Burr Brown的产品
德州仪器（TI）
ADS8515
SLAS460A - 2007年6月 - 修订2007年11月
16位250 KSPS采样CMOS模拟数字转换器
1
特点
标准的± 10 V输入范围
90 - dB的SNR敏用20 kHz输入
± 2.0 LSB INL最大值
± 1 LSB DNL最大值， 16位无失码
5 V模拟电源，灵活的I / O电源电压
在1.65 V至5.25 V
引脚兼容ADS7805 / 10 （低速） ，
和12位ADS7804 / 8504
使用内部或外部基准
全并行数据输出
100 - mW的典型功耗为250 KSPS
28引脚SSOP封装
描述
该ADS8515是一个完整的16 - bit采样A / D
变频器采用先进设备，最先进的CMOS结构。它
包含一个完整的16位，基于电容器的，特别行政区
A / D与S / H，基准，时钟，接口
微处理器的使用，以及三态输出驱动器。
该ADS8515是在250 kHz的采样速率指定
在整个温度范围内。精密电阻器
提供工业标准的±10V的输入范围，而
创新的设计，可工作在单
+ 5V电源，用不到100毫瓦的功耗。
该ADS8515可在一个28引脚SSOP封装
并完全运行于工业
-40 ° C至85° C温度范围。
应用
工业过程控制
数据采集系统
数字信号处理
医疗设备
仪器仪表
的R / C
CS
字节
忙
时钟
逐次逼近寄存器和控制逻辑
华助会
7 k
±
10 V输入
2 k
帽
卜FF器
4 k
REF
国内
4.096 V REF
25.67 k
比较
产量
锁存器
和
三
状态
DRIVERS
三
状态
并行
数据
公共汽车
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
ADS8515
SLAS460A - 2007年6月 - 修订2007年11月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
最低
INL
（ LSB ）
±2
NO
MISSING
CODE
16
最低
SINAD
（ dB）的
89
规范
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
领导
SSOP-28
包
代号
DB
订购
数
ADS8515IBDB
ADS8515IBDBR
ADS8515IDB
ADS8515IDBR
运输
媒体， QTY
管， 50
磁带和卷轴， 2000
管， 50
磁带和卷轴， 2000
ADS8515IB
ADS8515I
±3
16
87
-40 ° C至85°C
SSOP-28
DB
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(2)
ADS8515
模拟输入
V
IN
帽
REF
接地电压差
DGND ， AGND1 ， AGND2
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
内部功耗
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
±25V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
不定短AGND2 ，瞬间短路到V
ANA
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
825毫瓦
300°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
电气特性
T
A
= -40 ° C至85° C，F
s
= 250千赫，V
DIG
= V
ANA
= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）
ADS8515I
参数
决议
模拟量输入
电压范围
阻抗
电容
吞吐速度
转换周期时间
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡噪声
(2)
ADS8515IB
单位
最大
16
民
典型值
最大
16
位
测试条件
民
典型值
±10
8.885
75
±10
8.885
75
V
k
pF
采集和转换
250
4
250
4
s
千赫
-3
-1
16
0.67
3
2
-2
-1
16
0.67
2
1
最低位
(1)
最低位
(1)
位
最低位
(1)
(2)
2
LSB是指至少有显著位。对于16位， ±10 V的输入ADS8515 ，一个LSB为305
V.
