ADS

ADS7815

781

5

16位250kHz采样CMOS

模拟数字转换器

特点

q

q

q

q

250kHz的采样率

完成与S / H ，楼盘，时钟等。

96分贝分钟SFDR与100kHz的输入

84分贝分钟SINAD

描述

该ADS7815是一个完整的16 - bit采样的模拟电源

数（ A / D）转换器具有卓越的AC

性能和250kHz的通过速率。 DE-的

标志包括一个16位基于电容的SAR A / D

转换器具有固有的采样和保持（S / H） ，一

精密基准，和一个内部时钟。 Spurious-

动态范围通过100kHz的满量程正弦波

输入通常大于100dB 。该

±2.5V

输入

范围允许的精密系统的开发利用

只

±5V

耗材。该转换器是一个可

28引脚SOIC封装，规定工作

工业-25 ° C至+ 85 °C温度范围。

q

±

2.5V输入范围

q

28引脚SOIC

应用

q

无线基站

q

频谱分析

q

成像系统

q

数据采集

时钟

的R / C

逐次逼近寄存器和控制逻辑

CS

忙

华助会

± 2.5V输入

产量

锁存器

和

比较

三

状态

DRIVERS

卜FF器

5k

国内

+ 2.5V参考

并行

数据

公共汽车

REF OUT / IN

国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111

互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132

1996年的Burr-Brown公司

PDS-1364A

印刷， 1996年U.S.A.月

特定网络阳离子

在T

A

= -25 ° C至+ 85 ° C，F

S

=为250kHz ， + V

S

= + 5V和-V

S

= -5V ，使用内部参考，除非另有规定。

ADS7815U

参数

决议

模拟量输入

电压范围

阻抗

电容

吞吐速度

转换周期

吞吐率

DC精度

积分非线性误差

无失码

过渡噪声

(2)

满量程误差

(3)

满量程误差漂移

双极性零误差

双极性零误差漂移

电源灵敏度

AC精度

无杂散动态范围

总谐波失真

信号与（噪声+失真）

信号 - 噪声

可用带宽

(5)

孔径延迟

参考

内部参考电压

内部基准电压源电流

外部参考电压范围

外部参考电流消耗

数字输入

逻辑电平

V

IL

V

IH

I

IL

I

IH

数字输出

数据格式

数据编码

V

OL

V

OH

漏电流

输出电容

数字定时

总线访问时间

总线释放时间

电源

+V

S

–V

S

+I

S

–I

S

功耗

温度范围

指定的性能

存储

+4.75

–5.25

+5

–5

+30

–10

200

采集和转换

250

±4

15

0.8

±0.1

±7

±2

±2

±6

96

84

28

84

1

40

2.45

2.3

V

REF

= +2.5V

2.5

1

2.5

2.55

2.7

100

100

–98

±2.5V

100

30

4.0

条件

民

典型值

最大

16

单位

位

V

M

pF

s

千赫

最低位

(1)

位

最低位

%

PPM /°C的

mV

PPM /°C的

最低位

dB

(4)

dB

dB

dB

dB

兆赫

ns

V

A

V

A

+V

S

±5%,

–V

S

±5%

f

IN

= 100kHz的

f

IN

= 100kHz的

f

IN

= 100kHz的

-60dB输入

f

IN

= 100kHz的

–96

–0.3

+2.8

+0.8

+V

S

+0.3V

±10

±10

并行16位

二进制补

V

V

A

A

I

SINK

= 1.6毫安

I

来源

= 200A

高阻态，

V

OUT

= 0V至V

DIG

高阻态

+0.4

+4

±5

15

83

83

+5.25

–4.75

V

V

A

pF

ns

ns

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

250

+85

+125

–25

–55

注： （ 1 ） LSB表示最低有效位。为16位，

±2.5V

输入ADS7815 ，一个LSB为76μV 。 （2）在最坏的情况下的转换的典型的均方根噪声和

温度。 （ 3 ）满量程误差为 - 全规模还是从理想的第一和最后一个代码转换+全尺寸修剪偏差的最糟糕的情况下，由过渡划分

电压（未用满量程范围划分），并且包括偏移误差的影响。 （ 4 ）以dB为单位的所有规格均参考满量程

±2.5V

输入。 （ 5 ）全功率

定义为满量程输入频率带宽而信纳比（噪声+失真）降低至60分贝，或10位的精度。

ADS7815

2

绝对最大额定值

模拟输入： V

IN

................................................................................

