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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第223页 > ADS7886SBDCKR
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS7886
SLAS492 - 2005年9月
12位, 1 MSPS ,微功耗,微型
SAR模拟数字转换器
特点
1 MHz的采样速率串行设备
12位分辨率
零延迟
20 - MHz的串行接口
电源电压范围: 2.35 V至5.25 V
典型功耗为1 MSPS :
- 3.9 mW的3 - V V
DD
- 在5 - V V 7.5毫瓦
DD
INL
±1.25
LSB(最大值) ,
±0.65
LSB (典型值)
DNL
±1
LSB(最大值) , 0.4 / -0.65 LSB
(典型值)
典型的AC性能:
72.25分贝SINAD , -84 dB的THD
单极性输入范围: 0 V至V
DD
掉电电流: 1 μA
宽输入带宽: 15MHz的时3分贝
6引脚SOT23和SC70封装
应用
基带转换器的收音机
通讯
电机电流/总线电压传感器的数字
驱动器
光网络( DWDM ,基于MEMS
切换)
光学传感器
电池供电系统
医疗检测控制仪表
高速数据采集系统
高速的闭环系统
描述
该ADS7886是12位, 1 MSPS的模拟 - 数字转换器(ADC ) 。该器件包括一个基于SAR电容器
A / D转换器固有的采样保持。在每个器件的串行接口由CS控制和
SCLK信号与微处理器和DSP的无缝连接。所述输入信号进行采样的
落下的CS的边缘,和SCLK是用于转换和串行数据输出。
该器件工作在宽电源电压范围从2.35 V至5.25 V器件的低功耗
使其适合电池供电的应用。该装置还包括用于功率的省电功能
保存在较低的转换速度。
数字输入到该装置的高度不局限于设备V
DD
。这意味着数字输入可以作为
高达5.25 V时,电源设备为2.35 V.当数字信号从其他来此功能非常有用
电路与不同的供应水平。这也放宽了对上电顺序的限制。
该ADS7886是采用6引脚SOT23和SC70封装,规定工作在-40 ° C至
125°C.
微功耗微型SAR转换器系列
12-Bit
10-Bit
8-Bit
< 300 KSPS
ADS7866 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
ADS7867 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
ADS7868 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
300 KSPS - 1.25 MSPS
ADS7886 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
ADS7887 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
ADS7888 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年,德州仪器
ADS7886
www.ti.com
SLAS492 - 2005年9月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
特区
+ IN
华助会
比较
VDD
产量
锁存器
3STATE
DRIVERS
SDO
转变
控制
逻辑
SCLK
CS
封装/订购信息
(1)
设备
最大
积分
线性
( LSB )
最大
DIFFER-
无穷区间
线性
( LSB )
没有失踪
码AT
决议
(位)
PACK-
AGE
TYPE
PACK-
AGE
DESIG-
nator
温度
范围
记号
订购
信息
运输
媒体
QUANTITY
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
6-Pin
SOT23
ADS7886SB
±1.25
±1
12
6-Pin
SC70
ADS7886SBDBVT
的dBV
-40_C到125_C
ADS7886SBDCKT
DCK
BNL
ADS7886SBDCKR
ADS7886SDBVT
的dBV
-40_C到125_C
BBAQ
ADS7886SDBVR
ADS7886SDCKT
DCK
BNL
ADS7886SDCKR
BBAQ
ADS7886SBDBVR
6-Pin
SOT23
ADS7886S
±2
±2
11
6-Pin
SC70
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
2
ADS7886
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SLAS492 - 2005年9月
绝对最大额定值
(1)
单位
+ IN至AGND
+V
DD
到AGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温(T
J
MAX )
功耗, SOT23和SC70封装
θ
JA
热阻抗
焊接温度,焊接
(1)
SOT23
SC70
气相(60秒)
红外( 15秒)
-0.3 V至+ V
DD
+0.3 V
-0.3 V至7 V
0.3 V至( 7 V )
-0.3 V至( + V
DD
+ 0.3 V)
-40_C到125_C
-65_C到150_C
150°C
(T
J
最大-T
A
)/θ
JA
295.2°C/W
351.3°C/W
215°C
220°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
+V
DD
= 2.35 V至5.25 V ,T
A
= -40 ° C至125 ° C,F
(样本)
= 1兆赫(除非另有说明)
参数
模拟量输入
满量程输入电压范围
(1)
绝对输入电压范围
C
I
I
LKG
输入电容
(2)
输入漏电流
决议
无失码
INL
DNL
E
O
E
G
积分非线性
