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ADS8519
www.ti.com
SLAS462A - 2007年6月 - 修订2008年3月
16位, 250ksps的,串行, CMOS ,采样
模拟数字转换器
1
特点
0V至8.192V , ± 5V和± 10V输入范围
93分贝SNR为20kHz输入
± 1.5LSB的INL最大值
± 1LSB DNL最大值; 16位无失码
SPI 兼容的串行输出与
菊花链( TAG )功能和三态总线
5V模拟电源, 1.65V至5.25V的I / O电源
引脚排列类似于16位
ADS7809
(低速)
和12位
ADS7808
ADS8508
无需外部精密电阻要求
使用内部或外部基准
110mW的典型功耗为250ksps的
28引脚SSOP封装
简单的DSP接口
23
描述
该ADS8519是一个完整的16 - bit采样
模拟到数字采用先进设备,最先进的(A / D)转换器
CMOS结构。它包含一个完整的16位
电容型,逐次逼近寄存器
( SAR ) A / D转换器,采样和保持,
基准,时钟和串行数据接口。数据
是使用内部时钟输出或同步到
外部数据时钟。该ADS8519还提供
输出同步脉冲,易于使用性与
标准的DSP处理器。
该ADS8519是在250ksps的采样规定
率在整个温度范围内。内部精度
电阻提供各种输入范围包括± 10V ,
± 5V和0V至8.192V ,而创新设计
可工作在5V单电源供电,电源
为125mW下的功耗。
该ADS8519可在一个28引脚SSOP
封装,操作完全规定在
工业-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
应用
工业过程控制
数据采集系统
数字信号处理
医疗设备
仪器仪表
逐次逼近寄存器
时钟
EXT / INT
7k
R1
IN
7k
R2
IN
2.87k
R3
IN
卜FF器
4k
REF
25.67k
华助会
串行
数据
OUT
控制
DATACLK
标签
数据
的R / C
SB / BTC
CS
PWRD
比较
国内
+ 4.096V参考
1
2
3
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SPI是Motorola , Inc.的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2007-2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS8519
SLAS462A - 2007年6月 - 修订2008年3月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
ADS8519IB
最低
INL
( LSB )
±1.5
NO
MISSING
代码
16-Bit
最低
SINAD
( dB)的
90
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
套餐 -
领导
SSOP-28
代号
DB
订购
ADS8519IBDB
ADS8519IBDBR
ADS8519IDB
ADS8519IDBR
运输
媒体, QTY
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
ADS8519I
±3
15-Bit
87
-40 ° C至+ 85°C
SSOP-28
DB
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明) 。
单位
R1
IN
模拟输入
R2
IN
R3
IN
REF
DGND , AGND2
接地电压差
数字输入
内部功耗
最高结温
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
(2)
V
ANA
V
DIG
±25V
±25V
±25V
+V
ANA
+ 0.3V至AGND2 - 0.3V
±0.3V
6V
6V
-0.3V到+ V
DIG
+ 0.3V
700mW
+165°C
+300°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
电气特性
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
s
= 250ksps的,和V
DIG
= V
ANA
= 5V ,使用内部参考值(除非另有规定) 。
ADS8519I
参数
决议
模拟量输入
电压范围
(1)
阻抗
(1)
电容
吞吐速度
转换周期时间
吞吐率
采集和转换
250
4
250
4
s
kSPS时
50
50
pF
测试条件
典型值
最大
16
ADS8519IB
典型值
最大
16
单位
(1)
± 10V , ± 5V , 0V至8.192V ,等等(见
表3)
2
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SLAS462A - 2007年6月 - 修订2008年3月
电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
s
= 250ksps的,和V
DIG
= V
ANA
= 5V ,使用内部参考值(除非另有规定) 。
ADS8519I
参数
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡噪声
(3)
满量程
错误
(4) (5)
± 10V范围
所有其它范围
内部参考
内部参考
内部参考
外部参考
外部参考
外部参考
–4
±2
–20
6
±0.4
1μF电容CAP
+ 4.75V < V
D
< + 5.25V
–8
1
8
–8
20
–20
–0.05
–0.5
±2
4
–2
±2
6
±0.4
1
8
20
–0.5
–0.5
–0.05
±7
0.003
0.05
0.5
–0.05
–0.5
±2
2
–3
–2
15
0.67
0.5
0.5
