ADS8555
www.ti.com
SBAS531B
–
2010年12月
–
经修订的2011年2月
16位，六通道，同步采样
模拟数字转换器
检查样品：
ADS8555
1
特点
六SAR型ADC分组的三双
每通道的最大数据速率与内部
时钟和参考：
630kSPS （平行）或450kSPS （串行）
每通道的最大数据速率与外部
时钟和参考：
800kSPS （平行）或500KSPS （串行）
引脚可选或可编程的输入电压
范围：高达
±12V
卓越的AC性能：
91.5分贝SNR ，
–94dB
THD
可编程的内部缓冲
参考： 0.5V至2.5V和0.5V至3.0V
综合掉电模式：
深层关机（待机模式）
自动午睡掉电
可选并行或串行接口
工作温度范围：
–40°C
至+ 125°C
LQFP -64封装
描述
该ADS8555包含6个低功耗， 16位，
逐次逼近寄存器（ SAR ）为基础的
模拟 - 数字转换器（ADC ）与真正的双极
输入。每个通道包含一个采样和保持
电路
那
允许
同时
快速
多通道信号的采集。
该ADS8555支持高达630kSPS的数据速率
在并行接口模式下或高达450kSPS如果
串行接口被使用。并行的总线宽度
接口可以被设置为8位或16位。在串行
模式中，最多三个输出通道可以被激活。
该ADS8555是在扩展
工业温度范围
–40°C
至+ 125 ℃，并
可在LQFP- 64封装。
2
HVDD
HVSS
AVDD
BVDD
时钟
发电机
CH_A0
AGND
CONVST_A
REFC_A
CH_A1
AGND
CH_B0
AGND
CONVST_B
REFC_B
CH_B1
AGND
CH_C0
AGND
CONVST_C
REFC_C
CH_C1
AGND
SAR ADC
控制
逻辑
SAR ADC
SAR ADC
CONFIG
注册
SAR ADC
SAR ADC
I / O
SAR ADC
应用
电能质量测量
保护继电器
多轴电机控制
可编程逻辑控制器
工业数据采集
BUSY / INT
RANGE / XCLK
HW / SW
REF
EN
/ WR
STBY
RESET
CS / FS
RD
DB [ 15 ： 0 ]
字/字节
/串
REF_IO
STRING
DAC
2.5V/3V
REF
AGND
BGND
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2010-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS8555
SBAS531B
–
2010年12月
–
经修订的2011年2月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本月底
文档，或访问该设备的产品文件夹中
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
ADS8555
电源电压， HVDD至AGND
电源电压， HVSS至AGND
电源电压AVDD至AGND
电源电压， BVDD到BGND
模拟输入电压
参考输入电压相对于AGND
数字输入电压相对于BGND
接地电压差AGND至BGND
输入电流电源以外的所有引脚
最高结温，T
J
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准22 ，测试方法A114- C.01 ，所有引脚
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准22项，试验方法C101 ，所有引脚
–0.3
+18
–18
为+0.3
–0.3
到+6
–0.3
到+6
HVSS
–
0.3至HVDD + 0.3
AGND
–
0.3至AVDD + 0.3
BGND
–
0.3至BVDD + 0.3
±0.3
–10
+10
+150
±2000
±500
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
V
V
ESD额定值
(1)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
ADS8555
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(1)
PM
64针
48
16
不适用
不适用
不适用
不适用
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953A.
