ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
12位， 4 MSPS
低功耗SAR模拟数字转换器
特点
D
4 MHz的采样率， 12位分辨率
D
零延迟
D
单极性，伪差分输入范围：
D
D
D
D
D
D
D
D
= 0 V至2.5 V
高速并行接口
71分贝SNR和-88.5 dB的THD为1 MHz的I / P
功耗95毫瓦4 MSPS
小睡模式（ 10毫瓦功耗）
掉电（ 10
毫瓦）
内部参考
内部基准缓冲器
48引脚TQFP封装
应用
D
光网络（ DWDM ，基于MEMS
D
D
D
高速闭回路系统
D
电信
D
超声波检测
切换）
频谱分析仪
高速数据采集系统
描述
该ADS7881是12位4 MSPS的A至D转换器
2.5 V内部基准电压。该装置包括一个电容
基于SAR A / D转换器固有的采样保持。
该器件提供12位并行接口与
额外的字节模式，提供简单的接口与8位
处理器。该装置具有一个伪差分输入
阶段。
的-IN挥杆
±200
毫伏是有用的，以补偿
ADC和传感器之间的地电压不匹配
并且还取消了共模噪声。随着打盹模式
使能时，器件工作在较低的功率在使用时
转化率较低。该器件采用48引脚
TQFP封装。
特区
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
比较
REFIN
时钟
REFOUT
2.5 V
国内
参考
转变
和
控制逻辑
PWD / RST
A_PWD
字节
+ IN
In
+
_
华助会
12月8号位并行
数据输出总线
CONVST
忙
CS
RD
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003年，德州仪器
ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与适当的处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能更容易受到
因为伤害非常小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
模型
最大
积分
线性
（ LSB ）
最大
迪FF erential
线性
（ LSB ）
没有失踪
码AT
决议
（位）
包
TYPE
包
代号
温度
范围
订购
信息
运输
介质数量
ADS7881
±1
±1
12
48-Pin
TQFP
ADS7881IPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS7881IPFBR
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
注：对于最近的规格和包装的信息，请访问TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围（ 1 ）
单位
+ IN至AGND
-IN至AGND
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温（ TJMAX ）
功耗
TQFP封装
焊接温度，焊接
θ
JA热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
-0.3 V至+ VA + 0.1 V
0.3 V至0.5 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
150°C
（ TJ最大- TA ） /
θ
JA
86°C/W
215°C
220°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
www.ti.com
ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
特定网络阳离子
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
模拟量输入
满量程输入范围（ 1 ）
绝对输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
积分非线性（ 2 ）
差分线性
偏移误差（4）
增益误差（4）
共模抑制比
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
动态特性
总谐波失真（ 5）
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
SNR
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
69
91
88.5
74
71.5
71
69.7
71.5
69
71
68.3
90
50
2.4
以内部参考电压
2.5
500
2.6
dB
兆赫
V
k
dB
dB
86
dB
2
20
50
50
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
50
45
4
65
185
200
205
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
纳秒
皮秒
纳秒
纳秒
外部参考
外部参考
带有共模输入信号= 200
MVP -P在1 MHz
在FF0H输出代码，
+ VA = 4.75 V至5.25 V ， VREF = 2.50 V
12
1
1
1.5
2
60
80
1
1
1.5
2
12
位
位
LSB(3)
LSB(3)
mV
mV
dB
dB
+在 - （ -In ）
+ IN
In
0
0.2
0.2
27
500
VREF
VREF + 0.2
+0.2
V
V
pF
pA
典型值
最大
单位
SINAD
SFDR
-3 dB的小信号带宽
外部基准输入
输入VREF范围
Resistance(6)
3
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www.ti.com
规格续
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
内部基准电压
启动时间
VREF范围
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列
VIH
VIL
VOH
VOL
IIH = 5
A
IIL = 5
A
IOH = 2 TTL负载
IOL = 2 TTL负载
+ VBD -1
0.3
+ VBD - 0.6
0
直
二进制
+ VBD
+ VA
+ VA = 5 V
2.7
4.75
3.3
5
19
95
2
60
2
从仿真结果
1μF的电容存储在REFOUT到
AGND
10
25
4
85
2.5
5.25
5.25
22
110
3
V
V
mA
mW
mA
纳秒
A
微秒
毫秒
号码
°C
CMOS
+ VBD + 0.3
0.8
+ VBD
0.4
V
V
V
V
从95％ （ + VA） ，用1μF的存储
电容上REFOUT至AGND
IOUT=0
静载荷
+ VA = 4.75 V至5.25 V
IOUT = 0
1
25
2.47
2.5
120
2.53
10
毫秒
V
A
mV
PPM /℃
典型值
最大
单位
逻辑电平
数据格式
电源要求
电源电压
电源电流， + VA ， 4 MHz的采样率
功耗， 4 MHz的采样率
打盹模式
电源电流， + VA
电时间（7）
掉电
电源电流， + VA
关机时间（ 8 ）
电时间
系统上电或复位无效的转换
温度范围
工作自由空气
40
（ 1 ）理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
（2 ）这是一个端点INL ，不是最合适的。
（3） LSB表示至少显著位。
（4）测得的相对于实际测量的基准。
（5 ）计算在所述第一9次谐波的输入频率。
（ 6）可以各不相同
±20%.
