【Burr Brown的产品德州仪器（TI）ADS8505SLAS180B - 2005年9月 - 修】,IC型号ADS8505IBDWG4,ADS8505IBDWG4 PDF资料,ADS8505IBDWG4经销商,ic,电子元器件-51电子网

Burr Brown的产品

德州仪器（TI）

ADS8505

SLAS180B - 2005年9月 - 修订2007年6月

16位250 KSPS采样CMOS模拟数字转换器

特点

105分贝SFDR在250 kHz的采样率

标准

±10-V

输入范围

±1.5

LSB INL最大值

±1

LSB DNL最大值， 16位无失码

±2

毫伏最大双极性零误差

±0.4

PPM /°C的漂移

±0.1%

FSR最大满刻度误差

±2

PPM /°C的漂移

采用5 V单电源供电

引脚兼容ADS7805 （低速）

和12位ADS8504 / 7804

使用内部或外部基准

全并行数据输出

70 - mW的典型功耗为250 KSPS

28引脚SSOP和SOIC封装

应用

工业过程控制

数据采集系统

数字信号处理

医疗设备

仪器仪表

描述

该ADS8505是一个完整的16 - bit采样A / D

变频器采用先进设备，最先进的CMOS结构。它

包含一个完整的16位，基于电容器的，特别行政区

A / D与S / H，基准，时钟，接口

微处理器的使用，以及三态输出驱动器。

该ADS8505是在250 kHz的采样规定

率在整个温度范围内。精确

电阻提供一个行业标准

±10-V

输入

范围内，而创新的设计让操作

从单一的+ 5V电源，具有功耗

在100毫瓦。

该ADS8505采用28引脚SOIC和28引脚

SSOP封装，用于操作两个完全指定

在工业-40 ° C至85° C温度范围。

时钟

逐次逼近寄存器和控制逻辑

的R / C

字节

忙

华助会

9.8 k

10 V输入

5 k

帽

卜FF器

4 k

REF

国内

+2.5 V REF

2 k

比较

产量

锁存器

和

三

状态

DRIVERS

三

状态

并行

数据

公共汽车

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

ADS8505

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SLAS180B - 2005年9月 - 修订2007年6月

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

封装/订购信息

(1)

产品

最低

相对的

准确性

（ LSB ）

MISSING

CODE

最低

SINAD

（ dB）的

规范

温度

范围

包

领导

包

代号

订购

数

ADS8505IBDW

ADS8505IBDWR

ADS8505IBDB

ADS8505IBDBR

ADS8505IDW

ADS8505IDWR

ADS8505IDB

ADS8505IDBR

运输

媒体， QTY

管， 20

磁带和卷轴1000

管， 50

磁带和卷轴， 2000

管， 20

磁带和卷轴1000

管， 50

磁带和卷轴， 2000

SO-28

ADS8505IB

±1.5

-40 ° C至85°C

SSOP-28

SO-28

ADS8505I

±4

-40 ° C至85°C

SSOP-28

(1)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站： www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(2)

单位

模拟输入

REF

帽

DGND ， AGND1 ， AGND2

接地电压差

ANA

DIG

到V

ANA

DIG

数字输入

最高结温

内部功耗

焊接温度（焊接， 10秒）

(1)

(2)

±25V

ANA

+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V

不定短AGND2 ，瞬间短路到V

ANA

±0.3

0.3 V

-0.3 V至+ V

DIG

+ 0.3 V

165°C

825毫瓦

300°C

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

电气特性

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

ADS8505I

参数

决议

模拟量输入

电压范围

阻抗

电容

吞吐速度

转换周期

吞吐率

采集和转换

250

千赫

±10

11.5

±10

11.5

测试条件

民

典型值

最大

民

典型值

最大

位

ADS8505IB

单位

提交文档反馈

ADS8505

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SLAS180B - 2005年9月 - 修订2007年6月

电气特性（续）

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

ADS8505I

参数

DC精度

INL

DNL

积分非线性误差

Differentiall线性误差

无失码

过渡噪声

(2)

满量程误差

(3) (4)

满量程误差漂移

满量程误差

(3) (4)

满量程误差漂移

双极性零

错误

(3)

诠释。参考文献。

分机。 2.5 V参考。

–5

±0.4

4.75 V < V

< +5.25 V

–8

–0.25

±2

–2

±0.4

–0.5

±7

0.25

–0.1

–4

–2

0.77

0.5

–0.25

±7

±0.01

±2

0.1

–1.5

–1

0.77

0.25

1.5

最低位

(1)

最低位

(1)