–0.25
–0.5
–0.05
±7
0.003
0.05
0.5
3
2
–1.5
–1
16
0.67
0.25
0.5
1.5
1
最低位
(2)
最低位
最低位
% FSR
PPM /°C的
% FSR
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
ms
最低位
测试条件
典型值
最大
ADS8519IB
典型值
最大
单位
满量程误差漂移
满量程
错误
(4) (5)
± 10V范围
所有其它范围
(4)
满量程误差漂移
双极性零误差
双极性零误差漂移
单极性零
错误
(4)
8.192V
单极零误差漂移
恢复后的额定精度
掉电
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
D
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信噪比
全功率带宽
采样动态
孔径延迟
瞬态响应
过压恢复
参考
内部参考电压
内部基准电压源电流
(必须使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
对于规定的线性度
外部参考电流消耗
外部4.096V参考。
2.5
空载
4.076
(8)
(7)
f
I
= 20kHz的
f
I
= 20kHz的
f
I
= 20kHz的
-60dB输入
f
I
= 20kHz的
95
100
–96
–94
97
100
–98
–96
dB
(6)
dB
dB
dB
dB
千赫
87
91
30
90
92
32
88
92
500
91
93
500
5
FS步骤
150
2
5
2
150
ns
s
ns
4.096
1
8
4.096
4.116
4.076
4.096
1
8
4.116
V
A
PPM /°C的
4.1
100
2.5
4.096
4.1
100
V
A
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
LSB表示最低有效位。对于± 10V输入范围,一个LSB是305μV 。
典型均方根噪声在最坏情况下的转换和温度。
在作为测定电路示
图29
图30 。
对于双极性输入范围,满度误差为 - 全量程或+满刻度未校准偏离理想的第一个和最后一个最坏的情况下
代码转换,由过渡电压(不是由满量程范围划分)划分,并包括偏移误差的影响。对于单极
输入范围,满量程误差是最后一个码转换的过渡电压除以偏差。它还包括的效果
偏移误差。
以dB为单位的所有规格均参考满量程± 10V输入。
全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与(噪声+失真)降低至60分贝, 。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
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ADS8519
3
ADS8519
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
s
= 250ksps的,和V
DIG
= V
ANA
= 5V ,使用内部参考值(除非另有规定) 。
ADS8519I
参数
数字输入
逻辑电平
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
(9)
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
(9)
ADS8519IB
最大
典型值
最大
单位
测试条件
典型值
V
DIG
= 1.65V到5.25V
V
DIG
= 1.65V到5.25V
V
IL
= 0V
V
IH
= 5V
–0.3
0.5× V
DIG
0.6
V
DIG
+ 0.3
±10
±10
–0.3
0.5× V
DIG
0.6
V
DIG
+ 0.3
±10
±10
V
V
A
A
数字输出
数据格式
数据编码
流水线延迟
数据时钟
只有内部时钟(输出时
传输数据)
外部时钟(可运行
持续但不推荐
为获得最佳性能)
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
电源
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
数字输入电压
模拟输入电压
数字输入电流
模拟输入电流
必须是
V
ANA
必须是
V
ANA
必须是
V
ANA
必须是
V
ANA
f
S
= 250ksps的
1.65
4.75
5
0.1
22
5.25
5.25
1
25
1.65
4.75
5
0.1
22
5.25
5.25
1
25
V
V
mA
mA
EXT / INT低
串行16位
二进制2的补码
或标准二进制
唯一可用的转换结果
转换完成后,
可选的内部
或外部数据时钟
9
串行16位
二进制2的补码
或标准二进制
唯一可用的转换结果
转换完成后,
可选的内部
或外部数据时钟
9
兆赫
EXT / INT高
I
SINK
= 1.6毫安,
V
DIG
= 1.65V到5.25V
I
来源
= 500A,
V
DIG
= 1.65V到5.25V
Hi-Z状态,
V
OUT
= 0V至V
DIG
Hi-Z状态
0.1
26
0.1
26
兆赫
0.45
V
DIG
– 0.45
±5
15
V
DIG
– 0.45
0.45
V
V
±5
15
A
pF
功耗
PWRD低
PWRD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
存储
θ
JA
热阻
(10)
110
20
125
110
20
125
mW
W
–40
–55
–65
67
+85
+125
+150
–40
–55
–65
67
+85
+125
+150
°C
°C
°C
° C / W
( 9 ) TTL兼容的5V电源。
( 10 )内部参考可能无法正确启动以后的工业温度范围( -40 ° C至+ 85°C ) ;因此,使用的
建议使用外部基准。
