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ADS8381
SLAS364D - 2002年4月 - 修订2005年2月
18位, 580千赫,单极性输入,微功耗采样
并行接口模拟数字转换器
特点
D
580 kHz的采样率
D
18位NMC有保证的过热
D
零延迟
D
低功耗: 115 mW的580千赫
D
单极性输入范围
D
板载基准缓冲器和转化
时钟
应用
D
医疗器械
D
光网络
D
传感器接口
D
高精度数据采集系统
D
磁力
描述
该ADS8381是18位, 580 kHz的A / D转换器。该
设备包括一个18位基于电容的SAR A / D
转换器固有的采样和保持。该ADS8381
提供了一个完整的18位接口,其中的数据是16位的选项
读取使用两个读周期,或使用8位总线选
3读周期。
该ADS8381可在一个48引脚TQFP封装,
特点是在工业-40 ° C至85°C
温度范围。
D
的缓冲区供应, 2.7 V至5.25 V
D
灵活的8位/ 16位/ 18位并行接口
D
引脚兼容ADS8383
D
48引脚TQFP封装
BUS 18/16
特区
产量
锁存器
3-State
DRIVERS
字节
18-/16-/8-Bit
并行数据
输出总线
+ IN
In
REFIN
+
_
华助会
比较
转变
控制逻辑
CONVST
CS
RD
时钟
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002-2005年,德州仪器
ADS8381
SLAS364D - 2002年4月 - 修订2005年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
最大
积分
线性
( LSB )
最大
迪FF erential
线性
( LSB )
NO
MISSING
代码
分辨率
TION (BIT)
TYPE
代号
Temper-
ATURE
范围
订购
信息
PORT
媒体
QUANTITY
磁带和
卷250
磁带和
卷轴千
磁带和
卷250
磁带和
卷轴千
模型
ADS8381IPFBT
ADS8381I
±6
2/3
17
48针
TQFP
PFB
40 C
-40 ° C至
85°C
ADS8381IPFBR
ADS8381IBPFBT
ADS8381IB
±5
1/2
18
48针
TQFP
PFB
40 C
-40 ° C至
85°C
ADS8381IBPFBR
注:对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者查看TI网站
在www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明( 1 )
单位
+ IN至AGND
电压
-IN至AGND
+ VA至AGND
电压范围
+ VBD到BDGND
+ VA至+ VBD
数字输入电压BDGND
数字输出电压BDGND
工作自由空气的温度范围, TA
存储温度范围, TSTG
结温(Tj最大)
功耗
TQFP封装
θ
JA热阻抗
气相(60秒)
焊接温度,焊接
红外( 15秒)
-0.4 V至+ VA + 0.1 V
-0.4 V至0.5 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
0.3 V至2.55 V
-0.3 V至+ VBD + 0.3 V
-0.3 V至+ VBD + 0.3 V
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
150°C
( TJMAX - TA ) / θJA
86°C/W
215°C
220°C
( 1 )强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
www.ti.com
ADS8381
SLAS364D - 2002年4月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子
TA = -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V , VREF = 4.096 V , FSAMPLE = 580千赫(除非另有说明)
参数
模拟量输入
满量程输入电压(见注1 )
绝对输入电压
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
< 0.125 FS
积分非线性(见注2和3 )
差分线性
偏移误差
增益误差(见注4 )
噪音
电源抑制比
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
( 1 )理想的输入范围,不包括增益或失调误差。
(2) LSB表示至少显著位
(3 )这是一个端点INL ,不是最合适的。
( 4 )测量相对于理想的满量程输入(IN + - -IN )的4.096 V
4
15
150
150
0.3
580
4
15
150
150
1.4
0.3
580
1.4
s
s
千赫
ns
ps
ns
ns
在3FFFFH
输出代码
> 0.125 FS
18
4
5
1
0.75
0.075
60
75
2.2/1
3/2
0.6/1.25
±0.25
4
5
2
0.75
0.075
18
17
5
6
2
1
0.1
60
75
±0.5
5
6
3
1
0.1
18
最低位
( 18位)
最低位
( 18位)
mV
% FS
V
RMS
dB
+ IN - -IN
+ IN
In
0
0.2
0.2
45
1
VREF
VREF + 0.2
0.2
0
0.2
0.2
45
1
VREF
VREF + 0.2
0.2
V
V
pF
