ADS
825
ADS
822
ADS822
ADS825
对于最新的数据表等产品
信息，请访问www.burr-brown.com
10位， 40MHz的采样
模拟 - 数字转换器
TM
特点
q
高信噪比： 60分贝
q
高SFDR ： 72dBFS
q
低功耗： 190MW
q
内部/外部基准选择
q
单端或
全差分模拟输入
q
可编程输入范围
q
低DNL ： 0.5LSB
q
+ 5V单电源操作
q
+ 3V或+ 5V逻辑I / O兼容（ ADS825 ）
q
POWER DOWN ：为20mW
q
28引线SSOP封装
应用
q
医学影像
q
测试设备
q
电脑扫描仪
q
通讯
q
视频数字化
该ADS822和ADS825采用数字纠错技
niques为要求苛刻提供出色的线性度差
成像应用。它的低失真和高信噪比，得到
需要医疗成像额外的保证金，通信，
视频和测试仪器。该ADS822和ADS825报价
190MW的功率损耗，并且还提供一个电源关闭
模式，从而减少了功率耗散仅为20mW 。该
ADS825为+ 3V或+ 5V逻辑I / O兼容。
的ADS822和ADS825都以最大采样指定
的40MHz的频率和1.5V的一个单端输入范围
3.5V 。该ADS822和ADS825是采用28引线SSOP
封装，引脚对引脚与10位， 60MHz的兼容
ADS823和ADS826 ，和10位， 70MHz的ADS824 ， provid-
荷兰国际集团的升级路径，以较高的采样频率。
CLK
VDRV
描述
的ADS822和ADS825是管道， CMOS模拟 - 数字
从+ 5V单电源供电器。这些
转换器可提供优异的性能与一个单端
输入，并且可以与一个差分输入进行操作以增加
杂散性能。这些高性能转换器，在 -
CLUDE一个10位的量化器，高带宽的采样和保持，以及一
高精度内部参考。他们也允许为用户
禁止内部参考和利用外部引用。这
外部参考选项提供出色的增益和偏移
在多通道应用程序或应用程序中使用时，匹配
在需要的满量程范围调整系统蒸发散。
+V
S
ADS822
ADS825
定时
电路
V
IN
IN
IN
T / H
10-Bit
流水线
A / D核心
错误
更正
逻辑
3-State
输出
D0
D9
CM
国内
参考
可选的外部
参考
INT / EXT
PD
OE
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111
TWX ： 910-952-1111 互联网： http://www.burr-brown.com/电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 即时产品信息： （ 800 ） 548 -6132
1997年的Burr-Brown公司
PDS-1385E
美国印刷1999年10月
特定网络阳离子
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
ADS822E
参数
决议
特定网络版温度范围
模拟量输入
标准的单端输入范围
可选的单端输入范围
共模电压范围
可选差分输入范围
模拟量输入偏置电流
输入阻抗
追踪模式输入带宽
转换特性
采样率
数据延迟
动态特性
微分线性误差（大码错误）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
无失码
积分非线性误差， F = 1MHz的
无杂散动态范围
(2)
F = 1MHz的
F = 10MHz时
双音互调失真
(4)
F =具有9.5MHz和9.9MHz （ -7dB每个音）
信号 - 噪声比（ SNR）的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
信号与（噪声+失真）比（SINAD ）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
有效位数
(5)
， F = 1MHz的
输出噪声
孔径延迟时间
孔径抖动
过电压恢复时间
满量程步进采集时间
数字输入
逻辑系列
convert命令
高电平输入电流
(6)
(V
IN
= 5V
DD
)
低电平输入电流（V
IN
= 0V)
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电容
数字输出
逻辑系列
逻辑编码
低输出电压（I
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
低输出电压， （我
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
三态启用时间
三态禁止时间
输出电容
环境空气
2Vp-p
1Vp-p
2Vp-p
1.5
2
2.5
2
1
1.25 || 5
300
10k
5
40M
T
T
3
T
T
T
T
T
条件
民
典型值
10保
-40至+85
3.5
3
T
T
T
T
最大
民
ADS825E
(1)
典型值
10保
-40至+85
T
T
最大
单位
位
°C
V
V
V
V
A
MΩ || pF的
兆赫
样本/秒
CLK天幕
-3dBFS输入
±0.25
±0.5
保证
±0.5
提到满量程
63
72
66
–67
提到满量程
57
提到满量程
56
输入连接到共模
59
58
9.5
0.2
3
1.2
2
5
60
