触发点。四跳变点，或温度
给定值，其滞后被设定电压等级确定
由用户设定。一个片上参考电压提供了一种简便方法
设置温度触发点。
在ADT14由一个带隙基准电压源组合
四个匹配的比较。该参考提供了一个
温度稳定的2.5V的输出，并成比例的电压
绝对温度（ VPTAT ），它具有一个精确的温度
5毫伏/ K系数=为5 mV / （℃ + 273.15 ） 。该VPTAT输出
放名义上是1.49 V ，在+ 25°C 。比较确定
在VPTAT输出是否高于设立的电压
外部电阻分压器（温度触发点） ，并生成
集电极开路输出信号时，其相应的一个
阈值已超标。
滞后是由用户选择的电压在所述滞回编程
teresis引脚。该电压调节滞环电流是
用于产生一个滞后偏移电压。比较器的
同相输入端并联连接，从而保证
不存在磁滞重迭，并消除了不稳定的跃迁
相邻的行程区域之间系统蒸发散。
使用结合专有的薄膜电阻过程
生产激光微调，温度精度
±
3°C
在25℃下得到了保证。集电极开路输出可
下沉5毫安，并提供TTL / CMOS逻辑兼容
与外部上拉电阻。从单一的5 V工作
供电，静态电流为600
A
马克斯。
在ADT14是在16引脚环氧树脂DIP和SO可用
（小外形）封装。
V+
电压
参考
和
传感器
迟滞
电压
温度
产量
VPTAT
GND
ADT14
销刀豆网络gurations
DIP & SO
输出1 1
设定值1 2
NC 3
NC 4
16输出4
15设定值4
14 2.5V参考
13 V+
顶视图
接地5 （不按比例） 12 NC
VPTAT 6
设定值2 7
输出2 8
11滞后
10给定值3
9输出3
ADT14
NC =无连接
第0版
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ADI公司，1997
ADT14G–SPECIFICATIONS
（V + = 5 V ， -40℃
≤
T
≤
125 C除非另有说明）
A
参数
准确性
准确度（给定值1，2， 3和4）
准确度（给定值1，2， 3和4）
VPTAT输出比例系数
设定水平滞后
电源抑制比
线性
设定值输入量
失调电压
偏移电压不匹配
输出电压漂移
输入偏置电流
参考输出
线路调整
负载调整率
输出电压
输出电压
输出漂移
集电极开路输出
输出低电压
输出低电压
输出漏电流
下降时间
电源
供应范围
电源电流
电源电流
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
符号
条件
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
民
典型值
±
2
±
3
+5
0.65, 1.5, 5
0.1
0.5
1
0.5
3
25
最大
±
3
±
5
+5.1
0.25
单位
°C
°C
毫伏/ K
°C
° C / V
°C
mV
mV
μV/°C
nA
%/V
％ / mA的
V
V
PPM /°C的
+4.9
PSRR
T
A
= +25°C
4.5 V
≤
V
S
≤
13 V
V
OS
TCV
OS
I
B
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
100
±
0.1
±
0.25
2.51
2.52
V
REF
V
REF
TCV
REF
V
OL
V
OL
I
OH
t
HL
V+
I
SY
I
SY
4.5 V
≤
V
S
≤
13 V
I
来源
= 10
A
500
A
T
A
= + 25 ° C，无负载
无负载， -40°C
≤
T
A
≤
+125°C
2.49
2.48
2.5
2.5
±
30
I
SINK
= 1.6毫安，
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
I
SINK
= 5毫安
V+ = 12 V
见图1
4.5
卸在+5 V
卸在+ 12V
0.25
0.6
1
40
0.4
100
V
V
A
ns
V
A
A
400
450
5.5
600
绝对最大额定值*
订购指南
最大电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+15 V
最大设定值输入电压。 。 0.3 V至（ [V + ] +0.3 V）
最大参考值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
最大集电极开路输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
最大集电极开路输出电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
骰子结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 160°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*注意
型号/牌号
ADT14GP
ADT14GS
温度
范围
1
XIND
XIND
包
描述
塑料DIP
SOIC
包
选项
2
N-16
R-16A
笔记
1
XIND = 40℃至125 ℃。
2
N =塑料DIP ; R =小外形。
热封装特性
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;运行在或高于该
规范是不是暗示。暴露于上述最大
额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
2.数字输入保护;然而，永久性的损害
可能发生在从高能量的未受保护的单位电 -
静态字段。保持单位导电泡棉或包装在所有
次，直到准备使用。使用适当的防静电处理
程序。
3.插入或从单位取出前取出自己的力量
插槽。
套餐类型
16引脚塑料DIP
16引脚SOIC
JA
JC
单位
C / W
C / W
103
81
V+
34
27
1k
20pF
图1.测试负载
–2–
第0版
ADT14
晶圆测试极限
参数
INPUTS置高，置低
输入偏置电流
输出VPTAT
温度精度
输出电压V
REF
面值
线路调整
负载调整率
集电极开路输出上方，下方
输出低电压
输出漏电流
电源
供应范围
电源电流
V
REF
（V + = + 5V ， GND = 0 V ，T
A
= +25 C除非另有说明）
符号
I
B
T
A
= + 25 ° C，无负载
T
A
= + 25 ° C，无负载
4.5 V
≤
V
≤
13.2 V
10
A ≤
IV
REF
≤
500
A
I
SINK
= 1.6毫安
2.490
条件
民
典型值
最大
70
1.5
2.510
±
0.08
±
0.25
0.4
100
4.5
卸载
5.5
600
单位
nA
°C
V
%/V
％ / mA的
V
A
V
A
V
OL
I
OH
V+
I
SY
记
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的组装和名义收益率的损失，包装后的产量不保证
标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量的样本组装和测试大量的资质进行谈判的规格。
DICE特性
芯片尺寸0.069
×
0.080英寸， 5520平方密耳
(1.75
×
2.03毫米， 3.55平方毫米）
晶体管数量： 130
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADT14具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–3–
QQ：2881677436 复制
