【Burr Brown的产品德州仪器（TI）ADS8504SLAS434 - 2005年6月12位25】,IC型号ADS8504IBDW,ADS8504IBDW PDF资料,ADS8504IBDW经销商,ic,电子元器件-51电子网

Burr Brown的产品

德州仪器（TI）

ADS8504

SLAS434 - 2005年6月

12位250 KSPS采样CMOS模拟数字转换器

特点

250 - kHz的采样速率

标准的± 10 V输入范围

73 - dB的SINAD采用45 kHz输入

± 0.45 LSB INL最大值

± 0.45 LSB DNL最大值

12位无漏码

± 1 LSB双极性零误差

± 0.4 PPM /°C的双极性零误差漂移

采用5 V单电源供电

引脚兼容ADS7804 / 05 （低速）

与16位ADS8505

使用内部或外部基准

全并行数据输出

70 - mW的典型功耗为250 KSPS

28引脚SOIC封装

应用

工业过程控制

数据采集系统

数字信号处理

医疗设备

仪器仪表

描述

该ADS8504是一个完整的12位采样A / D

变频器采用先进设备，最先进的CMOS结构。它

包含一个完整的12位，电容为主， SAR

A / D与S / H，基准，时钟，接口

微处理器的使用，以及三态输出驱动器。

该ADS8504是在250 kHz的采样速率指定

在整个温度范围内。精密电阻器

提供工业标准的±10V的输入范围，而

创新的设计，可工作在单

+ 5V电源，用不到100毫瓦的功耗。

该ADS8504可在一个28引脚SOIC封装

并完全运行于工业

-40 ° C至85° C温度范围。

时钟

逐次逼近寄存器和控制逻辑

的R / C

字节

忙

华助会

9.8 k

10 V输入

5 k

帽

卜FF器

4 k

REF

国内

+2.5 V REF

2 k

比较

产量

锁存器

和

三

状态

DRIVERS

三

状态

并行

数据

公共汽车

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

ADS8504

www.ti.com

SLAS434 - 2005年6月

封装/订购信息

(1)

产品

最低

相对的

准确性

（ LSB ）

±0.45

将会给出NO

ING码

最低

SINAD

（ dB）的

规范

温度

范围

-40 ° C至85°C

包

领导

包

代号

订购

数

ADS8504IBDW

ADS8504IBDWR

运输

媒体， QTY

管， 20

磁带和卷轴1000

ADS8504IB

SO-28

(1)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(2)

ADS8504

模拟输入

帽

REF

接地电压差

DGND ， AGND1 ， AGND2

ANA

DIG

到V

ANA

DIG

数字输入

最高结温

内部功耗

引线温度（焊接，从个案1,6mm ， 10秒）

(1)

(2)

±25V

ANA

+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V

不定短AGND2 ，瞬间短路到V

ANA

±0.3 V

0.3 V

-0.3 V至+ V

DIG

+ 0.3 V

165°C

825毫瓦

260°C

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

电气特性

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

参数

决议

模拟量输入

电压范围

阻抗

电容

吞吐速度

转换周期

吞吐率

DC精度

INL

DNL

积分非线性误差

Differentiall线性误差

无失码

过渡噪声

(2)

满量程

错误

(3) (4)

诠释。参考文献。

-0.25

±7

满量程误差漂移

(1)

(2)

(3)

(4)

-0.45

0.1

0.25

0.45

最低位

(1)

最低位

(1)

位

最低位

％ FSR

PPM /°C的

采集和转换

250

千赫

±10

11.5

测试条件

民

典型值

最大

单位

位

LSB是指至少有显著位。对于12位， ±10 V的输入ADS8504 ， 1 LSB为4.88毫伏。

在最坏的情况下，转换和温度下的典型均方根噪声。

测量与显示固定电阻器

图23 。

调节到零与外部的电位器。

满刻度误差是-full规模或从理想的第一和最后一个代码转换+满量程偏差的最坏的情况下，由过渡分割

电压（未用满量程范围划分），并且包括偏移误差的影响。

ADS8504

www.ti.com

SLAS434 - 2005年6月

电气特性（续）

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

参数

满量程误差

(3) (4)

满量程误差漂移

双极性零误差

(3)

双极性零误差漂移

电源灵敏度

DIG

= V

ANA

= V

)