nA
TEST
条件
ADS8381IB
典型值
最大
ADS8381I
典型值
最大
单位
3
ADS8381
SLAS364D - 2002年4月 - 修订2005年2月
www.ti.com
规格(续)
TA = -40 ° C至85°C , + VA = + 5V , + VBD = 3 V或5 V , VREF = 4.096 V , FSAMPLE = 580千赫(除非另有说明)
ADS8381IB
ADS8381I
TEST
参数
条件
典型值
最大
典型值
动态特性
1千赫
10千赫
总谐波失真( THD ) (见注1 )
50千赫
100千赫
1千赫
10千赫
信噪比( SNR ) (见注1 )
50千赫
100千赫
1千赫
信号与噪声+失真
( SINAD ) (见注1 )
10千赫
50千赫
100千赫
1千赫
无杂散动态范围( SFDR ) (见
注1 )
10千赫
50千赫
100千赫
-3dB小信号带宽
参考电压输入
参考电压REFIN , Vref的
参考电阻(见注2 )
参考电流消耗
FS = 580千赫
(1 )计算在所述第一9次谐波的输入频率的
( 2 )可以改变
±20%
2.5
4.096
500
1
4.2
2.5
4.096
500
1
4.2
V
k
mA
112
106
98
95
88
88
88
88
88
88
87
87
113
108
99
97
3
110
100
95
90
87
87
87
87
87
87
86
86
112
98
96
90
3
兆赫
dB
dB
dB
dB
单位
最大
单位
4
www.ti.com
ADS8381
SLAS364D - 2002年4月 - 修订2005年2月
规格(续)
TA = -40 ° C至85°C , + VA = + 5V , + VBD = 3 V或5 V , VREF = 4.096 V , FSAMPLE = 580千赫(除非另有说明)
参数
测试条件
典型值
数字输入/输出
逻辑系列
VIH
VIL
VOH
VOL
IIH = 5
A
IIL = 5
A
IOH = 2 TTL负载
IOL = 2 TTL负载
+VBD1
0.3
+ VBD - 0.6
0.4
二进制
CMOS
+ VBD + 0.3
0.8
V
最大
单位
逻辑电平
数据格式
电源要求
+ VBD缓冲供应
电源电压
+ VA模拟电源
电源电流, 580 kHz的采样率(见注1 )
功耗, 580 kHz的采样率(见注1 )
温度范围
工作自由空气
40
( 1 )这仅包括+ VA电流。 + VBD电流是典型的1毫安对所有输出引脚5 pF负载电容。
2.7
4.75
3.3
5
23
115
5.25
5.25
26
130
85
V
V
mA
mW
°C
5
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS8472
SLAS514 - 2006年12月
16位, 1 MSPS的,伪双极全差动输入,微
采样模拟数字转换器,并行接口,
参考
特点
应用
医疗器械
0至1 MHz的采样率
光网络
±0.4
LSB的典型值,
±0.65
LSB INL最大值
传感器接口
±0.3
LSB的典型值,
±0.5
LSB DNL最大值
高精度数据采集系统
16位NMC有保证的过热
磁力
±0.1-mV
偏移误差
±0.05-PPM/°C
失调误差漂移
描述
±0.035
% FSR增益误差
该ADS8472是16位, 1 MSPS A / D转换器
±0.4-PPM/°C
增益误差漂移
有内部4.096 V参考和
信噪比可达95dB ,总谐波失真-120dB , SFDR 123分贝
伪双极全差动输入。该装置
包括一个16位基于电容的SAR A / D转换器
零延迟
与固有的采样和保持。该ADS8472报价
低功耗: 225 mW的1 MSPS
一个完整的16位接口或者使用两个8位总线选
单极性差分输入范围: V
REF
到-vref
读周期。
板载参考6 PPM / ° 漂移
该ADS8472可在一个48引脚QFN 7x7的
板载基准缓冲器
封装,其特征在于在工业
-40 ° C至85° C温度范围。
高速并行接口
宽数字电源2.7 V至5.25 V
8位/ 16位总线传输
48引脚的7x7 QFN封装
高速SAR转换器系列
类型/速度
500千赫
ADS8383
= 600千赫
ADS8381
ADS8380 (S)
750千赫
1兆赫
ADS8481
1.25兆赫
2兆赫
3兆赫
4MHz
18位伪的Diff
18位伪双极全的Diff
ADS8327
16位伪的Diff
ADS8328
16位伪双极全的Diff
ADS8406
14位伪的Diff
12位伪的Diff
ADS7886
ADS7890 (S)
ADS7883
ADS8413 (S)
ADS7891
ADS7881
ADS8372 (S)
ADS8472
ADS8405
ADS8402
ADS8410 (S)
ADS8412
ADS8422
ADS8382 (S)
ADS8370 (S)
ADS8371
ADS8482
ADS8471
ADS8401
ADS8411
特区
+ IN
In
REFIN
4.096-V
国内
参考
+
_
华助会
比较
产量
锁存器
3-State
DRIVERS
字节
16-/8-Bit
并行DA TA
输出总线
REFOUT
时钟
转变
控制逻辑
CONVST
CS
RD
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年,德州仪器
ADS8472
www.ti.com
SLAS514 - 2006年12月
订购信息
(1)
模型
最大
积分
线性
( LSB )
最大
迪FF erential
线性度( LSB )
无失码
分辨率(位)
TYPE