（ 7 ）最小采集时间的午睡状态结束后第一个采样必须比正常的60纳秒以上。
（8）所需的时间以达到2.5的水平
A.
4
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时序要求
所有典型规格在-40 ° C至85°C ， + VA = + 5V ， + VBD = + 5V （见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）
参数
转换时间
采集时间
采样和转换启动
保持时间CS低到高CONVST （繁忙的高点）
延迟CONVST高收购开始
保持时间， CONVST高到CS高与低的BUSY
保持时间， CONVST从低到高CS
延迟CONVST从低到高BUSY
CS宽度采集或转换开始
延迟CS低到收购开始CONVST高
脉冲宽度，从CS低到CONVST为低电平收购开始
延迟CS低到高BUSY与CONVST低
安静的取样时间（3）
转换中止
建立时间CONVST高到CS低， BUSY高
延迟时间CS低到BUSY低配高CONVST
数据读取
延迟RD低到数据有效在CS为低电平
延迟BYTE高LSB字与CS和RD低有效
延迟时间RD高到数据三态在CS为低电平
转换的延迟时间结束繁忙低
安静的采样时间RD高到低CONVST
延迟CS低到数据有效RD低
延迟CS高数据三态与RD低
安静的采样时间CS低到CONVST低
BACK- TO- BACK转换
延迟BUSY低到数据有效
脉冲宽度，高CONVST
脉冲宽度，低CONVST
掉电/复位
脉冲宽度，低PWD / RST复位装置
脉冲宽度，低PWD / RST断电装置
tw6
tw7
45
7200
6140
ns
ns
ms
10
9
9
td12
tw4
tw5
10
60
20
ns
ns
ns
7, 8
7, 8
7
td6
td7
td9
td11
t1
td8
td10
t2
25
25
25
20
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
5
5
6
6
6
ts1
td5
15
20
ns
ns
4
4
th1
td1
th2
th3
td2
tw3
td3
tw1
td4
25
10
2
10
10
40
20
2
20
40
4
5
4
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
1
1
1
1
2
2
2
2
符号
T（ CONV ）
T（ ACQ ）
民
50
典型值
185
65
最大
200
单位
ns
ns
REF图。
5
5
延迟时间， PWD电后/ RST高
td13
25
（1）所有输入信号均指定tR = tF = 5纳秒指定的（10％ 90％ + VBD ）和从（VIL + VIH） / 2的电压电平的定时。
（ 2 ）请参见时序图。
转换开始前（ 3 ）静默期，没有数据总线活动，包括数据总线三态被允许在这一时期。
（ 4 ）所有的时序测量上的所有数据位和BUSY引脚20 pF的等效负载。
5
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12位， 4 MSPS
低功耗SAR模拟数字转换器
特点
D
4 MHz的采样率， 12位分辨率
D
零延迟
D
单极性，伪差分输入范围：
D
D
D
D
D
D
D
D
= 0 V至2.5 V
高速并行接口
71分贝SNR和-88.5 dB的THD为1 MHz的I / P
功耗95毫瓦4 MSPS
小睡模式（ 10毫瓦功耗）
掉电（ 10
毫瓦）
内部参考
内部基准缓冲器
48引脚TQFP封装
应用
D
光网络（ DWDM ，基于MEMS
D
D
D
高速闭回路系统
D
电信
D
超声波检测
切换）
频谱分析仪
高速数据采集系统
描述
该ADS7881是12位4 MSPS的A至D转换器
2.5 V内部基准电压。该装置包括一个电容
基于SAR A / D转换器固有的采样保持。
该器件提供12位并行接口与
额外的字节模式，提供简单的接口与8位
处理器。该装置具有一个伪差分输入
阶段。
的-IN挥杆
±200
毫伏是有用的，以补偿
ADC和传感器之间的地电压不匹配
并且还取消了共模噪声。随着打盹模式
使能时，器件工作在较低的功率在使用时
转化率较低。该器件采用48引脚
TQFP封装。
特区
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
比较
REFIN
时钟
REFOUT
2.5 V
国内
参考
转变
和
控制逻辑
PWD / RST
A_PWD
字节
+ IN
In
+
_
华助会
12月8号位并行
数据输出总线
CONVST
忙
CS
RD
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003年，德州仪器
ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与适当的处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能更容易受到
因为伤害非常小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
模型
最大
积分
线性
（ LSB ）
最大
迪FF erential
线性
（ LSB ）
没有失踪
码AT
决议
（位）
包
TYPE
包
代号
温度
范围
订购
信息
运输
介质数量
ADS7881
±1
±1
12
48-Pin