60
±1.0
±2.0
T
T
保证
T
71
65
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
最低位
最低位
最低有效位
dBFS的
(3)
dBFS的
dBc的
dB
dB
dB
dB
位
LSB的有效值
ns
ps的均方根
ns
ns
T
60
T
T
开始转换
CMOS兼容
转换时钟的上升沿
100
10
+3.5
+1.0
5
CMOS兼容
直接偏移二进制
+0.1
+4.9
+0.1
+2.8
2
40
2
10
5
±1.0
5
±1.5
38
±0.75
25
70
±10
±10
3.5
1.5
1.6
±3.0
TTL ， + 3V / 5V + CMOS兼容
转换时钟的上升沿
T
T
+2.0
+0.8
T
CMOS兼容
直接偏移二进制
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±0.29
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
A
A
V
V
pF
VDRV = 5V
VDRV = 3V
OE = H到L
OE = L至H
V
V
V
V
ns
ns
pF
％ FS
PPM /°C的
％ FS
％ FS
PPM /°C的
％ FS
PPM /°C的
dB
mV
mV
V
V
k
精度（内部参考， 2VP- P，除非另有说明）
零误差（简称-FS ）
在25℃下
零误差漂移（简称-FS ）
中间电平偏移误差
在25℃下
增益误差
(7)
在25℃下
增益误差漂移
(7)
增益误差
(8)
在25℃下
增益误差漂移
(8)
增益的电源抑制
V
S
=
±5%
REFT公差
偏离理想3.5V
REFB公差
偏离理想1.5V
外部REFT电压范围
外部REFB电压范围
参考输入电阻
REFT到REFB
T
±2.5
±1.5
T
T
REFB + 0.8
1.25
±25
±25
V
S
– 1.25
REFT - 0.8
T
T
T
T
T
T
ADS822 ， ADS825
2
特定网络阳离子
（续）
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
ADS822E
参数
电源要求
电源电压： + V
S
电源电流： + I
S
功耗： VDRV = 5V
VDRV = 3V
VDRV = 5V
VDRV = 3V
掉电
热阻，
θ
JA
28引脚SSOP
T
表示同样规格的ADS822E 。
注： （ 1 ） ADS825E接受+ 3V时钟输入。 （ 2 ）无杂散动态范围指的是最大的谐波幅度。 （ 3 ） dBFS的分贝意味着相对于满量程。 （ 4 ）双音互调
失真被称为最大基音。该号码将被6分贝更高，如果它被称为双音基本包络的幅度。位（ ENOB）的（5）的有效数定义
由（ SINAD - 1.76 ） /6.02 。 （ 6） 50kΩ的下拉电阻内部插入OE引脚上。 （ 7 ）包括内部参考。 （ 8 ）不包括内部基准。
条件
民
典型值
最大
民
ADS825E
(1)
典型值
最大
单位
操作
操作（外部参考）
外部参考
外部参考
内部参考
内部参考
操作
+4.75
+5.0
40
200
190
250
240
20
89
+5.25
230
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
V
mA
mW
mW
mW
mW
mW
° C / W
引脚配置
顶视图
SSOP
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
代号
GND
第1位
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
OE
描述
地
数据位1 （ D9 ） （ MSB ）
数据位2 （ D8 ）
数据位3 （ D7 ）
数据位4 （ D6 ）
数据位5 （ D5 ）
数据第6位（ D4 ）
数据的第7位（ D3 ）
数据位8 （ D2 ）
数据位9 （ D1 ）
数据10位（ D0 ） （ LSB ）
输出使能。 HI =高阻抗状态
LO =正常工作（内部下拉
电阻器）
断电。 HI =启用; LO =禁用
转换时钟输入
+ 5V电源
地
输入范围选择。 HI = 2V ; LO = 1V
参考选择。 HI =外部LO =内部
底部参考
底部的梯形绕道
顶部梯子绕道
顶级参考
共模电压输出
互补输入（ - ）
模拟输入（ + ）
模拟地
+ 5V电源
输出逻辑驱动器电源电压
GND
第1位（ MSB ）
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADS822
ADS825
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDRV
+V
S
GND
IN
IN
CM
REFT
BYT
BYB
REFB
INT / EXT
RSEL
GND
+V
S
9位10
10位（LSB ） 11
OE 12
PD 13
CLK 14
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
PD
CLK
+V
S
GND
RSEL
INT / EXT
REFB
BYB
BYT
REFT
CM
IN
IN
GND
+V