代号
回火 - ATURE
范围
订购
信息
TRANS -PORT
媒体数量。
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
ADS8472IRGZT
ADS8472I
±1
±0.75
16
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至85°C
ADS8472IRGZR
ADS8472IBRGZT
ADS8472IB
±0.65
±0.5
16
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至85°C
ADS8472IBRGZR
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
+ IN至AGND
-IN至AGND
电压
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
+ VA至+ VBD
数字输入电压BDGND
数字输出电压BDGND
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
结温(T
J
MAX )
QFN封装
焊接温度,焊接
(1)
功耗
θ
JA
热阻抗
气相(60秒)
红外( 15秒)
-0.4 + VA + 0.1
-0.4 + VA + 0.1
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 2.55
-0.3 + VBD + 0.3
-0.3 + VBD + 0.3
-40到85
-65到150
150
(T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
22
215
220
° C / W
°C
°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
提交文档反馈
ADS8472
www.ti.com
SLAS514 - 2006年12月
特定网络阳离子
T
A
= -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V ,V
REF
= 4.096 V,F
样品
= 1 MSPS的(除非另有说明)
参数
模拟量输入
满量程输入电压
(1)
绝对输入电压
共模输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
(2)
测试条件
典型值
最大
单位
+在 - ( -In )
+ IN
In
–V
REF
–0.2
–0.2
(V
REF
)/2 – 0.2
(V
REF
)/2
65
1
V
REF
V
REF
+ 0.2
V
REF
+ 0.2
(V
REF
)/2 + 0.2
V
V
V
pF
nA
16
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
在DC ( ± 0.2 V左右V
REF
/2)
+ IN - ( -IN ) = 1 VPP在1 MHz
V
REF
= 4.096 V
V
REF
= 4.096 V
–0.1
–0.1
16
16
–1
–0.65
–0.75
–0.5
–0.5
–0.5
±0.4
±0.4
±0.3
±0.3
±0.1
±0.1
±0.05
±0.05
±0.035
±0.035
±0.4
±0.4
65
55
25
在1FFFFH输出代码
60
0.1
0.1
1
0.65
0.75
0.5
0.5
0.5
最低位
(16位)
(3)
最低位
(16位)
mV
积分线性度
差分线性
偏移误差
(4)
失调误差温度漂移
增益误差
(4) (5)
PPM /°C的
% FS
% FS
PPM /°C的
增益误差温度漂移
共模抑制比
噪音
电源抑制比
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
dB
V
RMS
dB
625
320
350
650
ns
ns
1
4
5
150
150
兆赫
ns
ps
ns
ns
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
理想的输入范围,不包括增益或失调误差。
这是端点INL ,不是最合适的。
LSB表示至少显著位
测得的相对理想的满量程输入 - 的8.192 V [ + IN( -IN )
本规范不包括内部基准电压误差和漂移。
提交文档反馈
3
ADS8472
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SLAS514 - 2006年12月
规格(续)
T
A
= -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V ,V
REF
= 4.096 V,F
样品
= 1 MSPS的(除非另有说明)
参数
动态特性
ADS8472I
ADS8472IB
总谐波失真( THD )
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
信噪比(SNR)的
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
信号与噪声+失真比(SINAD )
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
无杂散动态范围( SFDR )
(1)
ADS8472I
ADS8472IB
ADS8472I
ADS8472IB
-3dB小信号带宽
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在2kHz的