TQFP
ADS7881IPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS7881IPFBR
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
注：对于最近的规格和包装的信息，请访问TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围（ 1 ）
单位
+ IN至AGND
-IN至AGND
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温（ TJMAX ）
功耗
TQFP封装
焊接温度，焊接
θ
JA热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
-0.3 V至+ VA + 0.1 V
0.3 V至0.5 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
150°C
（ TJ最大- TA ） /
θ
JA
86°C/W
215°C
220°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
www.ti.com
ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
特定网络阳离子
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
模拟量输入
满量程输入范围（ 1 ）
绝对输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
积分非线性（ 2 ）
差分线性
偏移误差（4）
增益误差（4）
共模抑制比
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
动态特性
总谐波失真（ 5）
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
SNR
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
69
91
88.5
74
71.5
71
69.7
71.5
69
71
68.3
90
50
2.4
以内部参考电压
2.5
500
2.6
dB
兆赫
V
k
dB
dB
86
dB
2
20
50
50
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
50
45
4
65
185
200
205
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
纳秒
皮秒
纳秒
纳秒
外部参考
外部参考
带有共模输入信号= 200
MVP -P在1 MHz
在FF0H输出代码，
+ VA = 4.75 V至5.25 V ， VREF = 2.50 V
12
1
1
1.5
2
60
80
1
1
1.5
2
12
位
位
LSB(3)
LSB(3)
mV
mV
dB
dB
+在 - （ -In ）
+ IN
In
0
0.2
0.2
27
500
VREF
VREF + 0.2
+0.2
V
V
pF
pA
典型值
最大
单位
SINAD
SFDR
-3 dB的小信号带宽
外部基准输入
输入VREF范围
Resistance(6)
3
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www.ti.com
规格续
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
内部基准电压
启动时间
VREF范围
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列
VIH
VIL
VOH
VOL
IIH = 5
A
IIL = 5
A
IOH = 2 TTL负载
IOL = 2 TTL负载
+ VBD -1
0.3
+ VBD - 0.6
0
直
二进制
+ VBD
+ VA
+ VA = 5 V
2.7
4.75
3.3
5
19
95
2
60
2
从仿真结果
1μF的电容存储在REFOUT到
AGND
10
25
4
85
2.5
5.25
5.25
22
110
3
V
V
mA
mW
mA
纳秒
A
微秒
毫秒
号码
°C
CMOS
+ VBD + 0.3
0.8
+ VBD
0.4
V
V
V
V
从95％ （ + VA） ，用1μF的存储
电容上REFOUT至AGND
IOUT=0
静载荷
+ VA = 4.75 V至5.25 V
IOUT = 0
1
25
2.47
2.5
120
2.53
10
毫秒
V
A
mV
PPM /℃
典型值
最大
单位
逻辑电平
数据格式
电源要求
电源电压
电源电流， + VA ， 4 MHz的采样率
功耗， 4 MHz的采样率
打盹模式
电源电流， + VA
电时间（7）
掉电
电源电流， + VA
关机时间（ 8 ）
电时间
系统上电或复位无效的转换
温度范围
工作自由空气
40
（ 1 ）理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
（2 ）这是一个端点INL ，不是最合适的。
（3） LSB表示至少显著位。
（4）测得的相对于实际测量的基准。
（5 ）计算在所述第一9次谐波的输入频率。
（ 6）可以各不相同
±20%.