S
VDRV
3
ADS822 ， ADS825
时序图
N+1
ANALOG IN
N
t
D
时钟
5个时钟周期
t
2
数据输出
N–5
N–4
N–3
N–2
N–1
N
t
1
N+1
N+2
t
CONV
N+2
N+3
N+4
N+5
t
L
t
H
N+6
N+7
数据无效
符号
t
CONV
t
L
t
H
t
D
t
1
t
2
描述
转换时钟周期
时钟脉冲低
时钟脉冲高
孔径延迟
数据保持时间，C
L
= 0pF
新数据延迟时间，C
L
= 15pF的最大
民
25
11.5
11.5
3.9
典型值
最大
100s
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12.5
12.5
3
12
封装/订购信息
包
制图
数
324
＆ QUOT ;
324
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
包
记号
ADS822E
＆ QUOT ;
ADS825E
＆ QUOT ;
订购
数
(1)
ADS822E
ADS822E/1K
ADS825E
ADS825E/1K
运输
媒体
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
ADS822E
＆ QUOT ;
ADS825E
＆ QUOT ;
包
SSOP-28
＆ QUOT ;
SSOP-28
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）模型以斜杠（ / ）只适用于磁带和卷轴中所示的数量（例如， / 1K表示每卷1000个设备） 。订购1000件
ADS822E的/ 1K “将得到一个1000件磁带和卷轴。
演示板订购信息
产品
ADS822E
演示板
DEM-ADS822E
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
绝对最大额定值
+V
S
....................................................................................................... +6V
模拟输入................................................ ............. -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
逻辑输入................................................ ............... -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
外壳温度................................................ ......................... + 100°C
结温................................................ .................... + 150°C
存储温度................................................ ..................... + 150°C
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN不承担任何责任
对于使用这些信息，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利权
或许可的任何本文所述的电路被暗示或任何第三方授权。 BURR -BROWN没有授权或担保任何Burr-Brown产品在生活中的使用
支撑装置和/或系统。
ADS822 ， ADS825
4
典型性能曲线
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
频谱性能
0
f
IN
= 1MHz的
–20
量（dB ）
量（dB ）
频谱性能
0
f
IN
= 10MHz时
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
频谱性能
（差分输入，平1Vp -P ）
0
f
IN
= 10MHz时
SNR = 58dBFS
SFDR = 74dBFS
量（dB ）
0
频谱性能
（单端，平1Vp -P ）
f
IN
= 10MHz时
SNR = 57dBFS
SFDR = 71dBFS
–20
量（dB ）
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
频谱性能
（单端，平1Vp -P ）
0
f
IN
= 20MHz的
SNR = 57dBFS
SFDR = 70dBFS
量（dB ）
0
欠
（差分输入， 2VP- P）
f
S
= 40MHz的
f
IN
= 45MHz的
SNR = 60dBFS
SFDR = 74dBFS
–20
量（dB ）
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
5
ADS822 ， ADS825
ADS
825
ADS
822
ADS822
ADS825
对于最新的数据表等产品