2
产品文件夹链接（ S） ：
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ADS8555
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2010年12月
–
经修订的2011年2月
推荐工作条件
民
电源电压AVDD至AGND
电源电压， BVDD到BGND
输入电源电压， HVDD至AGND
输入电源电压， HVSS至AGND
基准输入电压（V
REF
)
模拟输入
（另见
模拟输入
部分）
工作环境温度范围内，T
A
输入范围=
±2 ×
V
REF
输入范围=
±4 ×
V
REF
低电压电平
5V逻辑电平
输入范围=
±2 ×
V
REF
输入范围=
±4 ×
V
REF
输入范围=
±2 ×
V
REF
输入范围=
±4 ×
V
REF
4.5
2.7
4.5
2
×
V
REF
4
×
V
REF
–16.5
–16.5
0.5
–2 ×
V
REF
–4 ×
V
REF
–40
2.5
典型值
5
3.0
5
最大
5.5
3.6
5.5
16.5
16.5
–2 ×
V
REF
–4 ×
V
REF
3.0
2
×
V
REF
4
×
V
REF
+125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
电气特性
超过推荐工作的自由空气的温度范围
–40°C
至+ 125°C ， AVDD = 4.5V至5.5V ， BVDD = 2.7V至5.5V ，
HVDD = 10V至15V ， HVSS =
–15V
to
–10V,
V
REF
= 2.5V （内部） ，和f
数据
=最大值，除非另有说明。
ADS8555
参数
DC精度
决议
无失码
积分非线性误差
INL
在T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在T
A
=
–40°C
至+ 125°C
在T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在T
A
=
–40°C
至+ 125°C
16
–3
–4
–1
–1
–4.0
±1.5
±1.5
±0.75
±0.75
±0.8
±3.5
参考电压REFIO
参考电压REFIO
PSRR在输出代码FFFFh时，与AVDD
–0.75
±0.25
±6
60
0.75
3
4
1.5
2
4.0
16
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
mV
μV/°C
％ FSR
PPM /°C的
dB
条件
民
典型值
(1)
最大
单位
微分线性误差
偏移误差
失调误差漂移
增益误差
增益误差漂移
电源抑制比
采样动态
采集时间
每个ADC转换时间
内部转换时钟周期
DNL
t
ACQ
t
CONV
t
CCLK
f
数据
并行接口，内部时钟和参考
串行接口，内部时钟和参考
280
1.26
18.5
68.0
630
450
ns
μs
t
CCLK
ns
kSPS时
kSPS时
吞吐率
AC精度
信噪比
SNR
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 85°C
在f
IN
= 10kHz时，T
A
=
–40°C
至+ 125°C
在f
IN
= 10kHz的
输入范围=
±4 ×
V
REF
输入范围=
±2 ×
V
REF
90
89
87
86.5
91.5
91.5
89.5
89.5
–94
–94
–90
–89.5
dB
dB
dB
dB
dB
信号 - 噪声比+失真
总谐波失真
(2)
SINAD
THD
无杂散动态范围
通道到通道隔离
–3dB
小信号带宽
SFDR
90
89.5
95
95
100
48
24
dB
dB
dB
兆赫
兆赫
(1)
(2)
所有值都是在T
A
= +25°C.
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
3
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ADS8555
2010-2011年，德州仪器
ADS8555
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2010年12月
–
经修订的2011年2月
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电气特性（续）
超过推荐工作的自由空气的温度范围
–40°C
至+ 125°C ， AVDD = 4.5V至5.5V ， BVDD = 2.7V至5.5V ，
HVDD = 10V至15V ， HVSS =
–15V
to
–10V,
V
REF
= 2.5V （内部） ，和f
数据
=最大值，除非另有说明。
ADS8555
参数
模拟量输入
双极满量程范围
CHxx
RANGE引脚/ RANGE位= 0
RANGE引脚/ RANGE位= 1
输入范围=
±4 ×
V
REF
输入范围=
±2 ×
V
REF
没有正在进行的转换
5
所有通道通用CONVST
250
50
–4 ×
V
REF
–2 ×
V
REF
10
20
±1
4
×
V
REF
2
×
V
REF
V
V
pF
pF
μA
ns
ps
ps
条件
民
典型值
(1)
最大
单位
输入电容
输入漏电流
孔径延迟
孔径延迟匹配
孔径抖动
外部时钟输入（ XCLK ）
外部时钟频率
外部时钟占空比
基准电压输出（ REF
OUT
)
f
XCLK
