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ADS8512
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SLAS485 - 2008年6月
12位, 40 kSPS时,低功耗采样模拟数字转换器
具有内部参考和串行接口
1
特点
应用
工业过程控制
测试设备
机器人
DSP伺服控制
医疗器械
便携式数据采集系统
40 kHz的最小采样速率
超低功耗: 25毫瓦
± 3.33 V, ± 5 V ,± 10 V, 4 -V和10 V输入
范围
73.9 dB的SINAD与10 - kHz输入
±0.5 LSB INL最大值
±0.5 LSB DNL最大值,12位NMC
± 5 mV的BPZ , ± 2 PPM / ℃的漂移BPZ
72 - dB的SINAD敏, 80 - dB的SFDR敏
使用内部或外部2.5 V参考
无需外部电阻校准要求
采用5 V单模拟电源:
- 32.5 mW的最大功率耗散
- 50 μW最大掉电模式
SPI 兼容的串行端口高达20MHz ,
主/从功能
全球CONV和三态总线的多芯片
同时S / H运行
引脚兼容
ADS7812
和16位
ADS7813/8513
SO- 16封装
234
描述
该ADS8512是一个完整的低功耗,单5 -V
供应,12位采样模拟到数字(A / D)的
转换器。
It
包含
a
完整
12-bit
电容型,逐次逼近寄存器
(SAR)的A / D变换器与采样和保持(S / H) ,
时钟,参考和串行数据接口。该
转换器可用于多种输入被配置
范围包括± 10 V , ± 5 V , 0 V至10 V和0.5 V
4.5 V的高阻抗, 0.3 V至2.8 V的输入是
也可与输入阻抗大于10
MΩ 。对于大多数输入范围,输入电压可以
摇摆到25 V或-25 V而不会损坏
转换器。
SPI兼容串行接口允许数据
同步于内部或外部时钟。该
ADS8512在40 kHz的采样速率超过规定的
在-40 ° C至+ 85°C工业温度范围。
逐次逼近寄存器
时钟
EXT / INT
40千瓦
R1
IN
8千瓦
R2
IN
20千瓦
R3
IN
BUF
REF
卜FF器
4千瓦
华助会
串行
数据
OUT
控制
PWRD
CS
CONV
SDATA
DATACLK
比较
国内
+2.5 V REF
1
2
3
4
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
TMS320是德州仪器的商标。
SPI是Motorola , Inc.的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
ADS8512
SLAS485 - 2008年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
ADS8512IB
最低
INL
( LSB )
±0.5
NO
MISSING
代码
12
最低
SINAD
( dB)的
72
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
套餐 -
领导
SO-16
代号
DW
订购
ADS8512IBDW
ADS8512IBDWR
ADS8512IDW
ADS8512IDWR
运输
媒体, QUANTITY
管, 20
磁带和卷轴1000
管, 20
磁带和卷轴1000
ADS8512I
±1
12
70
-40 ° C至+ 85°C
SO-16
DW
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明) 。
参数
R1
IN
模拟输入
R2
IN
R3
IN
REF
接地电压差
数字输入
最高结温
存储温度范围
内部功耗
引线温度(焊接, 1,6毫米的情况下, 10秒)
(1)
(2)
GND
V
S
单位
±25 V
±25 V
±25 V
V
S
+ 0.3 V至GND - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V到V
S
+ 0.3 V
+165°C
-65 ° C至+ 150°C
700毫瓦
+260°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
电气特性
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 40 kHz时, V
S
= 5伏,并且使用内部参考和固定电阻器,除非另有规定。
ADS8512I
参数
决议
模拟量输入
电压范围
阻抗
电容
吞吐速度
转换时间
完整的周期
吞吐率
采集和转换
40
20
25
40
20
25
s
s
千赫
SEE
表1
SEE
表1
45
SEE
表1
SEE
表1
45
V
k
pF
测试条件
典型值
最大
12
ADS8512IB
典型值
最大
12
单位
2
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ADS8512
2008 ,德州仪器
ADS8512
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SLAS485 - 2008年6月
电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 40 kHz时, V
S
= 5伏,并且使用内部参考和固定电阻器,除非另有规定。
ADS8512I
参数
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡噪声
(2)
增益误差
满量程误差
(3) (4)
ADS8512IB
最大
典型值
最大
单位
最低位
(1)
