Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS8508
SLAS433 - 2005年9月
12位250 KSPS串行CMOS采样模拟数字转换器
特点
250 - kHz的采样速率
4 -V , 5 V , 10 V, ± 3.33 V, ± 5 V和± 10 V输入
范围
73 - dB的SINAD采用45 kHz输入
± 0.45 LSB INL最大值
± 0.45 LSB DNL最大值,12位无失
代码
±1
LSB双极性零误差
±0.4
PPM /°C的双极性零误差漂移
六名指明输入范围
SPI兼容的串行输出,带
菊花链( TAG )功能
5 V电源
引脚兼容ADS7808 (低速)
与16位ADS8509 / 7809
使用内部或外部基准
70 - mW的典型功耗为250 KSPS
20引脚SO封装
简单的DSP接口
应用
工业过程控制
数据采集系统
数字信号处理
医疗设备
仪器仪表
描述
该ADS8508是一个完整的12 - bit采样
模拟到数字采用先进设备,最先进的(A / D)转换器
CMOS结构。它包含了一个完整的12位,
电容型,逐次逼近寄存器
( SAR ) A / D转换器,采样和保持,为参考
单一模式,时钟和串行数据接口。数据可以是
使用输出的内部时钟,或者可以是
同步到外部数据时钟。该ADS8508
还提供了一个输出的同步脉冲为
缓和与标准的DSP处理器使用。
该ADS8508是在250 kHz的采样速率指定
在整个温度范围内。精密电阻器
提供各种输入范围包括± 10 V和0 V
到5伏,而新颖的设计允许操作
从单一的+ 5V电源与功耗
在100毫瓦。
该ADS8508是在一个20引脚SO封装,
运行在完整的工业-40°C
至85 °C温度范围。
逐次逼近寄存器
时钟
EXT / INT
9.8 k
R1
IN
4.9 k
R2
IN
2.5 k
R3
IN
帽
卜FF器
4 k
REF
10 k
华助会
忙
串行
数据
OUT
&放大器;
控制
DATACLK
数据
的R / C
SB / BTC
CS
PWRD
比较
国内
+2.5 V REF
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年,德州仪器
ADS8508
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SLAS433 - 2005年9月
封装/订购信息
(1)
产品
最低
相对的
准确性
( LSB )
±0.45
NO
MISSING
CODE
12
最低
SINAD
( dB)的
72
规范
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
领导
包
代号
订购
数
ADS8508IBDW
ADS8508IBDWR
运输
媒体, QTY
管, 25
磁带和卷轴, 2000
ADS8508IB
SO-20
DW
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
ADS8508
R1
IN
R2
IN
模拟输入
R3
IN
帽
REF
DGND , AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
存储温度范围
内部功耗
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
±25 V
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
不定短AGND2 ,瞬间短路到V
ANA
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
-65_C到150_C
700毫瓦
260°C
电气特性
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考和固定电阻(见
图28
和
图29)
(除非另有规定编)
参数
决议
模拟量输入
电压范围
(1)
阻抗
(1)
电容
吞吐速度
转换周期
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
无失码
过渡
(1)
(2)
(3)
2
噪音
(3)
-0.45
-0.45
12
0.1
0.45
0.45
最低位
(2)
最低位
位
最低位
采集和转换
250
4
s
千赫
50
pF
测试条件
ADS8508IB
民
典型值
最大
12
单位
位
± 10 V , 0 V至5 V等(见
表3)
LSB是指至少有显著位。对于± 10 V输入范围, 1 LSB为4.88毫伏。
在最坏的情况下,转换和温度下的典型均方根噪声。
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考和固定电阻(见
图28
和
图29)
(除非另有规定编)
参数
满量程
错误
(4) (5)
满量程误差漂移
满量程
错误
(4) (5)
满量程误差漂移
双极性零误差
(4)
双极性零误差漂移
单极性零
错误
(4)
10 V范围
4 V和5 V
范围
1 μF电容CAP
4.75 V < V
D
< +5.25 V
-0.5
-5
-3
±2
1
0.5
± 10 V范围
所有其它范围
± 10 V范围
所有其它范围
测试条件
诠释。参考文献。用0.1%的外部固定
电阻器
诠释。参考文献。
分机。参考文献。用0.1%的外部固定
电阻器
EXT 。 REF 。
-1
±0.4
5
3
mV
PPM /°C的
ms
最低位
-0.5
-0.5
±2
1
ADS8508IB
民
-0.5
-0.5
±7
0.5
0.5
典型值
最大
0.5
0.5
单位
% FS
PPM /°C的
% FS
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
单极零误差漂移
恢复后的额定精度
掉电
电源灵敏度
(V
DIG
= V
ANA
= V
D
)
AC精度
SFDR
THD
SINAD
SNR
无杂散动态范围
总谐波失真
信号与(噪声+失真)