微分非线性
偏移误差
(4)
增益误差
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
阶跃响应
过压恢复
动态特性
SNR
信噪比
V
DD
= 2.35 V至3.6 V,F
I
= 100千赫
V
DD
= 4.75 V至5.25 V,F
I
= 100千赫
69
70
71.25
72.25
dB
20 - MHz的SCLK
5
160
160
20 - MHz的SCLK
ADS7886SB
ADS7886S
ADS7886SB
ADS7886S
ADS7886SB
ADS7886S
V
DD
= 2.35 V至3.6 V
V
DD
= 4.75 V至5.25 V
12
11
–1.25
2
–1
-2
–2.5
-2
–1.75
760
325
1
±0.5
±0.5
±0.5
800
+0.4/-0.65
±0.65
1.25
2
1
2
2.5
2
1.75
T
A
= 125°C
+ IN
0
–0.2
21
40
12
V
DD
V
DD
+0.2
V
V
pF
nA
最低位
(3)
最低位
最低位
最低位
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
测试条件
典型值
最大
单位
系统性能
采样动态
(1)
(2)
(3)
(4)
理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
SEE
图28
对于采样电路的详细信息。
LSB是指至少有显著位。
测得的相对理想的满量程输入。
3
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电气特性(续)
+V
DD
= 2.35 V至5.25 V ,T
A
= -40 ° C至125 ° C,F
(样本)
= 1兆赫(除非另有说明)
参数
SINAD
THD
SFDR
信号与噪声和失真
总谐波失真
(5)
无杂散动态范围
全功率带宽
数字输入/输出
逻辑系列 - CMOS
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
+V
DD
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
电源电压
V
DD
= 2.35 V至3.6 V , 1 MHz的
吞吐量
电源电流(正常模式)
V
DD
= 4.75 V至5.25 V , 1 MHz的
吞吐量
V
DD
= 2.35 V至3.6 V ,静态
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ,静态
电源关闭状态下电源电流
功耗在1 MHz的吞吐量
在静止状态下的功耗
电时间
经过转换无效
上电或复位
(5)
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
SCLK关闭
SCLK (20 MHz)的
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
3.9
7.5
V
DD
= 2.35 V至5.25 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
I
(来源)
= 200 A
I
(汇)
= 200 A
2.35
3.3
1.3
1.5
V
DD
–0.2
0.4
5.25
1.5
2
1.1
1.5
1
200
4.5
10
3.3
7.5
0.1
1
A
mW
mW
s
V
DD
– 0.4
5.25
0.8
0.4
V
V
V
测试条件
V
DD
= 2.35 V至3.6 V,F
I
= 100千赫
V
DD
= 4.75 V至5.25 V,F
I
= 100千赫
f
I
= 100千赫
f
I
= 100千赫
在-3分贝
69
70
典型值
71.25
72.25
–84
85.5
15
最大
单位
dB
dB
dB
兆赫
电源要求
V
mA
4
ADS7886
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SLAS492 - 2005年9月
时序要求(见
图1
图2)
所有典型规格在T
A
= -40 ° C至125°C ,V
DD
= 2.35 V至5.25 V (除非另有说明) 。
参数
t
CONV
t
q
t
d1
t
su1
t
d2
t
h1
t
d3
t
w1
t
d4
t
wH
t
wL
转换时间
ADS7866
测试条件
(1)
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
< 3 V
V
DD
> 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
-2
-2
2
2
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
20
20
5
5
-5
-5
ns
ns
25
25
7
5.5
10
8
40
40
17
15
30
25
25
20
10
10
15
13
25
25
40
40
15
13
25
25
典型值
最大
16
×
t
SCLK
16
×
t
SCLK
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
从公交三态所需的最小安静的时候开始
在下一次转换
延迟时间, CS低到第一数据( 0 )出
建立时间, CS低到SCLK低
延迟时间, SCLK下降沿到SDO
保持时间, SCLK下降沿到数据有效
(2)
延迟时间,第16个SCLK下降沿到SDO三态
脉冲持续时间, CS
延迟时间, CS高到SDO三态
脉冲持续时间,SCLK高
脉冲持续时间,SCLK低
频率, SCLK
延迟时间,第二个时钟和CS的边缘向
在掉电输入(使用最小规格不意外
在断电进入)
图2
延迟时间, CS和第10时钟的下降沿来
在掉电输入(使用最大规格不意外
在断电进入)
图2
t
d5
t
d6
(1)
(2)
3 -V产品规格从2.35 V适用于3.6 V和5 V的规格适用于4.75 V至5.25 V
与50 pF负载。