（ 7 ）最小采集时间的午睡状态结束后第一个采样必须比正常的60纳秒以上。
（8）所需的时间以达到2.5的水平
A.
4
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ADS7881
SLAS400 - 2003年9月
时序要求
所有典型规格在-40 ° C至85°C ， + VA = + 5V ， + VBD = + 5V （见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）
参数
转换时间
采集时间
采样和转换启动
保持时间CS低到高CONVST （繁忙的高点）
延迟CONVST高收购开始
保持时间， CONVST高到CS高与低的BUSY
保持时间， CONVST从低到高CS
延迟CONVST从低到高BUSY
CS宽度采集或转换开始
延迟CS低到收购开始CONVST高
脉冲宽度，从CS低到CONVST为低电平收购开始
延迟CS低到高BUSY与CONVST低
安静的取样时间（3）
转换中止
建立时间CONVST高到CS低， BUSY高
延迟时间CS低到BUSY低配高CONVST
数据读取
延迟RD低到数据有效在CS为低电平
延迟BYTE高LSB字与CS和RD低有效
延迟时间RD高到数据三态在CS为低电平
转换的延迟时间结束繁忙低
安静的采样时间RD高到低CONVST
延迟CS低到数据有效RD低
延迟CS高数据三态与RD低
安静的采样时间CS低到CONVST低
BACK- TO- BACK转换
延迟BUSY低到数据有效
脉冲宽度，高CONVST
脉冲宽度，低CONVST
掉电/复位
脉冲宽度，低PWD / RST复位装置
脉冲宽度，低PWD / RST断电装置
tw6
tw7
45
7200
6140
ns
ns
ms
10
9
9
td12
tw4
tw5
10
60
20
ns
ns
ns
7, 8
7, 8
7
td6
td7
td9
td11
t1
td8
td10
t2
25
25
25
20
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
5
5
6
6
6
ts1
td5
15
20
ns
ns
4
4
th1
td1
th2
th3
td2
tw3
td3
tw1
td4
25
10
2
10
10
40
20
2
20
40
4
5
4
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
1
1
1
1
2
2
2
2
符号
T（ CONV ）
T（ ACQ ）
民
50
典型值
185
65
最大
200
单位
ns
ns
REF图。
5
5
延迟时间， PWD电后/ RST高
td13
25
（1）所有输入信号均指定tR = tF = 5纳秒指定的（10％ 90％ + VBD ）和从（VIL + VIH） / 2的电压电平的定时。
（ 2 ）请参见时序图。
转换开始前（ 3 ）静默期，没有数据总线活动，包括数据总线三态被允许在这一时期。
（ 4 ）所有的时序测量上的所有数据位和BUSY引脚20 pF的等效负载。
5
ADS7881
SLAS400B - 2003年9月 - 修订2005年11月
12位， 4 MSPS
低功耗SAR模拟数字转换器
特点
D
4 MHz的采样率， 12位分辨率
D
零延迟
D
单极性，伪差分输入范围：
D
D
D
D
D
D
D
D
= 0 V至2.5 V
高速并行接口
71分贝SNR和-88.5 dB的THD为1 MHz的I / P
功耗95毫瓦4 MSPS
小睡模式（ 10毫瓦功耗）
掉电（ 10
毫瓦）
内部参考
内部基准缓冲器
48引脚TQFP和QFN封装
应用
D
光网络（ DWDM ，基于MEMS
D
D
D
高速闭回路系统
D
电信
D
超声波检测
切换）
频谱分析仪
高速数据采集系统
描述
该ADS7881是12位4 MSPS的A至D转换器
2.5 V内部基准电压。该装置包括一个电容
基于SAR A / D转换器固有的采样保持。
该器件提供12位并行接口与
额外的字节模式，提供简单的接口与8位
处理器。该装置具有一个伪差分输入
阶段。
的-IN挥杆
±200
毫伏是有用的，以补偿
ADC和传感器之间的地电压不匹配
并且还取消了共模噪声。随着打盹模式
使能时，器件工作在较低的功率在使用时
转化率较低。该器件采用48引脚
TQFP和QFN封装。
特区
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
比较
REFIN
时钟
REFOUT
2.5 V
国内
参考
转变
和
控制逻辑
PWD / RST
A_PWD
字节
+ IN
In
+
_
华助会
12月8号位并行
数据输出总线
CONVST
忙
CS
RD
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003至2005年，德州仪器
ADS7881
SLAS400B - 2003年9月 - 修订2005年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与适当的处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能更容易受到