V
IN
= 8 V
pp
在20千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
94
94
94
94
–120
–121
-105
-110
-100
-103
95.1
95.3
95
95.1
93
94.5
95
95.2
94.5
95
92
94
120
123
107
113
102
105
15
兆赫
dB
dB
dB
dB
测试条件
典型值
最大
单位
(1)
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
4
提交文档反馈
ADS8472
www.ti.com
SLAS514 - 2006年12月
规格(续)
T
A
= -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V ,V
REF
= 4.096 V,F
样品
= 1 MSPS的(除非另有说明)
参数
参考电压输入
参考电压REFIN ,V
REF
参考阻力
(1)
参考电流消耗
内部基准电压
内部基准电压源启动时间
参考电压范围,V
REF
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列-CMOS
V
IH
逻辑电平
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式 - 直二进制
电源要求
电源
电压
电源电流
(2)
功耗
(2)
温度范围
工作自由空气
–40
85
°C
+ VBD
+ VA
f
s
= 1兆赫
f
s
= 1兆赫
2.7
4.75
3.3
5
45
225
5.25
5.25
50
250
V
V
mA
mW
I
IH
= 5
A
I
IL
= 5
A
I
OH
= 2 TTL负载
I
OL
= 2 TTL负载
+ VBD - 1
–0.3
+ VBD - 0.6
+ VBD + 0.3
0.8
V
从95% ( + VA) ,用1μF存储电容器
I
O
= 0
静载荷
+ VA = 4.75 V 5.25 V
I
O
= 0
60
±6
4.081
4.096
120
4.111
10
ms
V
A
V
PPM /°C的
f
s
= 1兆赫
3.0
4.096
500
1
+ VA - 0.8
V
k
mA
测试条件
典型值
最大
单位
(1)
(2)
可以改变
±20%
这仅包括+ VA电流。 + VBD电流是典型的1毫安对所有输出引脚5 pF负载电容。
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5
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS8406
SLAS426A - 2004年8月 - 修订2004年12月
16位, 1.25 MSPS的,伪双极全差动输入,微功耗
并行接口采样模拟数字转换器
特点
伪双极全差动输入, -V
REF
到V
REF
16位NMC 1.25 MSPS
±2
LSB INL最大值, -1 / + 1.25 LSB DNL
90分贝信噪比-95 dB的THD为100 kHz输入
零延迟
内部4.096 V参考
高速并行接口
采用5 V单模拟电源
宽I / O电源: 2.7 V至5.25 V
低功耗: 155 mW的1.25 MHz的典型值
引脚兼容ADS8412 / 8402
48引脚TQFP封装
应用
DWDM
仪器仪表
高速,高分辨率,零延迟
数据采集系统
传感器接口
医疗器械
通讯
描述
该ADS8406是16位, 1.25 MHz的A / D转换器
有内部4.096 V参考。该器件产生
附有16位基于电容的SAR A / D转换器
与固有的采样和保持。该ADS8406提供
全16位接口和数据的地方是一个8位的选择
读取使用两个8位的读周期。
该ADS8406具有伪双极全差动
输入。它采用48引脚TQFP封装,
特点是在工业-40 ° C至85°C
温度范围。
高速SAR转换器系列
类型/速度
18位伪的Diff
16位伪的Diff
16位伪双极
全差分
14位伪的Diff
12位伪的Diff
500千赫
ADS8383
580千赫
ADS8381
ADS8371
ADS8401
ADS8405
ADS8402
ADS8406
ADS7890 (S)
ADS7891
ADS7881
ADS8412
ADS8411
750兆赫
1.25兆赫
2兆赫
3兆赫
4兆赫
特区
+ IN
In
REFIN
4.096-V
国内
参考
+
_
华助会
比较
产量
锁存器
3-State
DRIVERS
字节
16-/8-Bit
并行数据
输出总线
REFOUT
时钟
转变
控制逻辑
RESET
CONVST
CS
RD
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年,德州仪器
ADS8406
SLAS426A - 2004年8月 - 修订2004年12月
www.ti.com
订购信息
(1)
模型
最大
积分
线性
( LSB )
最大
迪FF erential
线性
( LSB )
没有失踪
代码
决议
(位)
TYPE
DESIG-
nator
温度
TURE
范围
订购
信息
运输
媒体
QUANTITY
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
ADS8406I
-4至+4
-2至+2
15
48针
TQFP
ADS8406IPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS8406IPFBR
ADS8406IBPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS8406IBPFBR
