特定网络阳离子
(续)
电动
在T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
S
= 100kHz时,V
DIG
= V
ANA
= + 5V,使用内部参考和固定电阻器,如图4中,除非另有规定。
ADS7809P ,U
参数
数字输出
数据格式
数据有限公司
流水线延迟
数据时钟
国内
(输出仅在
传输数据)
外
(可连续运行)
V
OL
V
OH
漏电流
输出电容
电源
指定的性能
V
DIG
V
ANA
I
DIG
I
ANA
功耗: PWRD低
PWRD高
温度范围
指定的性能
性能会下降
存储
热阻(
θ
JA
)
塑料DIP
SOIC
TSame
为规范ADS7809P , U.
注: ( 1 ) LSB表示最低有效位。对于
±10V
输入电压范围,一个LSB是305μV 。 ( 2 )在最坏的情况下,转换和温度下的典型均方根噪声。 (3)
作为测量在图4中可调节到零与外部电位所示的固定电阻。 ( 4 )对于双极性输入范围,满量程误差是最坏的情况
- 全规模还是从理想的第一和最后一个代码转换+全尺寸修剪偏差,在过渡电压(而不是由满量程范围分)分和
包括偏移误差的影响。对于单极性输入范围,满量程误差是最后一个码转换的过渡电压除以偏差。它还包括
偏移误差的影响。 ( 5 )以dB为单位的所有规格均参考满量程
±10V
输入。 ( 6 )定义为满量程输入频率全功率带宽处
信号与(噪声+失真)降低至60分贝, 。 ( 7 )后2个FS输入过压恢复到指定的性能。
条件
民
典型值
最大
民
ADS7809PB , UB
典型值
最大
单位
EXT / INT低
串行16位
二进制补码或标准二进制
唯一可用的转换结果后完成转换。
可选择的用于内部或外部数据时钟
2.3
T
兆赫
EXT / INT高
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 500A
高阻态,
V
OUT
= 0V至V
DIG
高阻态
0.1
10
+0.4
T
T
T
兆赫
V
V
A
pF
+4
±5
15
T
T
T
必须是
≤
V
ANA
+4.75
+4.75
+5
+5
0.3
16
50
+5.25
+5.25
T
T
T
T
T
T
T
T
T
V
ANA
= V
DIG
= 5V ,女
S
= 100kHz的
100
T
V
V
mA
mA
mW
W
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
–40
–55
–65
75
75
+85
+125
+150
T
T
T
T
T
T
T
T
绝对最大额定值
模拟输入: R1
IN
..........................................................................
±25V
R2
IN
..........................................................................
±25V
R3
IN
..........................................................................
±25V
CAP ..................................... V
ANA
+ 0.3V至-0.3V AGND2
REF .......................................不定短路AGND2 ,
.................................................. .......................瞬间短路到V
ANA
接地电压差: DGND , AGND2 .................................
±0.3V
V
ANA
...................................................................................................... 7V
V
DIG
到V
ANA
....................................................................................... +0.3
V
DIG
....................................................................................................... 7V
数字输入................................................ ............. -0.3V到V
DIG
+0.3V
最高结温............................................... ... + 165℃
内部功耗............................................... ............. 700mW的
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
最大
线性
错误( LSB)的
±3
±2
±3
±2
保证
没有失踪
代码级
( LSB )
15
16
15
16
最低
信号对
(噪声+失真)
比( dB)的
83
86
83
86
规范
温度
RANGE (
°
C)
–40
–40
–40
–40
to
to
to
to
+85
+85
+85
+85
包
制图
数
(1)
222
222
221
221
产品
ADS7809P
ADS7809PB
ADS7809U
ADS7809UB
包
20引脚塑料DIP
20引脚塑料DIP
20引脚SOIC
20引脚SOIC
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据表,或的Burr-Brown IC数据手册附录C的结束。
3
ADS7809