信息，请访问www.burr-brown.com
10位， 40MHz的采样
模拟 - 数字转换器
TM
特点
q
高信噪比： 60分贝
q
高SFDR ： 72dBFS
q
低功耗： 190MW
q
内部/外部基准选择
q
单端或
全差分模拟输入
q
可编程输入范围
q
低DNL ： 0.5LSB
q
+ 5V单电源操作
q
+ 3V或+ 5V逻辑I / O兼容（ ADS825 ）
q
POWER DOWN ：为20mW
q
28引线SSOP封装
应用
q
医学影像
q
测试设备
q
电脑扫描仪
q
通讯
q
视频数字化
该ADS822和ADS825采用数字纠错技
niques为要求苛刻提供出色的线性度差
成像应用。它的低失真和高信噪比，得到
需要医疗成像额外的保证金，通信，
视频和测试仪器。该ADS822和ADS825报价
190MW的功率损耗，并且还提供一个电源关闭
模式，从而减少了功率耗散仅为20mW 。该
ADS825为+ 3V或+ 5V逻辑I / O兼容。
的ADS822和ADS825都以最大采样指定
的40MHz的频率和1.5V的一个单端输入范围
3.5V 。该ADS822和ADS825是采用28引线SSOP
封装，引脚对引脚与10位， 60MHz的兼容
ADS823和ADS826 ，和10位， 70MHz的ADS824 ， provid-
荷兰国际集团的升级路径，以较高的采样频率。
CLK
VDRV
描述
的ADS822和ADS825是管道， CMOS模拟 - 数字
从+ 5V单电源供电器。这些
转换器可提供优异的性能与一个单端
输入，并且可以与一个差分输入进行操作以增加
杂散性能。这些高性能转换器，在 -
CLUDE一个10位的量化器，高带宽的采样和保持，以及一
高精度内部参考。他们也允许为用户
禁止内部参考和利用外部引用。这
外部参考选项提供出色的增益和偏移
在多通道应用程序或应用程序中使用时，匹配
在需要的满量程范围调整系统蒸发散。
+V
S
ADS822
ADS825
定时
电路
V
IN
IN
IN
T / H
10-Bit
流水线
A / D核心
错误
更正
逻辑
3-State
输出
D0
D9
CM
国内
参考
可选的外部
参考
INT / EXT
PD
OE
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111
TWX ： 910-952-1111 互联网： http://www.burr-brown.com/电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 即时产品信息： （ 800 ） 548 -6132
1997年的Burr-Brown公司
PDS-1385E
美国印刷1999年10月
特定网络阳离子
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
ADS822E
参数
决议
特定网络版温度范围
模拟量输入
标准的单端输入范围
可选的单端输入范围
共模电压范围
可选差分输入范围
模拟量输入偏置电流
输入阻抗
追踪模式输入带宽
转换特性
采样率
数据延迟
动态特性
微分线性误差（大码错误）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
无失码
积分非线性误差， F = 1MHz的
无杂散动态范围
(2)
F = 1MHz的
F = 10MHz时
双音互调失真
(4)
F =具有9.5MHz和9.9MHz （ -7dB每个音）
信号 - 噪声比（ SNR）的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
信号与（噪声+失真）比（SINAD ）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
有效位数
(5)
， F = 1MHz的
输出噪声
孔径延迟时间
孔径抖动
过电压恢复时间
满量程步进采集时间
数字输入
逻辑系列
convert命令
高电平输入电流
(6)
(V
IN
= 5V
DD
)
低电平输入电流（V
IN
= 0V)
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电容
数字输出
逻辑系列
逻辑编码
低输出电压（I
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
低输出电压， （我
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
三态启用时间
三态禁止时间
输出电容
环境空气
2Vp-p
1Vp-p
2Vp-p
1.5
2
2.5
2
1
1.25 || 5
300
10k
5
40M
T
T
3
T
T
T
T
T
条件
民
典型值
10保
-40至+85
3.5
3
T
T
T
T
最大
民
ADS825E
(1)
典型值
10保
-40至+85
T
T
最大
单位
位
°C
V
V
V
V
A
MΩ || pF的
兆赫
样本/秒
CLK天幕
-3dBFS输入
±0.25
±0.5
保证
±0.5
提到满量程
63
72
66
–67
提到满量程
57
提到满量程
56
输入连接到共模
59
58
9.5
0.2
3
1.2
2
5
60
60
±1.0
±2.0
T
T
保证
T
71
65