因为伤害非常小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
模型
最大
积分
线性
（ LSB ）
最大
迪FF erential
线性
（ LSB ）
没有失踪
码AT
决议
（位）
包
TYPE
包
代号
温度
范围
订购
信息
运输
介质数量
±1
ADS7881
±1
±1
12
48-Pin
TQFP
ADS7881IPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS7881IPFBR
ADS7881IRGZT
罗格列酮
-40 ° C至85°C
ADS7881IRGZR
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
1000
磁带和卷轴
250
磁带和卷轴
2500
±1
12
48-Pin
QFN
注：对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站
在www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围（ 1 ）
单位
+ IN至AGND
-IN至AGND
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温（ TJMAX ）
功耗
TQFP和QFN封装
焊接温度，焊接
θ
JA热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
-0.3 V至+ VA + 0.1 V
0.3 V至0.5 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至7 V
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-0.3 V至（ + VBD + 0.3 V ）
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
150°C
（ TJ最大- TA ） /
θ
JA
86°C/W
215°C
220°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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特定网络阳离子
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
模拟量输入
满量程输入范围（ 1 ）
绝对输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
积分非线性（ 2 ）
差分线性
偏移误差（4）
增益误差（4）
共模抑制比
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
动态特性
总谐波失真（ 5）
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
SNR
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为100 kHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的1.8兆赫/ 2.5 Vref的
VIN = 2.496 Vp-p的频率为1 MHz / 2.5 Vref的
69
91
88.5
74
71.5
71
69.7
71.5
69
71
68.3
90
50
2.4
以内部参考电压
2.5
500
2.6
dB
兆赫
V
k
dB
dB
86
dB
2
20
50
50
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
50
45
4
65
185
200
205
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
纳秒
皮秒
纳秒
纳秒
外部参考
外部参考
带有共模输入信号= 200
MVP -P在1 MHz
在FF0H输出代码，
+ VA = 4.75 V至5.25 V ， VREF = 2.50 V
12
1
1
1.5
2
±0.6
±0.6
±0.25
±0.75
60
80
1
1
1.5
2
12
位
位
LSB(3)
LSB(3)
mV
mV
dB
dB
+在 - （ -In ）
+ IN
In
0
0.2
0.2
27
500
VREF
VREF + 0.2
+0.2
V
V
pF
pA
典型值
最大
单位
SINAD
SFDR
-3 dB的小信号带宽
外部基准输入
输入VREF范围
Resistance(6)
3
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规格续