5
Burr Brown的产品
德州仪器(TI)
ADS7886
SLAS492 - 2005年9月
12位, 1 MSPS ,微功耗,微型
SAR模拟数字转换器
特点
1 MHz的采样速率串行设备
12位分辨率
零延迟
20 - MHz的串行接口
电源电压范围: 2.35 V至5.25 V
典型功耗为1 MSPS :
- 3.9 mW的3 - V V
DD
- 在5 - V V 7.5毫瓦
DD
INL
±1.25
LSB(最大值) ,
±0.65
LSB (典型值)
DNL
±1
LSB(最大值) , 0.4 / -0.65 LSB
(典型值)
典型的AC性能:
72.25分贝SINAD , -84 dB的THD
单极性输入范围: 0 V至V
DD
掉电电流: 1 μA
宽输入带宽: 15MHz的时3分贝
6引脚SOT23和SC70封装
应用
基带转换器的收音机
通讯
电机电流/总线电压传感器的数字
驱动器
光网络( DWDM ,基于MEMS
切换)
光学传感器
电池供电系统
医疗检测控制仪表
高速数据采集系统
高速的闭环系统
描述
该ADS7886是12位, 1 MSPS的模拟 - 数字转换器(ADC ) 。该器件包括一个基于SAR电容器
A / D转换器固有的采样保持。在每个器件的串行接口由CS控制和
SCLK信号与微处理器和DSP的无缝连接。所述输入信号进行采样的
落下的CS的边缘,和SCLK是用于转换和串行数据输出。
该器件工作在宽电源电压范围从2.35 V至5.25 V器件的低功耗
使其适合电池供电的应用。该装置还包括用于功率的省电功能
保存在较低的转换速度。
数字输入到该装置的高度不局限于设备V
DD
。这意味着数字输入可以作为
高达5.25 V时,电源设备为2.35 V.当数字信号从其他来此功能非常有用
电路与不同的供应水平。这也放宽了对上电顺序的限制。
该ADS7886是采用6引脚SOT23和SC70封装,规定工作在-40 ° C至
125°C.
微功耗微型SAR转换器系列
12-Bit
10-Bit
8-Bit
< 300 KSPS
ADS7866 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
ADS7867 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
ADS7868 ( 1.2 V
DD
至3.6 V
DD
)
300 KSPS - 1.25 MSPS
ADS7886 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
ADS7887 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
ADS7888 ( 2.35 V
DD
至5.25 V
DD
)
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年,德州仪器
ADS7886
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SLAS492 - 2005年9月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
特区
+ IN
华助会
比较
VDD
产量
锁存器
3STATE
DRIVERS
SDO
转变
控制
逻辑
SCLK
CS
封装/订购信息
(1)
设备
最大
积分
线性
( LSB )
最大
DIFFER-
无穷区间
线性
( LSB )
没有失踪
码AT
决议
(位)
PACK-
AGE
TYPE
PACK-
AGE
DESIG-
nator
温度
范围
记号
订购
信息
运输
媒体
QUANTITY
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
磁带和
卷250
磁带和
卷3000
6-Pin
SOT23
ADS7886SB
±1.25
±1
12
6-Pin
SC70
ADS7886SBDBVT
的dBV
-40_C到125_C
ADS7886SBDCKT
DCK
BNL
ADS7886SBDCKR
ADS7886SDBVT
的dBV
-40_C到125_C
BBAQ
ADS7886SDBVR
ADS7886SDCKT
DCK
BNL
ADS7886SDCKR
BBAQ
ADS7886SBDBVR
6-Pin
SOT23
ADS7886S
±2
±2
11
6-Pin
SC70
(1)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
2
ADS7886
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SLAS492 - 2005年9月
绝对最大额定值
(1)
单位
+ IN至AGND
+V
DD
到AGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温(T
J
MAX )
功耗, SOT23和SC70封装
θ
JA
热阻抗
焊接温度,焊接
(1)
SOT23
SC70
气相(60秒)
红外( 15秒)
-0.3 V至+ V
DD
+0.3 V
-0.3 V至7 V
0.3 V至( 7 V )
-0.3 V至( + V
DD
+ 0.3 V)
-40_C到125_C
-65_C到150_C
150°C
(T
J
最大-T
A
)/θ
JA
295.2°C/W
351.3°C/W
215°C
220°C
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
+V
DD
= 2.35 V至5.25 V ,T
A
= -40 ° C至125 ° C,F
(样本)
= 1兆赫(除非另有说明)
参数
模拟量输入
满量程输入电压范围
(1)
绝对输入电压范围
C
I
I
LKG
输入电容
(2)
输入漏电流
决议
无失码
INL
DNL
E
O
E
G
积分非线性
微分非线性
偏移误差
(4)
增益误差
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
阶跃响应
过压恢复
动态特性