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
最低位
最低位
最低有效位
dBFS的
(3)
dBFS的
dBc的
dB
dB
dB
dB
位
LSB的有效值
ns
ps的均方根
ns
ns
T
60
T
T
开始转换
CMOS兼容
转换时钟的上升沿
100
10
+3.5
+1.0
5
CMOS兼容
直接偏移二进制
+0.1
+4.9
+0.1
+2.8
2
40
2
10
5
±1.0
5
±1.5
38
±0.75
25
70
±10
±10
3.5
1.5
1.6
±3.0
TTL ， + 3V / 5V + CMOS兼容
转换时钟的上升沿
T
T
+2.0
+0.8
T
CMOS兼容
直接偏移二进制
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±0.29
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
A
A
V
V
pF
VDRV = 5V
VDRV = 3V
OE = H到L
OE = L至H
V
V
V
V
ns
ns
pF
％ FS
PPM /°C的
％ FS
％ FS
PPM /°C的
％ FS
PPM /°C的
dB
mV
mV
V
V
k
精度（内部参考， 2VP- P，除非另有说明）
零误差（简称-FS ）
在25℃下
零误差漂移（简称-FS ）
中间电平偏移误差
在25℃下
增益误差
(7)
在25℃下
增益误差漂移
(7)
增益误差
(8)
在25℃下
增益误差漂移
(8)
增益的电源抑制
V
S
=
±5%
REFT公差
偏离理想3.5V
REFB公差
偏离理想1.5V
外部REFT电压范围
外部REFB电压范围
参考输入电阻
REFT到REFB
T
±2.5
±1.5
T
T
REFB + 0.8
1.25
±25
±25
V
S
– 1.25
REFT - 0.8
T
T
T
T
T
T
ADS822 ， ADS825
2
特定网络阳离子
（续）
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
ADS822E
参数
电源要求
电源电压： + V
S
电源电流： + I
S
功耗： VDRV = 5V
VDRV = 3V
VDRV = 5V
VDRV = 3V
掉电
热阻，
θ
JA
28引脚SSOP
T
表示同样规格的ADS822E 。
注： （ 1 ） ADS825E接受+ 3V时钟输入。 （ 2 ）无杂散动态范围指的是最大的谐波幅度。 （ 3 ） dBFS的分贝意味着相对于满量程。 （ 4 ）双音互调
失真被称为最大基音。该号码将被6分贝更高，如果它被称为双音基本包络的幅度。位（ ENOB）的（5）的有效数定义
由（ SINAD - 1.76 ） /6.02 。 （ 6） 50kΩ的下拉电阻内部插入OE引脚上。 （ 7 ）包括内部参考。 （ 8 ）不包括内部基准。
条件
民
典型值
最大
民
ADS825E
(1)
典型值
最大
单位
操作
操作（外部参考）
外部参考
外部参考
内部参考
内部参考
操作
+4.75
+5.0
40
200
190
250
240
20
89
+5.25
230
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
V
mA
mW
mW
mW
mW
mW
° C / W
引脚配置
顶视图
SSOP
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
代号
GND
第1位
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
OE
描述
地
数据位1 （ D9 ） （ MSB ）
数据位2 （ D8 ）
数据位3 （ D7 ）
数据位4 （ D6 ）
数据位5 （ D5 ）
数据第6位（ D4 ）
数据的第7位（ D3 ）
数据位8 （ D2 ）
数据位9 （ D1 ）
数据10位（ D0 ） （ LSB ）
输出使能。 HI =高阻抗状态
LO =正常工作（内部下拉
电阻器）
断电。 HI =启用; LO =禁用
转换时钟输入
+ 5V电源
地
输入范围选择。 HI = 2V ; LO = 1V
参考选择。 HI =外部LO =内部
底部参考
底部的梯形绕道
顶部梯子绕道
顶级参考
共模电压输出
互补输入（ - ）
模拟输入（ + ）
模拟地
+ 5V电源
输出逻辑驱动器电源电压
GND
第1位（ MSB ）
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADS822
ADS825
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDRV
+V
S
GND
IN
IN
CM
REFT
BYT
BYB
REFB
INT / EXT
RSEL
GND
+V
S
9位10
10位（LSB ） 11
OE 12
PD 13
CLK 14
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
PD
CLK
+V
S
GND
RSEL
INT / EXT
REFB
BYB
BYT
REFT
CM
IN
IN
GND
+V
S
VDRV
3
ADS822 ， ADS825
时序图
N+1
ANALOG IN