TA = -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ， VREF = 2.5 V ， FSAMPLE = 4兆赫（除非另有说明）
参数
测试条件
民
内部基准电压
启动时间
VREF范围
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列
VIH
VIL
VOH
VOL
IIH = 5
A
IIL = 5
A
IOH = 2 TTL负载
IOL = 2 TTL负载
+ VBD -1
0.3
+ VBD - 0.6
0
直
二进制
+ VBD
+ VA
+ VA = 5 V
2.7
4.75
3.3
5
19
95
2
60
2
从仿真结果
1μF的电容存储在REFOUT到
AGND
10
25
4
85
2.5
5.25
5.25
22
110
3
V
V
mA
mW
mA
纳秒
A
微秒
毫秒
号码
°C
CMOS
+ VBD + 0.3
0.8
+ VBD
0.4
V
V
V
V
从95％ （ + VA） ，用1μF的存储
电容上REFOUT至AGND
IOUT=0
静载荷
+ VA = 4.75 V至5.25 V
IOUT = 0
1
25
2.47
2.5
120
2.53
10
毫秒
V
A
mV
PPM /℃
典型值
最大
单位
逻辑电平
数据格式
电源要求
电源电压
电源电流， + VA ， 4 MHz的采样率
功耗， 4 MHz的采样率
打盹模式
电源电流， + VA
电时间（7）
掉电
电源电流， + VA
关机时间（ 8 ）
电时间
系统上电或复位无效的转换
温度范围
工作自由空气
40
（ 1 ）理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
（2 ）这是一个端点INL ，不是最合适的。
（3） LSB表示至少显著位。
（4）测得的相对于实际测量的基准。
（5 ）计算在所述第一9次谐波的输入频率。
（ 6）可以各不相同
±20%.
（ 7 ）最小采集时间的午睡状态结束后第一个采样必须比正常的60纳秒以上。
（8）所需的时间以达到2.5的水平
A.
4
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时序要求
所有典型规格在-40 ° C至85°C ， + VA = + 5V ， + VBD = + 5V （见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）
参数
转换时间
采集时间
采样和转换启动
保持时间CS低到高CONVST （繁忙的高点）
延迟CONVST高收购开始
保持时间， CONVST高到CS高与低的BUSY
保持时间， CONVST从低到高CS
延迟CONVST从低到高BUSY
CS宽度采集或转换开始
延迟CS低到收购开始CONVST高
脉冲宽度，从CS低到CONVST为低电平收购开始
延迟CS低到高BUSY与CONVST低
安静的取样时间（3）
转换中止
建立时间CONVST高到CS低， BUSY高
延迟时间CS低到BUSY低配高CONVST
数据读取
延迟RD低到数据有效在CS为低电平
延迟BYTE高LSB字与CS和RD低有效
延迟时间RD高到数据三态在CS为低电平
转换的延迟时间结束繁忙低
安静的采样时间RD高到低CONVST
延迟CS低到数据有效RD低
延迟CS高数据三态与RD低
安静的采样时间CS低到CONVST低
BACK- TO- BACK转换
延迟BUSY低到数据有效
脉冲宽度，高CONVST
脉冲宽度，低CONVST
掉电/复位
脉冲宽度，低PWD / RST复位装置
脉冲宽度，低PWD / RST断电装置
tw6
tw7
45
7200
6140
ns
ns
ms
10
9
9
td12
tw4
tw5
10
60
20
ns
ns
ns
7, 8
7, 8
7
td6
td7
td9
td11
t1
td8
td10
t2
25
25
25
20
25
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
5
5
6
6
6
ts1
td5
15
20
ns
ns
4
4
th1
td1
th2
th3
td2
tw3
td3
tw1
td4
25
10
2
10
10
40
20
2
20
40
4
5
4
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
1
1
1
1
2
2
2
2
符号
T（ CONV ）
T（ ACQ ）
民
50
典型值
185
65
最大
200
单位
ns
ns
REF图。
5
5
延迟时间， PWD电后/ RST高
td13
25
（1）所有输入信号均指定tR = tF = 5纳秒指定的（10％ 90％ + VBD ）和从（VIL + VIH） / 2的电压电平的定时。
（ 2 ）请参见时序图。
转换开始前（ 3 ）静默期，没有数据总线活动，包括数据总线三态被允许在这一时期。
（ 4 ）所有的时序测量上的所有数据位和BUSY引脚20 pF的等效负载。
5
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