SNR
信噪比
V
DD
= 2.35 V至3.6 V,F
I
= 100千赫
V
DD
= 4.75 V至5.25 V,F
I
= 100千赫
69
70
71.25
72.25
dB
20 - MHz的SCLK
5
160
160
20 - MHz的SCLK
ADS7886SB
ADS7886S
ADS7886SB
ADS7886S
ADS7886SB
ADS7886S
V
DD
= 2.35 V至3.6 V
V
DD
= 4.75 V至5.25 V
12
11
–1.25
2
–1
-2
–2.5
-2
–1.75
760
325
1
±0.5
±0.5
±0.5
800
+0.4/-0.65
±0.65
1.25
2
1
2
2.5
2
1.75
T
A
= 125°C
+ IN
0
–0.2
21
40
12
V
DD
V
DD
+0.2
V
V
pF
nA
最低位
(3)
最低位
最低位
最低位
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
测试条件
典型值
最大
单位
系统性能
采样动态
(1)
(2)
(3)
(4)
理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
SEE
图28
对于采样电路的详细信息。
LSB是指至少有显著位。
测得的相对理想的满量程输入。
3
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SLAS492 - 2005年9月
电气特性(续)
+V
DD
= 2.35 V至5.25 V ,T
A
= -40 ° C至125 ° C,F
(样本)
= 1兆赫(除非另有说明)
参数
SINAD
THD
SFDR
信号与噪声和失真
总谐波失真
(5)
无杂散动态范围
全功率带宽
数字输入/输出
逻辑系列 - CMOS
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
+V
DD
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
电源电压
V
DD
= 2.35 V至3.6 V , 1 MHz的
吞吐量
电源电流(正常模式)
V
DD
= 4.75 V至5.25 V , 1 MHz的
吞吐量
V
DD
= 2.35 V至3.6 V ,静态
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ,静态
电源关闭状态下电源电流
功耗在1 MHz的吞吐量
在静止状态下的功耗
电时间
经过转换无效
上电或复位
(5)
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
SCLK关闭
SCLK (20 MHz)的
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
3.9
7.5
V
DD
= 2.35 V至5.25 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
I
(来源)
= 200 A
I
(汇)
= 200 A
2.35
3.3
1.3
1.5
V
DD
–0.2
0.4
5.25
1.5
2
1.1
1.5
1
200
4.5
10
3.3
7.5
0.1
1
A
mW
mW
s
V
DD
– 0.4
5.25
0.8
0.4
V
V
V
测试条件
V
DD
= 2.35 V至3.6 V,F
I
= 100千赫
V
DD
= 4.75 V至5.25 V,F
I
= 100千赫
f
I
= 100千赫
f
I
= 100千赫
在-3分贝
69
70
典型值
71.25
72.25
–84
85.5
15
最大
单位
dB
dB
dB
兆赫
电源要求
V
mA
4
ADS7886
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SLAS492 - 2005年9月
时序要求(见
图1
图2)
所有典型规格在T
A
= -40 ° C至125°C ,V
DD
= 2.35 V至5.25 V (除非另有说明) 。
参数
t
CONV
t
q
t
d1
t
su1
t
d2
t
h1
t
d3
t
w1
t
d4
t
wH
t
wL
转换时间
ADS7866
测试条件
(1)
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
< 3 V
V
DD
> 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
-2
-2
2
2
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
0.4
×
t
SCLK
20
20
5
5
-5
-5
ns
ns
25
25
7
5.5
10
8
40
40
17
15
30
25
25
20
10
10
15
13
25
25
40
40
15
13
25
25
典型值
最大
16
×
t
SCLK
16
×
t
SCLK
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
从公交三态所需的最小安静的时候开始
在下一次转换
延迟时间, CS低到第一数据( 0 )出
建立时间, CS低到SCLK低
延迟时间, SCLK下降沿到SDO
保持时间, SCLK下降沿到数据有效
(2)
延迟时间,第16个SCLK下降沿到SDO三态
脉冲持续时间, CS
延迟时间, CS高到SDO三态
脉冲持续时间,SCLK高
脉冲持续时间,SCLK低
频率, SCLK
延迟时间,第二个时钟和CS的边缘向
在掉电输入(使用最小规格不意外
在断电进入)
图2
延迟时间, CS和第10时钟的下降沿来
在掉电输入(使用最大规格不意外
在断电进入)
图2
t
d5
t
d6
(1)
(2)
3 -V产品规格从2.35 V适用于3.6 V和5 V的规格适用于4.75 V至5.25 V
与50 pF负载。
5
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