最低位
0.05
±0.1
0.5
–0.25
±10
0.5
–0.25
±0.5
10
–5
±2
6
–6
±3
300
±0.75
±0.75
6
5
0.25
0.25
最低位
%
%
PPM /°C的
%
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
s
最低位
dB
(6)
–80
dB
dB
dB
千赫
千赫
测试条件
典型值
–1
–1
12
±0.1
±0.1
1
1
–0.5
–0.5
12
±0.1
±0.1
0.5
0.5
0.05
±0.2
-0.5
±10
外部2.5 V参考
外部2.5 V参考
双极性范围
双极性范围
单极性范围
单极性范围
1 μF电容CAP
4.75 V < V
S
< +5.25 V
f
IN
= 1千赫,± 10 V
f
IN
= 1千赫,± 10 V
f
IN
= 1千赫,± 10 V
-60 dB的输入
f
IN
= 1千赫,± 10 V
70
70
80
98
–96
74
30
74
130
600
72
–80
72
–6
±3
300
–10
±2
–0.5
±0.5
满量程误差漂移
满量程误差
(3) (4)
满量程误差漂移
双极性零误差
(3)
双极性零误差漂移
单极性零误差
(3)
单极零误差漂移
恢复时间从额定精度
掉电
(5)
电源灵敏度
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信号 - 噪声
可用带宽
(7)
全功率带宽( -3 dB)的
采样动态
孔径延迟
孔径抖动
瞬态响应
过压恢复
参考
内部参考电压
内部参考源电流(绝
使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
指定的线性度
外部参考电流消耗
(8)
80
98
–98
74
32
74
130
600
40
20
FS步骤
750
5
40
20
5
750
ns
ps
s
ns
空载
2.48
2.5
1
8
2.52
2.48
2.5
1
8
2.52
V
A
PPM /°C的
2.3
外部2.5 V参考
2.5
2.7
100
2.3
2.5
2.7
100
V
A
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
LSB方法
最显着的位。
1 LSB为± 10 V输入范围是305
V.
典型均方根噪声在最坏情况下的转换。
由于测量固定电阻器。调节到零与外部的电位器。
满刻度误差是 - 全刻度或从理想的第一和最后一个代码转换+全刻度偏差的最坏的情况下,由满刻度分割
范围内;包括偏移误差的影响。经过测试,在-40 ° C至+ 85°C 。
该ADS8512后延时带出掉电模式,直到所有的内部沉降发生和模拟输入获取到
额定精度。这种延迟后转换命令得到准确的结果。
以dB为单位,所有规格均参考满量程输入。
定义为满量程输入频率处信纳比(噪声+失真)降低到60分贝可用带宽。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
2008 ,德州仪器
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ADS8512
SLAS485 - 2008年6月
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 40 kHz时, V
S
= 5伏,并且使用内部参考和固定电阻器,除非另有规定。
ADS8512I
参数
数字输入
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
–0.3
2.0
+0.8
V
S
+ 0.3
±10
±10
–0.3
2.0
+0.8
V
S
+ 0.3
±10
±10
V
V
A
A
测试条件
典型值
最大
ADS8512IB
典型值
最大
单位
数字输出
数据格式 - 串行
数据编码 - 二进制二进制补码
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
数字定时
总线访问时间
总线释放时间
电源
V
S
I
DIG
I
ANA
模拟电压
数字电流
模拟电流
功耗
温度范围
指定的性能
性能会下降
储存温度
θ
JA
热阻
SO-16
–40
–55
–65
46
+85
+125
+150
–40
–55
–65
46
+85
+125
+150
°C
°C
°C
° C / W
V
S
= 5 V,F
S
= 40千赫
PWRD
4.75
5
0.6
4.2
24
50
32.5
5.25
4.75
5
0.6
4.2
24
50
32.5
5.25
V
mA
mA
mW
W
R
L
= 3.3 kΩ的,C
L
= 50 pF的
R
L
= 3.3 kΩ的,C
L
= 10 pF的
83
83
83
83
ns
ns
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 500
A
高阻态,
V
OUT
= 0 V到V
S
高阻态
4
±1
15
0.4
4
±1
15
0.4
V
V
A
pF
表1.输入范围
模拟输入范围
±10 V
0.3125V至2.8125 V
±5 V
0 V至10 V
0 V至24 V
±3.33 V
0.5 V至4.5 V
CONNECT R1
IN
TO
V
IN
V
IN
GND
BUF
BUF
V
IN
GND
CONNECT R2
IN
TO
BUF
V
IN
BUF
GND
V
IN
BUF
V
IN
连接R3
IN
TO
GND
V
IN
V
IN
V
IN
GND
V
IN
GND
输入阻抗
(k)
45.7
>万
26.7
26.7
21.3
21.3
21.3
4