AC精度

SFDR

THD

SINAD

SNR

无杂散动态范围

总谐波失真

信号与（噪声+失真）

信噪比

全功率

带宽

(6)

= 45千赫

-60 dB的输入

= 45千赫

-95

500

FS步骤

150

2.48

2.5

2.3

分机。 2.5 V参考。

2.5

2.7

100

2.52

-86

(5)

千赫

PPM /°C的

4.75 V < V

< +5.25 V

-0.5

测试条件

分机。 2.5 V参考。

-1

±0.4

0.5

民

-0.25

±2

典型值

最大

0.25

单位

％ FSR

PPM /°C的

最低位

PPM /°C的

最低位

采样动态

孔径延迟

瞬态响应

过压恢复

(7)

参考

内部参考电压

内部参考源电流（必须使用

外部缓冲器）

内部参考电压漂移

指定外部参考电压范围

线性

外部参考电流消耗

数字输入

逻辑电平

低电平输入电压

高电平输入电压

低电平输入电流

高层次的输入电流

数据格式（并行12位）

数据编码（二进制补码）

低电平输出电压

高电平输出电压

漏电流

输出电容

数字定时

总线访问时序

总线释放时间

SINK

= 1.6毫安

来源

= 500 A

Hi-Z状态，V

OUT

= 0 V到V

DIG

Hi-Z状态

±5

0.4

-0.3

2.0

0.8

DIG

+0.3 V

±10

数字输出

(5)

(6)

(7)

以dB为单位，所有规格均参考满量程± 10 V的输入。

全功率带宽定义为满量程输入频率处的信号与（噪声+失真）降低到60分贝或10位

准确度。

经过2个FS输入过压恢复到指定的性能。

ADS8504

www.ti.com

SLAS434 - 2005年6月

电气特性（续）

= -40 ° C至85° C，F

= 250千赫，V

DIG

= V

ANA

= 5V时，使用内部参考值（除非另有说明）

参数

电源

DIG

ANA

DIG

ANA

数字输入电压

模拟输入电压

数字输入电流

模拟输入电流

功耗

温度范围

指定的性能

降额

存储

热阻（ θ

)

(8)

° C / W

性能

(8)

-40

-55

-65

125

150

°C

250千赫

必须是

≤

ANA

4.75

100

5.25

测试条件

民

典型值

最大

单位

内部基准电压可能无法正确启动以后的工业温度范围（ -40 ° C至85°C ），因此使用的

建议使用外部基准。

设备信息

DW包装

（ TOP VIEW ）

VIN

AGND1

REF

帽

AGND2

D11 （MSB）

D10

DGND

VDIG

ANA

忙

的R / C

字节

D0 （ LSB ）

ADS8504

www.ti.com

SLAS434 - 2005年6月

设备信息（续）

终端功能

终奌站

名字

AGND1

AGND2

忙

字节

帽

DGND

D11 （MSB）

D10

D0 （ LSB ）

的R / C

REF

ANA

DIG

DW NO 。

数字

I / O

描述

模拟地。内部使用的接地参考点。

模拟地。

在转换开始时， BUSY变为低电平，并保持低电平直到转换

建成数字输出已更新。

选择8最显著位（低电平），或至少8位显著（ HIGH ）。

基准电压缓冲电容。 2.2 μF的钽电容到地。

内部OR操作与R / C 。若R / C低，在CS下降沿启动一次新的转换。

数字地。

数据位11，最显著的转换结果位（ MSB ）。 Hi-Z状态，当CS为

高，或当R / C为低。

数据位10， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位9高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位8， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位7， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位6， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位5， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位4高阻状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位3， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位2， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位1， Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

数据位转换结果为0。最显著位（ LSB ）。 Hi-Z状态，当CS为高电平时，

或者，当R / C为低。

LOW当CS为低电平，R / C高。 Hi-Z状态，当CS为高电平时，或者当R / C为低。

在CS为低电平和BUSY为高电平， R / C时的下降沿启动一次新的转换。与CS

低，上的R / C的上升沿使并行输出。

基准输入/输出。 2.2 μF的钽电容到地。

模拟电源输入。名义上+5 V.去耦至地0.1 μF陶瓷

10μF的钽电容。

数字电源输入。名义上+5 V.直接连接到引脚27必须

≤

ANA

模拟输入。