4
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ADS8519
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SLAS462A - 2007年6月 - 修订2008年3月
引脚配置
DB包装
( TOP VIEW )
R1IN
1
AGND1
2
R2IN
3
R3IN
4
NC
5
6
REF
7
NC
8
AGND2
9
NC
10
NC
11
SB / BTC
12
EXT / INT
13
DGND
14
28
VDIG
27
V
ANA
26
PWRD
25
24
CS
23
NC
22
NC
21
的R / C
20
NC
19
标签
18
NC
17
数据
16
DATACLK
15
SYNC
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ADS8519
5
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
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ADS8519
SLAS462 - 2007年6月
16位250 KSPS串行CMOS采样模拟数字转换器
1
特点
0 V至8.192 -V , ± 5 V和± 10 V输入范围
90 - dB的SNR对于20 kHz输入
± 2.0 LSB INL最大值
± 1 LSB DNL最大值; 16位无失码
SPI兼容的串行输出,带
菊花链( TAG )功能和三态总线
5 V模拟电源, 5.25 V 1.65 V的I / O电源
引脚分布类似ADS7809 (低速)和
12位ADS7808 / 8508
无需外部精密电阻要求
使用内部或外部基准
100 - mW的典型功耗为250 KSPS
32引脚5×5 QFN和28引脚SSOP封装
简单的DSP接口
描述
该ADS8519是一个完整的16 - bit采样
模拟到数字采用先进设备,最先进的(A / D)转换器
CMOS结构。它包含一个完整的16位
capacitor-基础,逐次逼近寄存器
( SAR ) A / D转换器,采样和保持,
基准,时钟和串行数据接口。数据
可以使用输出的内部时钟,或者可以是
同步到外部数据时钟。该ADS8519
还提供了一个输出的同步脉冲为
缓和与标准的DSP处理器使用。
该ADS8519是在250 kHz的采样速率指定
在整个温度范围内。精密电阻器
提供各种输入范围包括± 10 V和0 V
到5伏,而新颖的设计允许操作
从下一个5 V单电源供电,功耗
100毫瓦。
该ADS8519可在32引脚QFN 5×5和
28引脚SSOP封装,为全面指定
工作在工业-40 ° C至85°C
温度范围。
应用
工业过程控制
数据采集系统
数字信号处理
医疗设备
仪器仪表
逐次逼近寄存器
时钟
EXT / INT
7 k
R1
IN
7 k
R2
IN
2.87 k
R3
IN
卜FF器
4 k
REF
25.67 k
华助会
串行
数据
OUT
&放大器;
控制
DATACLK
标签
数据
的R / C
SB / BTC
CS
PWRD
比较
国内
4.096 V REF
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
产品预览资料涉及产品的
发展形成或设计阶段。特征数据和
其他规格的设计目标。德州仪器储备
有权改变或者恕不另行通知停止这些产品。
2007 ,德州仪器
产品预览
ADS8519
SLAS462 - 2007年6月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
最低
INL
( LSB )
NO
MISSING
CODE
最低
SINAD
( dB)的
规范
温度
范围
领导
5×5 QFN -32
ADS8519IB
±2
16
90
-40 ° C至85°C
SSOP-28
DB
代号
RHB
订购
ADS8519IBRHB
ADS8519IBRHBR
ADS8519IBDB
ADS8519IBDBR
ADS8519IRHB
ADS8519IRHBR
ADS8519IDB
ADS8519IDBR
运输
媒体, QTY
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
管, 50
磁带和卷轴, 2000
5×5 QFN -32
ADS8519I
±3
15
87
-40 ° C至85°C
SSOP-28
RHB
DB
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
单位
R1
IN
模拟输入
R2
IN
R3
IN
REF
DGND , AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
内部功耗
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
±25 V
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
700毫瓦
300°C
产品预览
电气特性
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5V时,使用内部参考值(除非另有规定)
ADS8519I
参数
决议
模拟量输入
电压范围
(1)
阻抗
(1)
电容
吞吐速度
转换周期时间
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
–3
–2
3
2
–2
–1
2
1
最低位
(2)
最低位
采集和转换
250
4
250
4
μs
千赫
50
50
pF
测试条件
典型值
最大
16
典型值
最大
16
ADS8519IB
单位
(1)
(2)
2
± 10 V , ± 5 V , 0 V至8.192 V等(见
表3)
LSB是指至少有显著位。对于± 10 V输入范围,一个LSB为305
μV.