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2008 ,德州仪器
ADS8512
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SLAS485 - 2008年6月
引脚配置
DW包装
SO-16
( TOP VIEW )
R1
IN
1
GND
2
R2
IN
3
R3
IN
4
BUF
5
16
V
S
15
PWRD
14
13
CS
12
CONV
11
EXT / INT
10
数据
9
DATACLK
6
REF
7
GND
8
终端功能
终奌站
名字
R1
IN
R2
IN
R3
IN
BUF
REF
1
3
4
5
6
7
数字
I / O
模拟输入。看
表1
表3中。
模拟输入。看
表1
表3中。
模拟输入。看
表1
表3中。
基准缓冲输出。连接到R1
IN
, R2
IN
,或R3
IN
根据需要。
基准电压缓冲补偿节点。去耦至地, 1μF的钽电容
用0.01 μF陶瓷电容并联。
基准输入/输出。通过一系列4 - kΩ的resisitor输出内部2.5 V基准电压源。这脱钩
电压与1 μF至2.2 μF的钽电容到地。如果一个外部参考电压是
适用于该引脚,它覆盖了内部参考。
I / O
数据时钟引脚。与EXT / INT低,该引脚为输出,并提供了synchrnous时钟的
串行数据。输出为三态时, CS为高电平。与EXT / INT高,该引脚为输入和
串行数据时钟必须由外部提供。
串行数据输出。串行数据总是最后完成转换的结果,是
同步DATACLK 。如果DATACLK是从内部时钟( EXT / INT低) ,串行数据
上DATACLK的上升沿和下降沿都有效。 DATA为三态,当CS为高电平。
外部/内部DATACLK引脚。选择用于串行数据的同步时钟的源。如果
高,时钟必须由外部提供。如果为低电平,时钟由内部转换而得
时钟。注意,时钟用于时间的转换总是INTERNA ,升不管的状态
EXT / INT 。
转换的输入。在此输入的下降沿使内部采样/保持进入保持状态,
启动转换,无论CS的状态。如果转换正在进行中,落下的
边缘被忽略。如果EXT / INT为低电平时,从以前的转换数据将被串行传送
在当前的转换。
I
片选。该输入3态输出的所有高时,使所有输出低电平时,包括
DATA ,忙, DATACLK (当EXT / INT为低) 。请注意,在CONV下降沿将启动
转换即使在CS为高电平。
忙碌的输出。当转换开始时, BUSY变为低电平并在整个仍然很低
转换。如果EXT / INT为低电平时,串行传输数据,同时BUSY为低。 BUSY为三态
当CS为高电平。
掉电输入。当高,多数ADS8512被置于低功耗模式,并
功耗显著降低。 CONV必须采取前低PWRD去,以
以实现最低功耗。所需ADS8512的时间恢复到正常
断电后运行取决于许多因素。咨询
掉电
更多的信息。
地面上。
+ 5V电源输入。为了获得最佳性能,去耦至地, 0.1 μF陶瓷电容
一个10 μF的钽电容并联。
描述
DATACLK
9
数据
10
O
EXT / INT
11
I
CONV
12
CS
13
14
O
PWRD
15
I
GND
V
S
2, 8
16
2008 ,德州仪器
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADS8512IBDWR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
ADS8512IBDWR
TI
22+
4000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
ADS8512IBDWR
TI/德州仪器
23+
23000
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全新原装现货 优势库存
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联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
ADS8512IBDWR
TI
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电话:171-4755-1968(微信同号)
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联系人:李
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ADS8512IBDWR
Texas Instruments
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原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ADS8512IBDWR
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ADS8512IBDWR
Texas Instruments
24+
11718
16-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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TI/德州仪器
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电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
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