信噪比
全功率带宽
(7)
采样动态
孔径延迟
瞬态响应
过压恢复
(8)
参考
内部参考电压
内部基准电压源电流
(必须使用外部缓冲器)
内部参考电压漂移
外部参考电压范围
指定的线性度
外部参考电流消耗
数字输入
逻辑电平
V
IL
V
IH
(4)
(5)
低电平输入电压
高电平输入电压
-0.3
2.0
分机。 2.5 V参考。
2.3
空载
2.48
FS步骤
f
I
= 45千赫
f
I
= 45千赫
f
I
= 45千赫
-60 dB的输入
f
I
= 45千赫
72
72
86
95
-95
73
32
73
500
5
2
150
2.5
1
8
2.5
2.7
100
2.52
-86
dB
(6)
dB
dB
dB
dB
千赫
ns
s
ns
V
A
PPM /°C的
V
A
0.8
V
DIG
+0.3 V
V
V
(6)
(7)
(8)
在作为测定电路示
图28
和
图29 。
调节到零与外部的电位器。工厂校准为0.1 % ,
0.25瓦的电阻。
对于双极性输入范围,满度误差为-full规模或+满刻度未校准偏离理想的第一个和最后一个代码最坏的情况下
转换,由过渡电压(不是由满量程范围划分)划分,并包括偏移误差的影响。对于单极性输入
范围,满量程误差是最后一个码转换的过渡电压除以偏差。它还包括偏置效应
错误。
以dB为单位,所有规格均参考满量程± 10 V的输入。
全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与(噪声+失真)降低到60分贝。
经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。
3
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电气特性(续)
在T
A
= -40 ° C至85° C,F
s
= 250千赫,V
DIG
= V
ANA
= 5 V ,使用内部参考和固定电阻(见
图28
和
图29)
(除非另有规定编)
参数
I
IL
I
IH
低电平输入电流
高层次的输入电流
数据格式(串行16位)
数据编码(二进制2的补码
或直接二进制)
流水线延迟(换算结果
仅完成后, CON-
版本)。
数据时钟(可选为内部或
外部数据时钟)
只有内部时钟(输出时
传输数据)
外部时钟(可连续运行
但不建议最佳
性能)
V
OL
V
OH
低电平输出电压
高电平输出电压
漏电流
输出电容
电源
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
数字输入电压
模拟输入电压
数字输入电流
模拟输入电流
PWRD低
PWRD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
(9)
存储
热阻( θ
JA
)
SO
(9)
75
° C / W
-40
-55
-65
85
125
150
°C
°C
°C
f
S
250千赫
必须是
≤
V
ANA
4.75
4.75
5
5
4
10
70
50
100
5.25
5.25
V
V
mA
mA
mW
W
EXT / INT低
EXT / INT高
0.1
9
26
兆赫
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 500 A
Hi-Z状态,
V
OUT
= 0 V到V
DIG
Hi-Z状态
4
±5
15
0.4
V
V
A
pF
兆赫
测试条件
V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V
ADS8508IB
民
典型值
最大
±10
±10
单位
A
A
数字输出
功耗
内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围( -40 ° C至85°C ) ,因此使用的
建议使用外部基准。
4
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时序要求,T
A
= -40 ° C至85°C
参数
t
w1
t
d1
t
w2
t
d2
t
d3
t
CONV
t
ACQ
t
CONV
+ t
ACQ
t
d4
t
c1
t
d5
t
d6
t
c2
t
w3
t
w4
t
su1
t
su2
t
d7
t
d8
t
d9
t
d10
t
su3
t
d11
t
su3
t
h1
脉冲持续时间,转换
延迟时间,距离的R / C低忙
脉冲持续时间,忙低
延迟时间,忙,结束后转换
延迟时间,光圈
转换时间
采集时间
周期
延迟时间,R / C低到内部DATACLK输出
周期时间,内部DATACLK
延迟时间,数据有效内部DATACLK高
延迟时间,数据经过内部DATACLK低有效
周期时间,外部DATACLK
脉冲持续时间,外部DATACLK高
脉冲持续时间,外部DATACLK低
建立时间,R / C上升/下降到外部DATACLK高
建立时间,R / C过渡到CS过渡
延迟时间, SYNC ,经过外部DATACLK高
延迟时间,数据有效
延迟时间, CS为上升沿
延迟时间,以前的数据后, CS ,R / C低可用
建立时间,忙过渡到第一个外部DATACLK
延迟时间,最后的外部DATACLK繁忙下降沿
建立时间,有效TAG
保持时间,有效TAG
DW包装
( TOP VIEW )
民
40
典型值
6
5
5
最大
20
2.2
单位
ns
ns
s
ns
ns
2.2
1.8
4
270
110
15
20
35
15
15
15
10
3
2
10
2
5
1
0
2
35
20
t
C2
+ 5
35
35
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
s
ns
ns
R1IN
1
AGND1
2
R2IN
3
R3IN
4
帽
5
REF
6
AGND2
7
SB / BTC
8
EXT / INT
9
DGND
10
20
VDIG
19
V
ANA
18
PWRD
17
忙
16
CS
15
的R / C
14
标签
13
数据
12
DATACLK
11
SYNC
5