N
t
D
时钟
5个时钟周期
t
2
数据输出
N–5
N–4
N–3
N–2
N–1
N
t
1
N+1
N+2
t
CONV
N+2
N+3
N+4
N+5
t
L
t
H
N+6
N+7
数据无效
符号
t
CONV
t
L
t
H
t
D
t
1
t
2
描述
转换时钟周期
时钟脉冲低
时钟脉冲高
孔径延迟
数据保持时间，C
L
= 0pF
新数据延迟时间，C
L
= 15pF的最大
民
25
11.5
11.5
3.9
典型值
最大
100s
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12.5
12.5
3
12
封装/订购信息
包
制图
数
324
＆ QUOT ;
324
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
包
记号
ADS822E
＆ QUOT ;
ADS825E
＆ QUOT ;
订购
数
(1)
ADS822E
ADS822E/1K
ADS825E
ADS825E/1K
运输
媒体
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
ADS822E
＆ QUOT ;
ADS825E
＆ QUOT ;
包
SSOP-28
＆ QUOT ;
SSOP-28
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）模型以斜杠（ / ）只适用于磁带和卷轴中所示的数量（例如， / 1K表示每卷1000个设备） 。订购1000件
ADS822E的/ 1K “将得到一个1000件磁带和卷轴。
演示板订购信息
产品
ADS822E
演示板
DEM-ADS822E
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
绝对最大额定值
+V
S
....................................................................................................... +6V
模拟输入................................................ ............. -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
逻辑输入................................................ ............... -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
外壳温度................................................ ......................... + 100°C
结温................................................ .................... + 150°C
存储温度................................................ ..................... + 150°C
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN不承担任何责任
对于使用这些信息，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利权
或许可的任何本文所述的电路被暗示或任何第三方授权。 BURR -BROWN没有授权或担保任何Burr-Brown产品在生活中的使用
支撑装置和/或系统。
ADS822 ， ADS825
4
典型性能曲线
在T
A
=满规定的温度范围内，V
S
= + 5V，单端输入范围= 1.5V到3.5V ，和采样率= 40MHz的外部参考，除非另有说明。
频谱性能
0
f
IN
= 1MHz的
–20
量（dB ）
量（dB ）
频谱性能
0
f
IN
= 10MHz时
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
频谱性能
（差分输入，平1Vp -P ）
0
f
IN
= 10MHz时
SNR = 58dBFS
SFDR = 74dBFS
量（dB ）
0
频谱性能
（单端，平1Vp -P ）
f
IN
= 10MHz时
SNR = 57dBFS
SFDR = 71dBFS
–20
量（dB ）
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
频谱性能
（单端，平1Vp -P ）
0
f
IN
= 20MHz的
SNR = 57dBFS
SFDR = 70dBFS
量（dB ）
0
欠
（差分输入， 2VP- P）
f
S
= 40MHz的
f
IN
= 45MHz的
SNR = 60dBFS
SFDR = 74dBFS
–20
量（dB ）
–20
–40
–40
–60
–60
–80
–80
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
–100
0
5
10
频率（MHz）
15
20
5
ADS822 ， ADS825
QQ：2881677436 复制