±V

S

REF ............................................ GND -0.3V到+ V

S

+0.3V

CAP ...............................................不定短到GND

瞬间短路+ V

S

+V

S

......................................................................................................... 7V

–V

S

...................................................................................................... –7V

数字输入................................................ ...... GND -0.3V到+ V

S

+0.3V

最高结温............................................... ... + 165℃

内部功耗............................................... .............. 825mW

焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃

封装/订购信息

包

制图

数

(1)

217

温度

范围

-25 ° C至+ 85°C

产品

ADS7815U

包

28引脚SOIC

注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束

片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。

静电

放电敏感度

这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown

建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作

和安装程序，会造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降

完成设备故障。精密集成电路可能

更容易受到伤害，因为很小的参数

变化可能导致设备不能满足其公布

特定连接的阳离子。

本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN

对使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有

更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN不

授权或保证任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。

3

ADS7815

针＃

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

名字

V

IN

GND

REF

帽

GND

D15 （MSB）

D14

D13

D12

D11

D10

D9

D8

GND

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0 （ LSB ）

–V

S

的R / C

CS

忙

描述

模拟输入。满量程输入范围

±2.5V.

地面上。

基准输入/输出。为+ 2.5V标称输出内部参考。也可以由外部系统参考驱动。在

这两种情况下，连接到地面一个0.1μF的陶瓷电容并联2.2μF的钽电容。

基准补偿电容。用一个0.1μF的陶瓷电容和一个2.2μF的钽电容的并联组合。

地面上。

数据位15，最高位转换结果（ MSB ） 。 Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当

转换正在进行中。

数据位14， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位13， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位12， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位11， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位10， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位9高阻状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位8， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

地面上。

数据位7， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位6， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位5， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位4高阻状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位3， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位2， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位1， Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当转换正在进行中。

数据位转换结果为0的最低有效位（LSB ） 。 Hi-Z状态，当CS为高电平，当R / C为低或当

转换正在进行中。

负电源输入端。名义上-5V 。去耦到模拟地与0.1μF陶瓷和10μF的钽电容。

读/转换输入。与R / C高， CS变为低电平，可使输出数据位转换是否不在进行中。同

R / C低， CS变为低电平将启动一次转换，如果一个不是已在进行中。

片选。随着R / C低， CS变为低电平将启动一次转换，如果一个不是已在进行中。随着R / C高， CS

变低，可使输出数据位转换是否不在进行中。

忙碌的输出。当转换开始下跌，并保持低电平直到转换完成。在CS为低电平，并

的R / C高，输出数据将是有效的时，BUSY上升，使上升沿可以用来锁存数据。 CS或R / C绝

BUSY上升后，会为250ns内高或另一次转换将启动没有时间进行信号采集。

正电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚28 。

正电源输入。名义上+ 5V 。直接连接到引脚27去耦至地0.1μF的陶瓷和10μF

钽电容器。

27

28

+V

S

+V

S

表一引脚分配。

引脚配置

顶视图

SOIC

V

IN

GND

REF

帽

GND

D15 （MSB）

D14

D13

D12

1

2

3

4

5

6

7

ADS7815

8

9

28 +V

S

27 +V

S

26 BUSY

25 CS

24的R / C

23 –V

S

22 D0 （ LSB ）

21 D1

20 D2

19 D3

18 D4

17 D5

16 D6

15 D7

D11 10

D10 11

D9 12

D8 13

GND 14

ADS7815

4

基本操作

图1示出了用于操作的推荐电路

ADS7815 。在转换脉冲信号的地方的下降沿

采样和保持到保持模式，并启动

转换。当转换完成后，销D15

至D0成为活性和转化的结果

被放置在这些输出。在图1所示的电路中，

BUSY的上升沿锁存结果到74HC574s 。

在转换完成后，将ADS7815样品和

按住返回到采样模式，并开始获取

输入信号为下一转换。允许的4微秒

转换脉冲信号的下降沿保证准确

采集的模拟输入。

R

1

75

+5V

OPA628

R

2

10

1

V

IN

GND

REF

帽

GND

D15

+V

S

28

+V

S

27

BUSY 26

CS 25

的R / C 24

–V

S

23

0.1F

C

7

74HC00

10F

+ C

8

OC

1

10

2

3

4

5

6

7

8

9

OC

CLK

1D

2D

3D

4D

5D

6D

7D

8D

1Q

2Q

3Q

4Q

5Q

6Q

7Q

8Q

μprocessor

公共汽车

–5V

为100ns分钟

0.1F

C

1

+

10F

C

2

+5V

–5V

2.2F

C

3

2.2F

C

4

+

2

0.1F

C

5

0.1F

C

6

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

脉冲转换

+

D0 22

D14

ADS7815

D1 21

D13

D12

D11

D10

D9

D8

GND

D2 20

D3 19

D4 18

D5 17

D6 16

D7 15

74HC574

1

10

2

3

4

5

6

7

8

9

OC

CLK

1D

2D

3D

4D

5D

6D

7D

8D

1Q

2Q

3Q

4Q

5Q

6Q

7Q

8Q

μprocessor

公共汽车

74HC574

图1.基本操作。

5

ADS7815