ADS8406IB
-2至+2
-1至+1.25
16
48针
TQFP
(1)
对于最近的规格和包装的信息,请访问我们的网站: www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
单位
电压
+ IN至AGND
-IN至AGND
+ VA至AGND
电压范围
+ VBD到BDGND
+ VA至+ VBD
数字输入电压BDGND
数字输出电压BDGND
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
结温(T
J
MAX )
TQFP封装
功耗
θ
JA
热阻抗
气相(60秒)
红外( 15秒)
-0.4 V至+ VA + 0.1 V
-0.4 V至+ VA + 0.1 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
0.3 V至2.55 V
-0.3 V至+ VBD + 0.3 V
-0.3 V至+ VBD + 0.3 V
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
150°C
(T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
86°C/W
215°C
220°C
焊接温度,焊接
(1)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
ADS8406
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SLAS426A - 2004年8月 - 修订2004年12月
特定网络阳离子
T
A
= -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V ,V
REF
= 4.096 V,F
样品
= 1.25兆赫(除非另有说明)
参数
模拟量输入
满量程输入电压
绝对输入电压
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
INL
DNL
E
O
E
G
CMRR
积分线性度
(2) (3)
(1)
测试条件
+在 - ( -In )
+ IN
In
–V
REF
–0.2
–0.2
典型值
最大
V
REF
V
REF
+ 0.2
V
REF
+ 0.2
单位
V
V
pF
nA
25
0.5
16
ADS8406I
ADS8406IB
ADS8406I
ADS8406IB
ADS8406I
ADS8406IB
ADS8406I
ADS8406IB
ADS8406I
ADS8406IB
在DC ( 0.2 V左右V
REF
/2)
+ IN - ( -IN ) = 1V
pp
在1 MHz
在7FFFh表示输出代码, + VA
= 4.75 V至5.25 V ,V
REF
=
4.096 V
(4)
500
150
1.25
2
25
100
100
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在500千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在100千赫
V
IN
= 8 V
pp
在500千赫
–95
–90
90
88
95
93
5
2.5
4.096
500
4.2
15
16
–4
–2
–2
–1
–2.5
–1.5
–0.12
–0.098
80
80
2
±2
±1
±1
±0.5
±1
±0.5
4
2
2
1.25
2.5
1.5
0.12
0.098
最低位
最低位
mV
mV
% FS
dB
差分线性
偏移误差
(4)
增益误差
(4) (5)
共模抑制比
PSRR
直流电源抑制比
最低位
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
动态特性
THD
SNR
SINAD
SFDR
总谐波失真
信噪比
信号 - 噪声+失真
无杂散动态范围
-3dB小信号带宽
外部参考电压输入
参考电压REFIN ,V
REF
参考阻力
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(7)
(6)
650
ns
ns
兆赫
ns
ps
ns
ns
dB
dB
dB
dB
兆赫
V
k
理想的输入范围,不包括增益或失调误差。
LSB表示至少显著位
这是端点INL ,不是最合适的。
测得的相对理想的满量程输入 - 的8.192 V [ + IN( -IN )
本规范不包括内部基准电压误差和漂移。
计算在所述第一9次谐波的输入频率的
可以改变
±20%
3
ADS8406
SLAS426A - 2004年8月 - 修订2004年12月
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规格(续)
T
A
= -40 ° C至85°C , + VA = 5 V , + VBD = 3 V或5 V ,V
REF
= 4.096 V,F
样品
= 1.25兆赫(除非另有说明)
参数
内部基准电压
内部基准电压源启动时间
V
REF
参考电压
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列 - CMOS
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
数据格式 - 2的补码
电源要求
电源电压
电源电流,
P
D
T
A
(8)
+ VA
(8)
+ VBD
+ VA
f
s
= 1.25 MHz的
f
s
= 1.25 MHz的
–40
2.7