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2007 ,德州仪器
ADS8519
www.ti.com
SLAS462 - 2007年6月
电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5V时,使用内部参考值(除非另有规定)
ADS8519I
参数
无失码
过渡噪声
满量程
错误
(4) (5)
(3)
ADS8519IB
单位
最大
16
典型值
最大
0.67
0.05
0.5
–0.05
–0.5
±0.5
待定
±7
0.05
0.5
–0.05
–0.5
±2
4
–2
±2
20
–20
±0.4
1
8
–8
8
20
2
0.05
% FSR
0.5
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
ms
最低位
0.05
% FSR
0.5
PPM /°C的
最低位
测试条件
15
0.67
–0.05
诠释。参考文献。
–0.5
诠释。参考文献。
–0.05
EXT 。 REF 。
–0.5
EXT 。 REF 。
–4
±2
–20
±0.4
1 μF电容CAP
4.75 V < V
D
< +5.25 V
–8
1
±2
±0.5
待定
±7
典型值
± 10 V范围
所有其它范围
满量程误差漂移
满量程
错误
(4) (5)
± 10 V范围
所有其它范围
满量程误差漂移
双极性零误差
(4)
双极性零误差漂移
单极性零
错误
(4)
8.192 V
单极零误差漂移
恢复后的额定精度
掉电
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
D
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信噪比
全功率带宽
采样动态
孔径延迟
瞬态响应
过压恢复
(8)
参考
内部参考电压
内部基准电压源电流
(必须使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
对于规定的线性度
外部参考电流消耗
数字输入
逻辑电平
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
V
DIG
= 1.65 V ~ 5.25 V
V
DIG
= 1.65 V ~ 5.25 V
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
–0.3
2.0 , 0.65 XV
DIG
分机。 4.096 - V REF 。
2.5
空载
4.076
FS步骤
(7)
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
-60 dB的输入
f
I
= 20千赫
95
102
–100
–94
97
102
–100
–96
dB
(6)
dB
dB
dB
dB
千赫
87
91
30
89
91
32
88
92
500
90
92
500
5
2
150
5
2
150
ns
μs
ns
4.096
1
8
4.096
4.116
4.076
4.096
1
8
4.116
V
μA
PPM /°C的
4.1
100
2.5
4.096
4.1
100
V
μA
0.8 , 0.35 XV
DIG
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
–0.3
2.0 , 0.65 XV
DIG
0.8 , 0.35 XV
DIG
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
V
V
μA
μA
数字输出
数据格式(串行16位)
数据编码(二进制2的
补充或直接二进制)
流水线延迟(换算结果
仅完成后,
转换)。
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
在最坏的情况下,转换和温度下的典型均方根噪声。
在作为测定电路示
图25
图26 。
对于双极性输入范围,满度误差为-full规模或+满刻度未校准偏离理想的第一个和最后一个代码最坏的情况下
转换,由过渡电压(不是由满量程范围划分)划分,并包括偏移误差的影响。对于单极性输入
范围,满量程误差是最后一个码转换的过渡电压除以偏差。它还包括偏置效应
错误。
以dB为单位,所有规格均参考满量程± 10 V的输入。
全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与(噪声+失真)降低到60分贝。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
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2007 ,德州仪器
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5V时,使用内部参考值(除非另有规定)
ADS8519I
参数
数据时钟(可选的内部
或外部数据时钟)
