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ADS8556
ADS8557
ADS8558
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...............................................................................................................................................
SBAS404A - 2006年10月 - 修订2009年8月
16-, 14- , 12位,六通道,同步采样
模拟 - 数字转换器
1
特点
描述
该ADS8556 / 7/8包含6个低功耗,16位, 14位,或
12位逐次逼近寄存器(SAR )
基于模拟 - 数字转换器(ADC ),用真
双极
输入。
通道
包含
a
采样和保持电路,它允许同时
高速多通道信号的采集。
最多的ADS8556 / 7/8支持的数据速率
730kSPS在并行接口模式或高达500KSPS
如果串行接口被使用。的总线宽度
并行接口可以被设置为8位或16位。在
串行模式中,最多三个输出通道可以是
激活。
该ADS8556 / 7/8 ,规定工作在整个工业
-40 ℃的温度范围+ 125°C ,是
可在LQFP- 64封装。
ADS8556
ADS8557
ADS8558
CONVST_A
CH_A0
S / H
AGND
卜FF器
SAR寄存器1/2
控制
逻辑
华助会1
BUSY / INT
RANGE / XCLK
HW / SW
REF
EN
/ WR
STBY
RESET
时钟
发电机
比较
家庭的16 ,14 , 12位,引脚和
软件兼容的ADC
六SAR型ADC分组的三双
每通道的最大数据速率与内部
转换时钟和参考:
ADS8556 : 630kSPS ( PAR )或450kSPS ( SER )
ADS8557 : 670kSPS ( PAR )或470kSPS ( SER )
ADS8558 : 730kSPS ( PAR )或500KSPS ( SER )
最大数据速率与外部转换
时钟和参考:
800kSPS (PAR)或530kSPS (SER )
引脚可选或可编程的输入电压
范围:高达± 12V
优良的信号 - 噪声性能:
91.5分贝( ADS8556 )
85分贝( ADS8557 )
73.9分贝( ADS8558 )
可编程的内部缓冲
参考: 0.5V至2.5V和0.5V至3.0V
综合掉电模式:
深层关机(待机模式)
部分掉电
自动午睡掉电
可选并行或串行接口
工作温度范围:
-40 ° C至+ 125°C
LQFP -64封装
2
REFC_A
CH_A1
S / H
AGND
比较
CONVST_B
CH_B0
S / H
AGND
卜FF器
SAR寄存器3/4
CONFIG
注册
华助会3
比较
华助会2
REFC_B
CH_B1
应用
电能质量测量
保护继电器
多轴电机控制
可编程逻辑控制器
工业数据采集
S / H
AGND
华助会4
比较
CONVST_C
CH_C0
S / H
AGND
卜FF器
华助会5
比较
CS
/ FS
SAR寄存器5/6
I / O
REFC_C
CH_C1
S / H
AGND
比较
卜FF器
REF_IO
HVDD
HVSS
串DAC
内部2.5V
参考
BVDD
BGND
华助会6
RD
DB [ 15 : 0 ]
字/字节
/串
AVDD
AGND
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2006-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS8556
ADS8557
ADS8558
SBAS404A - 2006年10月 - 修订2009年8月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
ADS8556I
ADS8557I
ADS8558I
(1)
决议
(比特)
16
14
12
套餐 -
领导
LQFP-64
LQFP-64
LQFP-64
代号
PM
PM
PM
订购
ADS8556IPM
ADS8556IPMR
ADS8557IPM
ADS8557IPMR
ADS8558IPM
ADS8558IPMR
运输
媒体, QUANTITY
纸盒, 160
磁带和卷轴1000
纸盒, 160
磁带和卷轴1000
纸盒, 160
磁带和卷轴1000
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明。
ADS8556 , ADS8557 , ADS8558
电源电压, HVDD至AGND
电源电压, HVSS至AGND
电源电压AVDD至AGND
电源电压, BVDD到BGND
模拟输入电压
参考输入电压相对于AGND
数字输入电压相对于BGND
接地电压差AGND至BGND
输入电流电源以外的所有引脚
最高结温,T
J
人体模型( HBM )
JEDEC标准22 ,测试方法A114- C.01 ,所有引脚
带电器件模型( CDM)
JEDEC标准22项,试验方法C101 ,所有引脚
-0.3至+18
-18至+0.3
-0.3 +6
-0.3 +6
HVSS - 0.3 HVDD + 0.3
AGND - 0.3至AVDD + 0.3
BGND - 0.3到BVDD + 0.3
±0.3
-10至+10
+150
±2000
±500
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
V
V
ESD额定值
(1)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备,在这些或超出任何其他条件的功能操作下,推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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ADS8556 ADS8557 ADS8558
ADS8556
ADS8557
ADS8558
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SBAS404A - 2006年10月 - 修订2009年8月
推荐工作条件
电源电压AVDD至AGND
电源电压, BVDD到BGND
输入电源电压, HVDD至AGND
输入电源电压, HVSS至AGND
基准输入电压(V
REF
)
模拟输入
(另见
模拟输入
部分)
工作环境温度范围内,T
A
1范围( ± 2 ×V
REF
)
1范围( ± 4 ×V
REF
)
低电压电平
5V逻辑电平
1范围( ± 2 ×V
REF
)
系列2( ± 4 ×V
REF
)
1范围( ± 2 ×V
REF
)
系列2( ± 4 ×V
REF
)
4.5
2.7
4.5
2 × V
REF
4 × V
REF
–16.5
–16.5
0.5
–2 × V
REF
–4 × V
REF
–40
2.5
典型值
5
3.0
5
最大
5.5
3.6
5.5
16.5
16.5
–2 × V
REF
–4 × V
REF
3.0
+2 × V
REF
+4 × V
REF
+125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
耗散额定值
(1)
LQFP-64
(1)
基于高K
θ
JA
.