位

最低位

％ FSR

PPM /°C的

％ FSR

PPM /°C的

最低位

测试条件

民

典型值

最大

民

典型值

最大

ADS8505IB

单位

双极性零误差漂移

电源灵敏度

DIG

= V

ANA

= V

)

AC精度

SFDR

THD

SINAD

SNR

无杂散动态范围

总谐波失真

信号与（噪声+失真）

信噪比

全功率带宽

(6)

采样动态

孔径延迟

瞬态响应

过压

参考

内部参考电压

内部参考源电流（绝

使用外部缓冲器）

内部参考电压漂移

外部参考电压范围

指定的线性度

外部参考电流消耗

数字输入

逻辑电平

低电平输入电压

高电平输入电压

低电平输入电流

高层次的输入电流

–0.3

2.0

分机。 2.5 V参考。

2.3

2.48

恢复

(7)

FS步骤

= 20千赫

-60 dB的输入

= 20千赫

–98

500

–92

105

–103

–96

(5)

千赫

500

150

2.5

2.52

2.48

2.5

2.52

PPM /°C的

2.7

100

2.3

2.5

2.7

100

0.8

DIG

+0.3 V

±10

–0.3

2.0

0.8

DIG

+0.3 V

±10

数字输出

数据格式（并行16位）

数据编码（二进制补码）

低电平输出电压

高电平输出电压

漏电流

输出电容

SINK

= 1.6毫安

来源

= 500毫安

Hi-Z状态，

OUT

= 0 V到V

DIG

Hi-Z状态

±5

0.4

±5

0.4

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

LSB是指至少有显著位。为16位，

±10-V

输入ADS8505 ，一个LSB为305

在最坏的情况下，转换和温度下的典型均方根噪声。

测量与显示固定电阻器

图27 。

调节到零与外部的电位器。

满刻度误差是-full规模或从理想的第一和最后一个代码转换+满量程偏差的最坏的情况下，由过渡分割

电压（未用满量程范围划分），并且包括偏移误差的影响。

以dB为单位的所有规格均参考满量程

±10-V

输入。

全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与（噪声+失真）降低到60分贝或10位

准确度。

经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。

提交文档反馈

ADS8505

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SLAS180B - 2005年9月 - 修订2007年6月

电气特性（续）

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

ADS8505I

参数

数字定时

总线访问时序

总线释放时间

电源

DIG

ANA

DIG

ANA

数字输入电压

模拟输入电压

数字输入电流

模拟输入电流

功耗

温度范围

指定的性能

降额

存储

热阻（ θ

)

SSOP

° C / W

性能

(8)

–40

–55

–65

125

150

–40

–55

–65

125

150

°C

250千赫

必须是

≤

ANA

4.75

5.25

100

4.75

5.25

100

测试条件

民

典型值

最大

民

典型值

最大

ADS8505IB

单位

(8)

内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围（ -40 ° C至85°C ），因此使用的

建议使用外部基准。

设备信息

DB或DW包装

（ TOP VIEW ）

VIN

AGND1

REF

帽

AGND2

D15 （MSB）

D14

D13

D12

D11

D10

DGND

VDIG

ANA

忙

的R / C

字节

D0 （ LSB ）

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ADS8505

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设备信息（续）

终端功能

终奌站

名字

AGND1

AGND2

忙

字节

帽

DGND

D15 （MSB）

D14

D13

D12

D11

D10

D0 （ LSB ）

的R / C

REF

ANA

DIG

DB / DW NO 。

数字

I / O

描述

模拟地。内部使用的接地参考点。

模拟地。

在转换开始时， BUSY变为低电平，并保持低电平直到转换

建成数字输出已更新。

选择8最显著位（低电平），或至少8位显著（ HIGH ）。

基准电压缓冲电容。 2.2 μF的钽电容到地。

内部OR操作与R / C 。如果R / C为低，在CS下降沿启动一次新的转换。

数字地。

数据位15，最显著的转换结果位（ MSB ）。 Hi-Z状态，当CS为

高，或当R / C为低。

数据位14， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位13， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位12， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位11， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位10， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位9高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位8， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位7， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位6， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位5， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位4高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位3， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位2， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位1， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位转换结果为0。最显著位（ LSB ）。 Hi-Z状态，当CS为高电平时，

或者，当R / C为低。

在CS为低电平和BUSY为高电平， R / C时的下降沿启动一次新的转换。与CS

低，上的R / C的上升沿使并行输出。

基准输入/输出。 2.2 μF的钽电容到地。

模拟电源输入。名义上+5 V.去耦至地0.1 μF陶瓷

10μF的钽电容。

数字电源输入。名义上+5 V.直接连接到引脚27必须

≤

ANA

模拟输入。看

图28 。

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