外部基准，必须使用适用于f
XCLK
＆ GT ;
f
CCLK
1
45
18
20
55
兆赫
%
2.5V操作， REFDAC = 0x3FF处
参考电压
V
REF
2.5V操作， REFDAC = 0x3FF处，在+ 25°C
3.0V操作， REFDAC = 0x3FF处
3.0V操作， REFDAC = 0x3FF处，在+ 25°C
参考电压漂移
电源抑制比
输出电流
短路电流
(3)
开启建立时间
外部负载电容
调谐范围
REFDAC分辨率
REFDAC微分非线性
REFDAC积分非线性
REFDAC偏移误差
DNL
DAC
INL
DAC
V
OSDAC
V
REF
= 0.5V （ DAC = 0x0CC ）
V
REFIN
dV
REF
/ DT
PSRR
I
REFOUT
直流电流
I
REFSC
t
REFON
在CREF_x销
在REFIO引脚
REFDAC内部参考输出电压范围
2.485
2.496
2.985
2.995
2.5
2.5
3.0
3.0
±10
73
2.515
2.504
3.015
3.005
V
V
V
V
PPM /°C的
dB
–2
50
10
4.7
100
0.2
×
V
REF
10
–1
–2
–4
±0.1
±0.1
±0.65
10
470
2
mA
mA
ms
μF
nF
V
REF
1
2
4
V
位
最低位
最低位
最低位
参考电压输入（ REF
IN
)
参考输入电压
输入阻抗
输入电容
参考输入电流
串行时钟输入（ SCLK ）
串行时钟输入频率
串行时钟周期
串行时钟占空比
数字输入
逻辑系列
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流
输入电容
V
I
= BVDD到BGND
(4)
0.5
2.5
100
5
3.025
V
M
pF
1
μA
f
SCLK
t
SCLK
0.1
0.0278
40
36
10
60
兆赫
μs
%
与CMOS施密特触发器
0.7
×
BVDD
BGND
–
0.3
–50
5
BVDD + 0.3
0.3
×
BVDD
+50
V
V
nA
pF
(3)
(4)
参考输出电流内部不限制。
按设计规定。
4
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2010-2011年，德州仪器
ADS8555
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–
2010年12月
–
经修订的2011年2月
电气特性（续）
超过推荐工作的自由空气的温度范围
–40°C
至+ 125°C ， AVDD = 4.5V至5.5V ， BVDD = 2.7V至5.5V ，
HVDD = 10V至15V ， HVSS =
–15V
to
–10V,
V
REF
= 2.5V （内部） ，和f
数据
=最大值，除非另有说明。
ADS8555
参数
数字输出
逻辑系列
高电平输出电压
低电平输出电压
高阻态输出电流
输出电容
负载电容
电源要求
模拟电源电压
缓冲I / O电源电压
输入正电源电压
输入负电源电压
AVDD
BVDD
HVDD
HVSS
f
数据
=最大
模拟电源电流
(6)
f
数据
= 250ksps的（自动休眠模式）
IAVDD自动休眠模式，没有正在进行的转换，
内部转换时钟
掉电模式
f
数据
=最大
缓冲I / O电源电流
(7)
f
数据
= 250ksps的（自动休眠模式）
IBVDD自动休眠模式，没有正在进行的转换，
内部转换时钟
掉电模式
f
数据
=最大
f
数据
= 250ksps的（自动休眠模式）
输入正电源电流
(8)
(5)
条件
民
典型值
(1)
最大
单位
CMOS
I
OH
= 100μA
I
OH
=
–100μA
BVDD
–
0.6
BGND
–50
5
30
BVDD
BGND + 0.4
50
V
V
nA
pF
pF
4.5
2.7
5.0
–16.5
5.0
3.0
10.0
–10.0
30.0
14.0
4.0
0.1
0.9
0.5
0.1
0.1
3.0
1.6
0.2
0.1
3.6
1.8
0.2
0.1
251.7
122.5
26.0
3.8
5.5
5.5
16.5
–5.0
36.0
16.5
6.0
50.0
2.0
1.5
10.0
10.0
3.5
2.0
0.3
10.0
4.0
2.2
0.25
10.0
298.5
150.0
38.3
580.0
V
V
V
V
mA
mA
mA
μA
mA
mA
μA
μA
mA
mA
μA
μA
mA
mA
μA
μA
mW
mW
mW
μW
IHVDD自动休眠模式，没有正在进行的转换，
内部转换时钟
掉电模式
f
数据
=最大
f
数据
= 250ksps的（自动休眠模式）
输入负电源电流
(9)
IHVSS自动休眠模式，没有正在进行的转换，
内部转换时钟
掉电模式
f
数据
=最大
f
数据
= 250ksps的（自动休眠模式）
功耗
(10)
自动休眠模式，没有正在进行的转换，
内部转换时钟
掉电模式
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
按设计规定。
在AVDD = 5V 。
在BVDD = 3V ，并行模式下，负载电容为6.0pF = /针。
在HVDD = 15V 。
在HVSS =
–15V.
在AVDD = 5V ， BVDD = 3V ， HVDD = 15V ，和HVSS =
–15V.
2010-2011年，德州仪器
5
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