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
20.8mW/°C
T
A
+25°C
额定功率
2.60W
T
A
= +70°C
额定功率
1.66W
T
A
= +85°C
额定功率
1.35W
T
A
= +125°C
额定功率
0.52W
热特性
在推荐的工作条件下,除非另有说明。
ADS8556 , ADS8557 , ADS8558
参数
θ
JA
θ
JC
结到空气的热阻
结至外壳热
阻力
ADS8556 , HVDD = + 15V , HVSS = -15V , AVDD = 5V ,
BVDD = 3V ,且f
数据
=最大
P
D
器件的功耗
ADS8557 , HVDD = + 15V , HVSS = -15V , AVDD = 5V ,
BVDD = 3V ,且f
数据
=最大
ADS8558 , HVDD = + 15V , HVSS = -15V , AVDD = 5V ,
BVDD = 3V ,且f
数据
=最大
测试条件
低K热阻
(1)
(1)
典型值
74
48
16
251.7
253.2
262.2
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
高K热阻
298.5
303.0
318.0
mW
mW
mW
(1)
仿照按照低K或高K的EIA / JESD51-3热度量定义。
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3
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ADS8556 ADS8557 ADS8558
ADS8556
ADS8557
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电气特性: ADS8556
在推荐工作的自由空气的温度范围-40 °C至+ 125°C , AVDD = 4.5V至5V , BVDD = 2.7V至5.5V ,
HVDD = 10V至15V , HVSS = -15V到-10V ,V
REF
= 2.5V (内部) ,和f
数据
= 630kSPS在并行模式或450kSPS
串行模式中,除非另有说明。
ADS8556
参数
DC精度
决议
无失码
积分非线性误差
INL
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在T
A
= -40 ° C至+ 125°C
在T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在T
A
= -40 ° C至+ 125°C
16
–3
–4
–1
–1
–4.0
±1.5
±1.5
±0.75
±0.75
±0.8
±3.5
参考电压REFIO
参考电压REFIO
PSRR在输出代码FFFFh时,与AVDD
–0.75
±0.25
±6
60
0.75
3
4
1.5
2
4.0
16
最低位
最低位
最低位
最低位
mV
μV/°C
% FSR
PPM /°C的
dB
条件
典型值
(1)
最大
单位
微分线性误差
偏移误差
失调误差漂移
增益误差
增益误差漂移
电源抑制比
采样动态
采集时间
每个ADC转换时间
内部转换时钟周期
DNL
t
ACQ
t
CONV
t
CCLK
并行接口,
内部时钟和参考
串行接口,
内部时钟和参考
280
1.26
18.5
68.0
630
450
ns
s
t
CCLK
ns
kSPS时
kSPS时
吞吐率
f
数据
AC精度
信噪比
SNR
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时,T
A
= -40 ° C至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz的
在4 ×V
REF
模式
在2 ×V
REF
模式
90
89.5
90
89
87
86.5
91.5
91.5
89.5
89.5
–94
–94
95
95
100
48
24
–90
–89.5
dB
dB
dB
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
信号 - 噪声比+失真
总谐波失真
(2)
SINAD
THD
无杂散动态范围
通道到通道隔离
-3dB小信号带宽
SFDR
(1)
(2)
所有值都是在T
A
= +25°C.
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
4
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ADS8556 ADS8557 ADS8558
ADS8556
ADS8557
ADS8558
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SBAS404A - 2006年10月 - 修订2009年8月
电气特性: ADS8557
在推荐工作的自由空气的温度范围-40 °C至+ 125°C , AVDD = 4.5V至5.5V , BVDD = 2.7V至5.5V ,
HVDD = 10V至15V , HVSS = -15V到-10V ,V
REF
= 2.5V (内部) ,和f
数据
= 670kSPS在并行模式或470kSPS
串行模式中,除非另有说明。
ADS8557
参数
DC精度
决议
无失码
积分非线性误差
微分线性误差
偏移误差
失调误差漂移
增益误差
增益误差漂移
电源抑制比
采样动态
采集时间
每个ADC转换时间
内部转换时钟周期
t
ACQ
t
CONV
t
CCLK
并行接口,
内部时钟和参考
串行接口,
内部时钟和参考
280
1.19
18.5
64.1
670
470
ns
s
t
CCLK
ns
kSPS时
kSPS时
参考电压REFIO
参考电压REFIO
PSRR在输出代码FFFFh时,与AVDD
–0.75
INL
DNL
14
–1
–1
–4
±0.4
±0.25
±0.8
±3.5
±0.25
±6
60
0.75
1
1
4
14
最低位
最低位
mV
μV/°C
% FSR
PPM /°C的
dB
条件
典型值
(1)
最大
单位
吞吐率
f
数据
AC精度
信噪比
信号 - 噪声比+失真
总谐波失真
(2)
SNR在f
IN
= 10kHz的
SINAD在f
IN
= 10kHz的
THD在f
IN
= 10kHz的
SFDR在f
IN
= 10kHz的
在f
IN
= 10kHz的
在4 ×V
REF
模式
在2 ×V
REF
模式
84
83
85
84
–91
–86
dB
dB
dB
dB
dB
兆赫
兆赫
无杂散动态范围
通道到通道隔离
-3dB小信号带宽
86
92
100
48
24
(1)
(2)
所有值都是在T
A
= +25°C.
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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