4.75
3
5
31
155
5.25
5.25
34
170
85
V
V
mA
mW
°C
I
IH
= 5 A
I
IL
= 5 A
I
OH
= 2 TTL负载
I
OL
= 2 TTL负载
+ VBD - 1
–0.3
+ VBD - 0.6
0
+ VBD + 0.3
0.8
+ VBD
0.4
V
从95% ( + VA)与1μF
储能电容
IOUT = 0
静载荷
+ VA = 4.75 5.25 V
IOUT = 0
0.6
36
4.065
4.096
120
4.13
10
ms
V
A
mV
PPM /°C的
测试条件
典型值
最大
单位
功耗
(8)
工作自由空气的温度
温度范围
这仅包括+ VA电流。 + VBD电流通常与输出引脚5 pF负载电容1毫安。
4
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时序特性
所有典型规格在-40 ° C至85°C , + VA = + VBD = 5 V
参数
t
CONV
t
ACQ
t
pd1
t
pd2
t
w1
t
su1
t
w2
t
w3
t
w4
t
h1
t
d1
t
su2
t
w5
t
en
t
d2
t
d3
t
w6
t
w7
t
h2
t
su3
t
h3
t
DIS
t
d5
t
su4
t
d6
t
d7
t
SU( AB )
转换时间
采集时间
CONVST从低到高BUSY
传播延迟时间,转换结束繁忙低
脉冲持续时间, CONVST低
建立时间, CS低到CONVST低
脉冲持续时间, CONVST高
CONVST下降沿的抖动
脉冲持续时间, BUSY信号为低电平
脉冲持续时间, BUSY信号为高电平
保持时间,第一数据总线的数据转换( RD低,或CS为低电平
读周期或字节输入的变化)后, CONVST低
延迟时间, CS低到RD低(或忙低到RD低,当CS =
0)
建立时间, RD高到CS高
脉冲持续时间, RD低电平时间
启用时间, RD低(或CS为低电平读周期)到数据有效
延迟时间,数据RD持有高
延迟时间, BYTE上升沿或下降沿到数据有效
脉冲持续时间, RD高
脉冲持续时间, CS高电平时间
保持时间,最后RD (或CS读周期)上升沿到CONVST
下降沿
建立时间, BYTE过渡到RD下降沿
保持时间,字节过渡到RD下降沿
禁止时间, RD高( CS为高电平读周期)为三态数据
公共汽车
延迟时间,转换结束MSB数据有效
字节转换建立时间,从BYTE过渡到下一个字节
过渡
延迟时间, CS上升沿到BUSY下降沿
延迟时间, BUSY下降沿到CS上升沿
设置时间,从CONVST的下降沿(用于启动
有效的转换)到CONVST的下一个下降沿(当CS =
0和CONVST用来中止)或CS的下一个下降沿
(当CS是用来中止)
从建立时间, CONVST下降沿读取有效数据( MSB)
电流转换
保持时间,从以前的转换数据( MSB)持有有效
CONVST的下降沿
50
50
50
60
500
0
2
20
20
50
0
0
20
10
20
40
0
0
50
20
敏(T
ACQ
)
610
20
0
20
10
(1) (2) (3)
500
150
典型值
最大
650
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
40
5
t
su5
t
h4
(1)
(2)
(3)
最大(T
CONV
) + MAX (T
d5
)
敏(T
CONV
)
ns
ns
所有输入信号均采用t指定
r
= t
f
= 5纳秒(10%至90%的+ VBD )和从一个电压电平的定时(Ⅴ
IL
+ V
IH
)/2.
见时序图。
所有的时序测量的全部数据位和BUSY引脚20 pF的等效负载。
5
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    ADS8381
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ADS8381
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ADS8381
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ADS8381
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9822
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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电话:83209217
联系人:李先生
地址:深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼
ADS8381
BB
23+
35658
标准封装
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电话:13530983348
联系人:朱小姐
地址:深圳市华强北赛格广场4709B
ADS8381
TI
21+
32600
原封装
百分百公司原装现货,假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
ADS8381
TI
23+
25000
SMD(只做原装)
全新进口原装现货!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ADS8381
TI
21+
11362
原厂原封装
全新原装正品/质量有保证
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