在最坏的情况下，转换和温度下的典型均方根噪声。
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电气特性（续）
T
A
= -40 ° C至85° C，F
s
= 250千赫，V
DIG
= V
ANA
= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）
ADS8515I
参数
满量程
错误
(3) (4)
满量程误差漂移
满量程
错误
(3)(4)
满量程误差漂移
双极性零误差
(3)
ADS8515IB
单位
最大
0.5
民
-0.25
±7
0.25
-0.1
±2
4
-2
±2
8
-8
8
2
0.1
典型值
最大
0.25
％ FSR
PPM /°C的
％ FSR
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
最低位
测试条件
民
诠释。参考文献。
诠释。参考文献。
分机。 4.096 - V REF 。
分机。 4.096 - V REF 。
-4
±2
4.75 V < V
D
< +5.25 V
-8
-0.25
±2
-0.5
±7
典型值
双极性零误差漂移
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
D
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与（噪声+失真）
信噪比
全功率带宽
(6)
采样动态
孔径延迟
瞬态响应
过压恢复
参考
内部参考电压
内部参考源电流（绝
使用外部缓冲器）
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
指定的线性度
外部参考电流消耗
数字输入
逻辑电平
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
V
DIG
= 1.65 V – 5.25 V
V
DIG
= 1.65 V – 5.25 V
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
-0.3
0.65*V
DIG
分机。 4.096 - V REF 。
3.9
4.076
(7)
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
f
I
= 20千赫
-60 dB的输入
f
I
= 20千赫
95
102
-100
-94
97
102
-100
-96
dB
(5)
dB
dB
dB
dB
千赫
87
91
30
89
91
32
88
92
500
90
92
500
5
FS步骤
150
2
5
2
150
ns
s
ns
4.096
1
8
4.096
4.116
4.076
4.096
1
8
4.116
V
A
PPM /°C的
4.2
100
3.9
4.096
4.2
100
V
A
0.8
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
-0.3
0.65*V
DIG
0.35*V
DIG
V
DIG
+0.3 V
±10
±10
V
V
A
A
数字输出
数据格式（并行16位）
数据编码（二进制补码）
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
数字定时
总线访问时序
总线释放时间
电源
83
83
83
83
ns
ns
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 500
A
Hi-Z状态，
V
OUT
= 0 V到V
DIG
Hi-Z状态
0.8×V
DIG
±5
15
0.4
0.8×V
DIG
±5
15
0.4
V
V
A
pF
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
测量与显示固定电阻器
图22 。
调节到零与外部的电位器。
满刻度误差是-full规模或从理想的第一和最后一个代码转换+满量程偏差的最坏的情况下，由过渡分割
电压（未用满量程范围划分），并且包括偏移误差的影响。
以dB为单位，所有规格均参考满量程± 10 V的输入。
全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与（噪声+失真）降低到60分贝或10位
准确度。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
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3
2007 ，德州仪器
ADS8515
SLAS460A - 2007年6月 - 修订2007年11月
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电气特性（续）
T
A
= -40 ° C至85° C，F
s
= 250千赫，V
DIG
= V
ANA
= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）
ADS8515I
参数
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
数字输入电压
模拟输入电压
数字输入电流
模拟输入电流
功耗
温度范围
指定的性能
性能会下降
存储
热阻（ θ
JA
)
SSOP
67
67
° C / W
(8)
ADS8515IB
单位
最大
5.25
民
1.65
4.75
5
0.1
20
100
典型值
最大
5.25
5.25
1
25
125
V
V
mA
mA
mW
测试条件
民
1.65
必须是
≤
V
ANA
4.75
5
0.1
20
f
S
250千赫
100
典型值
5.25
1
25
125
-40
-55
-65
85
125
150
-40
-55
-65
85
125
150
°C
°C
°C
(8)
内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围（ -40 ° C至85°C ） ，因此使用的
建议使用外部基准。
4
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2007 ，德州仪器
ADS8515
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设备信息
DB包装
（ TOP VIEW ）
VIN
1
AGND1
2
REF
3
帽
4
AGND2
5
D15 （MSB）
6
D14
7
D13
8
D12
9
D11
10
D10
11
D9
12
D8
13
DGND
14
28
VDIG
27
V
ANA
26
忙
25
CS
24
的R / C
23
字节
22
D0 （ LSB ）
21
D1
20
D2
19
D3
18
D4
17
D5
16
D6
15
D7
终端功能
终奌站
名字
AGND1
AGND2
忙
字节
帽
CS
DGND
D15 （MSB）
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
SSOP
号
2
5
26
23
4
25
14
6
7
8
9
10
11
12
13
15
16
17
18
19
20
21
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
I
O
I
数字
I / O
描述
模拟地。内部使用的接地参考点。
模拟地。
在转换开始时， BUSY变为低电平，并保持低电平直到转换
建成数字输出已更新。
选择8最显著位（低电平） ，或至少8位显著（ HIGH ） 。
基准电压缓冲电容。 2.2 μF的钽电容到地。
内部OR操作与R / C 。若R / C低，在CS下降沿启动一次新的转换。
数字地。
数据位15，最显著的转换结果位（ MSB ） 。 Hi-Z状态，当CS为高电平，或
当R / C为低电平。
数据位14， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位13， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位12， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位11， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位10， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位9高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位8， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位7， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位6， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位5， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位4高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位3， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位2， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
数据位1， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。
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ADS8515
5
2007 ，德州仪器
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