只有内部时钟(输出时
传输数据)
外部时钟(可连续运行
但不建议最佳
性能)
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
电源
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
数字输入电压
模拟输入电压
数字输入电流
模拟输入电流
必须是
V
ANA
1.65
4.75
5
0.1
20
5.25
5.25
1
25
1.65
4.75
5
0.1
20
5.25
5.25
1
25
V
V
mA
mA
EXT / INT低
EXT / INT高
0.1
I
SINK
= 1.6毫安,
V
DIG
= 1.65 V ~ 5.25 V
I
来源
= 500
μA,
V
DIG
= 1.65 V ~ 5.25 V
Hi-Z状态,
V
OUT
= 0 V到V
DIG
Hi-Z状态
V
DIG
-0.45
±5
15
26
0.1
26
兆赫
9
9
兆赫
测试条件
典型值
最大
典型值
最大
ADS8519IB
单位
0.45
V
DIG
-0.45
0.45
V
V
±5
15
μA
pF
产品预览
功耗
PWRD低
PWRD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
存储
热阻( θ
JA
)
SSOP
QFN
67
35.861
67
35.861
° C / W
° C / W
(9)
f
S
250千赫
100
50
125
100
50
125
mW
μW
–40
–55
–65
85
125
150
–40
–55
–65
85
125
150
°C
°C
°C
(9)
内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围( -40 ° C至85°C ) ,因此使用的
建议使用外部基准。
4
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SLAS462 - 2007年6月
时序要求,T
A
= -40 ° C至85°C
参数
t
w1
t
d1
t
w2
t
d2
t
d3
t
CONV
t
ACQ
t
CONV
+ t
ACQ
t
d4
t
c1
t
d5
t
d6
t
c2
t
w3
t
w4
t
su1
t
su2
t
d7
t
d8
t
d9
t
d10
t
su3
t
d11
t
su3
t
h1
脉冲持续时间,转换
延迟时间,距离的R / C低忙
脉冲持续时间,忙低
延迟时间,忙,结束后转换
延迟时间,光圈
转换时间
采集时间
周期
延迟时间,R / C低到内部DATACLK输出
周期时间,内部DATACLK
延迟时间,数据有效内部DATACLK高
延迟时间,数据经过内部DATACLK低有效
周期时间,外部DATACLK
脉冲持续时间,外部DATACLK高
脉冲持续时间,外部DATACLK低
建立时间,R / C上升/下降到外部DATACLK高
建立时间,R / C过渡到CS过渡
延迟时间, SYNC ,经过外部DATACLK高
延迟时间,数据从外部DATACLK高有效
边延迟时间, CS上升到外部DATACLK上升沿
延迟时间,以前的数据后, CS ,R / C低可用
建立时间,忙过渡到第一个外部DATACLK
延迟时间,最后的外部DATACLK繁忙的上升沿
建立时间,有效TAG
保持时间,有效TAG
DB包装
( TOP VIEW )
0
2
RHB包装
( TOP VIEW )
15
20
35
15
15
15
10
3
2
10
2
5
1
35
20
270
110
35
35
1.8
4
5
5
2.2
40
6
20
2.2
典型值
最大
单位
ns
ns
μs
ns
ns
μs
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ns
μs
ns
ns
ns
CS
NC
的R / C
R1IN
1
AGND1
2
R2IN
3
R3IN
4
NC
5
6
REF
7
NC
8
AGND2
9
NC
10
NC
11
SB / BTC
12
EXT / INT
13
DGND
14
28
VDIG
27
V
ANA
26
PWRD
25
24
CS
23
NC
22
NC
21
的R / C
20
NC
19
标签
18
NC
17
数据
16
DATACLK
15
SYNC
PWRD
V
DIG
V
ANA
R1
IN
AGND1
R2
IN
R3
IN
24 23 22 21 20 19 18 17
25
16
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
15
14
标签
NC
NC
NC
NC
NC
数据
DATACLK
SYNC
DGND
EXT / INT
SB / BTC
NC
散热垫
13
12
11
10
8
9
AGND2
REF
NC
NC
NC
NC
注意:
封装散热焊盘必须焊接
在印刷电路基板的热和
机械性能。
2007 ,德州仪器
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